產品優勢：多元化布局與專業化延伸
全品類覆蓋
吉田產品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導體錫膏等，形成“光刻膠+配套材料”的完整產品線。例如：
芯片光刻膠：覆蓋i線、g線光刻膠，適用于6英寸、8英寸晶圓制造。
納米壓印光刻膠：用于MEMS、光學器件等領域，替代傳統光刻工藝。
專業化延伸
公司布局半導體用KrF光刻膠，計劃2025年啟動研發，目標進入中芯國際、長江存儲等晶圓廠供應鏈。
質量與生產優勢：嚴格品控與自動化生產
ISO認證與全流程管控
公司通過ISO9001:2008質量體系認證，生產環境執行8S管理，原材料采用美、德、日進口高質量材料，確保產品批次穩定性。
質量指標：光刻膠金屬離子含量低于0.1ppb，良率超99%。
自動化生產能力
擁有行業前列的全自動化生產線，年產能達2000噸（光刻膠及配套材料），支持大規模訂單交付。
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關鍵應用領域
半導體制造：
在晶圓表面涂覆光刻膠，通過掩膜曝光、顯影，刻蝕出晶體管、電路等納米級結構（如EUV光刻膠用于7nm以下制程）。
印刷電路板（PCB）：
保護電路圖形或作為蝕刻抗蝕層，制作線路和焊盤。
顯示面板（LCD/OLED）：
用于制備彩色濾光片、電極圖案等。
微機電系統（MEMS）：
加工微結構（如傳感器、執行器）。
工作原理（以正性膠為例）
1. 涂膠：在基材（如硅片）表面均勻旋涂光刻膠，烘干形成薄膜。
2. 曝光：通過掩膜版，用特定波長光線照射，曝光區域的光敏劑分解，使樹脂變得易溶于顯影液。
3. 顯影：用顯影液溶解曝光區域，留下未曝光的光刻膠圖案，作為后續刻蝕或離子注入的掩蔽層。
4. 后續工藝：刻蝕基材（保留未被光刻膠保護的區域），或去除光刻膠（剝離工藝）。
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關鍵工藝流程
涂布：
在晶圓/基板表面旋涂光刻膠，厚度控制在0.1-5μm（依制程精度調整），需均勻無氣泡（旋涂轉速500-5000rpm）。
前烘（Soft Bake）：
加熱（80-120℃）去除溶劑，固化膠膜，增強附著力（避免顯影時邊緣剝離）。
曝光：
光源匹配：
G/I線膠：汞燈（適用于≥1μm線寬，如PCB、LCD）。
DUV膠（248nm/193nm）：KrF/ArF準分子激光（用于28nm-14nm制程，如存儲芯片）。
EUV膠（13.5nm）：極紫外光源（用于7nm以下制程，需控制納米級缺陷）。
曝光能量：需精確控制（如ArF膠約50mJ/cm），避免過曝或欠曝導致圖案失真。
顯影：
采用堿性溶液（如0.262N四甲基氫氧化銨，TMAH），曝光區域膠膜溶解，未曝光區域保留，形成三維立體圖案。
后烘（Post-Exposure Bake, PEB）：
化學增幅型膠需此步驟，通過加熱（90-130℃）激發光酸催化反應，提高分辨率和耐蝕刻性。
研發投入
擁有自己實驗室和研發團隊，研發費用占比超15%，聚焦EUV光刻膠前驅體、低缺陷納米壓印膠等前沿領域，與中山大學、華南理工大學建立產學研合作。
專項布局：累計申請光刻膠相關的項目30余項，涵蓋樹脂合成、配方優化、涂布工藝等細致環節。
生產體系
全自動化產線：采用德國曼茨（Manz）涂布設備、日本島津（Shimadzu）檢測儀器，年產能超500噸（光刻膠），支持小批量定制（小訂單100g）和大規模量產。
潔凈環境：生產車間達萬級潔凈標準（ISO 8級），避免顆粒污染，確保光刻膠缺陷密度<5個/cm。
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技術趨勢與挑戰
半導體先進制程：
EUV光刻膠需降低缺陷率（目前每平方厘米缺陷數＜10個），開發低粗糙度（≤5nm）材料；
極紫外吸收問題：膠膜對13.5nm光吸收率高，需厚度控制在50-100nm，挑戰化學增幅體系的靈敏度。
環保與低成本：
水性負性膠替代溶劑型膠（如PCB阻焊膠），減少VOC排放；
單層膠工藝替代多層膠，簡化流程（如MEMS厚膠的一次性涂布）。
新興領域拓展：
柔性電子：開發耐彎曲（曲率半徑＜5mm）、低模量感光膠，用于可穿戴設備電路；
光子芯片：高折射率膠（n＞1.8）制作光波導，需低傳輸損耗（＜0.1dB/cm）。
典型產品與廠商
半導體正性膠：
日本信越（Shin-Etsu）的ArF膠（分辨率22nm，用于12nm制程）；
美國陶氏（Dow）的EUV膠（靈敏度10mJ/cm，缺陷密度＜5個/cm）。
PCB負性膠：
中國容大感光（LP系列）：耐堿性蝕刻，厚度20-50μm，國產化率超60%；
日本東京應化（TOK）的THMR-V：全球PCB膠市占率30%，適用于高可靠性汽車板。
MEMS厚膠：
美國陶氏的SU-8：實驗室常用，厚度5-200μm，分辨率1μm（需優化交聯均勻性）；
德國Microresist的MR膠：耐深硅蝕刻，線寬精度±2%，用于工業級MEMS制造。
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技術挑戰與發展趨勢
更高分辨率需求：
EUV光刻膠需解決“線邊緣粗糙度（LER）”問題（目標＜5nm），通過納米顆粒分散技術或新型聚合物設計改善。
缺陷控制：
半導體級正性膠要求金屬離子含量＜1ppb，顆粒（＞50nm）＜1個/mL，需優化提純工藝（如多級過濾+真空蒸餾）。
國產化突破：
國內企業（如上海新陽、南大光電、容大感光）已在KrF/ArF膠實現批量供貨，但EUV膠仍被日本JSR、美國陶氏、德國默克壟斷，需突破樹脂合成、PAG純度等瓶頸。
環保與節能：
開發水基顯影正性膠（減少有機溶劑使用），或低烘烤溫度膠（降低半導體制造能耗）。
典型產品示例
傳統正性膠：Shipley S1813（G/I線，用于PCB）、Tokyo Ohka TSM-305（LCD黑矩陣）。
DUV正性膠：信越化學的ArF膠（用于14nm FinFET制程）、中芯國際認證的國產KrF膠（28nm節點）。
EUV正性膠：JSR的NeXAR系列（7nm以下，全球市占率超70%）。
正性光刻膠是推動半導體微縮的主要材料，其技術進步直接關聯芯片制程的突破，未來將持續向更高精度、更低缺陷、更綠色工藝演進。
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