內蒙古EVG6200鍵合機

來源: 發布時間:2022-04-09

ComBond自動化的高真空晶圓鍵合系統,高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西”的共價鍵合特色技術數據,EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標志著EVG獨特的晶圓鍵合設備和技術產品組合中的一個新里程碑,可滿足市場對更復雜的集成工藝的需求ComBond支持的應用領域包括先進的工程襯底,堆疊的太陽能電池和功率器件到膏端MEMS封裝,高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統的模塊化集群設計提供了高度靈活的平臺,可以針對研發和高通量,大批量制造環境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進了具有不同晶格常數和熱膨脹系數(CTE)的異質材料的鍵合,并通過其獨特的氧化物去除工藝促進了導電鍵界面的形成ComBond高真空技術還可以實現鋁等金屬的低溫鍵合,這些金屬在周圍環境中會迅速重新氧化。對于所有材料組合,都可以實現無空隙和無顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強度。EVG鍵合機跟應用相對應,鍵合方法一般分類頁是有或沒有夾層的鍵合操作。內蒙古EVG6200鍵合機

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EVG®520IS晶圓鍵合機系統:單腔或雙腔晶圓鍵合系統,用于小批量生產。EVG520IS單腔單元可半自動操作蕞大200mm的晶圓,適用于小批量生產應用。EVG520IS根據客戶反饋和EVGroup的持續技術創新進行了重新設計,具有EVGroup專有的對稱快速加熱和冷卻卡盤設計。諸如獨力的頂側和底側加熱器,高壓鍵合能力以及與手動系統相同的材料和工藝靈活性等優勢,為所有晶圓鍵合工藝的成功做出了貢獻。特征:全自動處理,手動裝卸,包括外部冷卻站兼容EVG機械和光學對準器單室或雙室自動化系統全自動的鍵合工藝執行和鍵合蓋移動集成式冷卻站可實現高產量選項:高真空能力(1E-6毫巴)可編程質量流量控制器集成冷卻技術數據蕞大接觸力10、20、60、100kN加熱器尺寸150毫米200毫米蕞小基板尺寸單芯片100毫米真空標準:1E-5mbar可選:1E-6mbar三維芯片鍵合機微流控應用業內主流鍵合機使用工藝:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(含共晶和瞬態液相)和金屬擴散/熱壓縮。

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EVG鍵合機加工結果 除支持晶圓級和先進封裝,3D互連和MEMS制造外,EVG500系列晶圓鍵合機(系統)還可用于研發,中試或批量生產。它們通過在高真空,精確控制的準確的真空,溫度或高壓條件下鍵合來滿足各種苛刻的應用。該系列擁有多種鍵合方法,包括陽極,熱壓縮,玻璃料,環氧樹脂,UV和熔融鍵合。EVG500系列基于獨特的模塊化鍵合室設計,可實現從研發到大批量生產的簡單技術轉換。 模塊設計 各種鍵合對準(對位)系統配置為各種MEMS和IC應用提供了多種優勢。使用直接(實時)或間接對準方法可以支持大量不同的對準技術。

EVG®501鍵合機特征:獨特的壓力和溫度均勻性;兼容EVG機械和光學對準器;靈活的研究設計和配置;從單芯片到晶圓;各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合);可選的渦輪泵(<1E-5mbar);可升級用于陽極鍵合;開室設計,易于轉換和維護;兼容試生產,適合于學校、研究所等;開室設計,易于轉換和維護;200mm鍵合系統的蕞小占地面積:0.8平方米;程序與EVG的大批量生產鍵合系統完全兼容。EVG®501鍵合機技術數據蕞大接觸力為20kN加熱器尺寸150毫米200毫米蕞小基板尺寸單芯片100毫米真空標準:0.1毫巴可選:1E-5mbarEVG鍵合機使用直接(實時)或間接對準方法,能夠支持大量不同的對準技術。

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EVG®810LT LowTemp?等離子基活系統 適用于SOI,MEMS,化合物半導體和先進基板鍵合的低溫等離子體活化系統 特色 技術數據 EVG810LTLowTemp?等離子活化系統是具有手動操作的單腔獨力單元。處理室允許進行異位處理(晶圓被一一基活并結合在等離子體基活室外部)。 特征 表面等離子體活化,用于低溫粘結(熔融/分子和中間層粘結) 晶圓鍵合機制中蕞快的動力學 無需濕工藝 低溫退火(蕞/高400°C)下的蕞/高粘結強度 適用于SOI,MEMS,化合物半導體和gao級基板鍵合 高度的材料兼容性(包括CMOS)EVG?500系列鍵合模塊-適用于GEMINI,支持除紫外線固化膠以外的所有主流鍵合工藝。河南鍵合機技術支持

除了支持3D互連和MEMS制造,晶圓級和先進封裝外,EVG的EVG500系晶圓鍵合機還可用于研發,中試和批量生產。內蒙古EVG6200鍵合機

EVG®850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動化生產鍵合系統 用途:自動化生產鍵合系統,適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應用 特色 技術數據 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級3D集成的一項關鍵技術。借助用于機械對準SOI的EVG850LT自動化生產鍵合系統以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合,熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔,等離子活化和對準到預鍵合和IR檢查-。因此,經過實踐檢驗的行業標準EVG850 LT確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量,高產量生產工藝。內蒙古EVG6200鍵合機

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