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全品類(lèi)覆蓋
吉田半導(dǎo)體產(chǎn)品線涵蓋正性 / 負(fù)性光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、厚膜光刻膠及水性光刻膠等,覆蓋芯片制造、顯示面板、PCB 及微納加工等多領(lǐng)域需求,技術(shù)布局全面性于多數(shù)國(guó)內(nèi)廠商。
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關(guān)鍵技術(shù)突破
納米壓印技術(shù):JT-2000 納米壓印光刻膠耐高溫達(dá) 250℃,支持納米級(jí)精度圖案復(fù)制,適用于第三代半導(dǎo)體(GaN/SiC)及 Mini LED 等新興領(lǐng)域,技術(shù)指標(biāo)接近國(guó)際先進(jìn)水平。
水性環(huán)保配方:JT-1200 水性感光膠以水為溶劑替代傳統(tǒng)有機(jī)溶劑,低 VOC 排放,符合 RoHS 和 REACH 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保性能優(yōu)于同類(lèi)產(chǎn)品。
厚膜工藝能力:JT-3001 厚板光刻膠膜厚可控(達(dá)數(shù)十微米),滿(mǎn)足高密度像素陣列及 MEMS 器件的制造需求。
光刻膠廠家推薦吉田半導(dǎo)體,23 年研發(fā)經(jīng)驗(yàn),全自動(dòng)化生產(chǎn)保障品質(zhì)!杭州進(jìn)口光刻膠品牌
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司成立于松山湖經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū),是一家專(zhuān)注于半導(dǎo)體材料研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售的技術(shù)企業(yè)。公司注冊(cè)資本 2000 萬(wàn)元,擁有 23 年行業(yè)經(jīng)驗(yàn),產(chǎn)品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、半導(dǎo)體錫膏、焊片及靶材等,服務(wù)全球市場(chǎng)并與多家世界 500 強(qiáng)企業(yè)建立長(zhǎng)期合作關(guān)系。
作為國(guó)家技術(shù)企業(yè),吉田半導(dǎo)體以科技創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng)力,擁有多項(xiàng)技術(shù),并通過(guò) ISO9001:2008 質(zhì)量體系認(rèn)證。生產(chǎn)過(guò)程嚴(yán)格遵循 8S 現(xiàn)場(chǎng)管理標(biāo)準(zhǔn),原材料均采用美、德、日等國(guó)進(jìn)口的材料,確保產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定可靠。公司配備全自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)備,具備行業(yè)大型的規(guī);a(chǎn)能力,致力于成為 “半導(dǎo)體材料方案提供商”。
其明星產(chǎn)品包括:適用于 LCD 制造的正性光刻膠 YK-200/YK-300,具備高分辨率與優(yōu)異涂布性能;3 微米負(fù)性光刻膠 SU-3,適用于厚膜工藝;耐高溫達(dá) 250℃的納米壓印光刻膠 JT-2000,可滿(mǎn)足高精度微納加工需求。所有產(chǎn)品均符合要求,部分型號(hào)通過(guò)歐盟 ROHS 認(rèn)證。
惠州進(jìn)口光刻膠國(guó)產(chǎn)廠商半導(dǎo)體光刻膠:技術(shù)領(lǐng)域取得里程碑。
光刻膠系列:
厚板光刻膠 JT - 3001,具備優(yōu)異分辨率、感光度和抗深蝕刻性能,符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn),保質(zhì)期 1 年;
水油光刻膠 SR - 3308,容量 5L;SU - 3 負(fù)性光刻膠,分辨率優(yōu)異,對(duì)比度良好,曝光靈敏度高,光源適應(yīng),重量 100g;
液晶平板顯示器負(fù)性光刻膠 JT - 1000,有 1L 裝和 100g 裝兩種規(guī)格,分辨率高,準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性好;
JT - 2000 UV 納米壓印光刻膠,耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿,耐高溫達(dá) 250°C,長(zhǎng)期可靠性高,粘接強(qiáng)度高,重量 100g;
LCD 正性光刻膠 YK - 200,具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力,重量 100g;
半導(dǎo)體正性光刻膠 YK - 300,具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性,重量 100g;
耐腐蝕負(fù)性光刻膠 JT - NF100,重量 1L。
原料準(zhǔn)備
主要成分:樹(shù)脂(成膜劑,如酚醛樹(shù)脂、聚酰亞胺等)、感光劑(光引發(fā)劑或光敏化合物,如重氮萘醌、光刻膠單體)、溶劑(溶解成分,如丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA))、添加劑(調(diào)節(jié)粘度、感光度、穩(wěn)定性等,如表面活性劑、穩(wěn)定劑)。
原料提純:對(duì)樹(shù)脂、感光劑等進(jìn)行高純度精制(純度通常要求99.9%以上),避免雜質(zhì)影響光刻精度。
配料與混合
按配方比例精確稱(chēng)量各組分,在潔凈環(huán)境,如萬(wàn)中通過(guò)攪拌機(jī)均勻混合,形成膠狀溶液。
控制溫度(通常20-30℃)和攪拌速度,避免氣泡產(chǎn)生或成分分解。
過(guò)濾與純化
使用納米級(jí)濾膜(孔徑0.05-0.2μm)過(guò)濾,去除顆粒雜質(zhì)(如金屬離子、灰塵),確保膠液潔凈度,避免光刻時(shí)產(chǎn)生缺陷。
性能檢測(cè)
物理指標(biāo):粘度、固含量、表面張力、分子量分布等,影響涂布均勻性。
化學(xué)指標(biāo):感光度、分辨率、對(duì)比度、耐蝕刻性,通過(guò)曝光實(shí)驗(yàn)和顯影測(cè)試驗(yàn)證。
可靠性:存儲(chǔ)穩(wěn)定性(常溫/低溫保存下的性能變化)、耐溫性(烘烤過(guò)程中的抗降解能力)。
包裝與儲(chǔ)存
在惰性氣體(如氮?dú)猓┉h(huán)境下分裝至避光容器(如棕色玻璃瓶或鋁罐),防止感光劑氧化或光分解。
儲(chǔ)存條件:低溫(5-10℃)、避光、干燥,部分產(chǎn)品需零下環(huán)境(如EUV光刻膠)。
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技術(shù)挑戰(zhàn)
光刻膠作為半導(dǎo)體、顯示面板等高級(jí)制造的材料,其技術(shù)挑戰(zhàn)主要集中在材料性能優(yōu)化、制程精度匹配、復(fù)雜環(huán)境適應(yīng)性以及產(chǎn)業(yè)自主化突破等方面
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高分辨率:隨著半導(dǎo)體制程向3nm、2nm推進(jìn),需開(kāi)發(fā)更高精度的EUV光刻膠,解決光斑擴(kuò)散、線寬控制等問(wèn)題。
靈敏度與穩(wěn)定性:平衡感光速度和圖案抗蝕能力,適應(yīng)極紫外光(13.5nm)的低能量曝光。
國(guó)產(chǎn)化替代:目前光刻膠(如EUV、ArF浸沒(méi)式)長(zhǎng)期被日本、美國(guó)企業(yè)壟斷,國(guó)內(nèi)正加速研發(fā)突破。
光刻膠的性能直接影響芯片制造的良率和精度,是支撐微電子產(chǎn)業(yè)的“卡脖子”材料之一。
光刻膠生產(chǎn)工藝流程與應(yīng)用。杭州進(jìn)口光刻膠品牌
技術(shù)挑戰(zhàn):
技術(shù)壁壘:EUV光刻膠、3nm以下制程材料仍處研發(fā)階段,光刻膠分辨率、靈敏度與國(guó)際水平存在差距(如東京應(yīng)化ArF膠分辨率達(dá)14nm)。
供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn):樹(shù)脂、光引發(fā)劑等原材料自給率不足8%,部分依賴(lài)進(jìn)口(如日本信越化學(xué));美國(guó)對(duì)華技術(shù)封鎖可能影響設(shè)備采購(gòu)。
客戶(hù)驗(yàn)證:光刻膠需通過(guò)晶圓廠全流程測(cè)試,驗(yàn)證周期長(zhǎng)(1-2年),國(guó)內(nèi)企業(yè)在頭部客戶(hù)滲透率較低。
未來(lái)展望:
短期(2025-2027年):KrF/ArF光刻膠國(guó)產(chǎn)化率預(yù)計(jì)提升至10%-15%,南大光電、上海新陽(yáng)等企業(yè)實(shí)現(xiàn)28nm-7nm制程產(chǎn)品量產(chǎn),部分替代日本進(jìn)口。
中期(2028-2030年):EUV光刻膠進(jìn)入中試驗(yàn)證階段,原材料自給率提升至30%,國(guó)內(nèi)企業(yè)在全球市場(chǎng)份額突破15%。
長(zhǎng)期(2030年后):實(shí)現(xiàn)光刻膠全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控,技術(shù)指標(biāo)對(duì)標(biāo)國(guó)際前列,成為全球半導(dǎo)體材料重要供應(yīng)商。
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