江西應用BOE蝕刻液私人定做

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    本實用新型屬于廢液處理領域，尤其涉及一種酸性蝕刻液電解后液處理系統。背景技術：酸性蝕刻液是用于印制電路板線路制作和多層板內層制作的蝕刻液，隨著電路板行業的迅速發展，產生的廢液量越來越大，發掘的污染物種類也越來越多，對環境造成巨大的危害，此類問題也成為社會的重要課題。為了減少甚至杜絕此類污染的發生，我們需要對酸性蝕刻液進行回收循環利用。目前對于酸性蝕刻廢液的再生利用大多采用化學或電化學的方法，但傳統的方法廢液中總銅的含量不斷增大，比重增加，必須排掉一部分廢液或者補加子液和水來控制參數，這樣污染大，影響環境，而且還會造成銅和酸的浪費。技術實現要素：本實用新型所要解決的技術問題為如何通過簡單、低成本的技術實現種酸性蝕刻液電解后廢液的再生利用。為解決上述技術問題，本實用新型是這樣實現的，一種酸性蝕刻液電解后液處理系統，包括：電解槽，具有一出液口和出氣口，且內置有酸性蝕刻液，用于對所述酸性蝕刻液進行電解提銅，產生氯氣，得到電解后液；再生液調配缸，具有進液口和循環出液口，所述進液口通過管道與所述電解槽的出液口連接以接收電解后液；射流器，其進氣口通過導氣管與所述電解槽的出氣口連接以接收所述氯氣。無機BOE蝕刻液訂做價格蘇州博洋化學股份有限公司提供專業蝕刻液。

    本發明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，來改善磷酸的浸潤性和表面張力，使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術：氮化硅是一種具有很高的化學穩定性的絕緣材料，氫氟酸和熱磷酸能對氮化硅進行緩慢地腐蝕。在半導體制造工藝中，一般是采用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻，一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來蝕刻氮化硅。但隨著半導體制程的飛速發展，器件的特征尺寸越來越小，集成度越來越高，對制造工藝中的各工藝節點要求也越來越高，如蝕刻工藝中對蝕刻后晶圓表面的均勻性、蝕刻殘留、下層薄膜的選擇性等都有要求。在使用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻時，晶圓表面會出現不均勻的現象，體現于在蝕刻前后進行相同位置取點的厚度測量時，檢測點之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問題，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑可以實現氮化硅層的均勻蝕刻。技術實現要素：本發明所要解決的技術問題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液。本發明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，所述蝕刻液的組成包括：占蝕刻液總重量≥88％的磷酸、％的醇醚類、％的表面活性劑。進一步地，本發明涉及上述蝕刻液。

    óónmínimadelapruebaseráóáenellugardefabricacióóáuncertificadodefabricaciónenelquejustifiqueelcumplimientodelaspruebasyexámenesindicadosenestaITC,desglosandomaterialempleado,presióndeprueba,óón(brida,valona,bridaloca,rosca,etc.)atuberíasdellenado,ventilaciónaspiración,etcéántubosdeaceroconformesconlanormaUNE19040,dematerialsegúnDIN1629uotranormadeseguridadequivalente,siendoestascaracterísticaslasmínimasdeutilizacióéstosseajustaráánalaschapasdelosdepósitospormediodesoldadurasdeángulointerioresyexteriores,conunapenetraciónenelinteriorde,almenos,15milíósitossesituarán:Sobrelastapasdelasbocasdehombre;sobrelageneratrizsuperiordelosdepóósitoestaráprovistodelassiguientestubuladuras:a))Unatubuladuradeventilació)Unaovariastubuladurasdeaspiració))áobturadaherméósitosdecapacidadsuperioratresmetroscúbicostendránboca/únpuntodeldepósitoamásdecincometrosdeunabocadehombre;portanto,seprevéndosbocasparalosdepósitosdemásde10metrosdelongitud。蘇州博洋化學股份有限公司，蝕刻液專業生產商。

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