2025年3月10-12日中國上海市先進陶瓷與粉末冶金展覽會

碳化硅主驅芯片可靠性驗證要求極高，需7-8年才能實現從設計到量產。國外廠商技術和產量的優勢，并通過車企驗證，基本壟斷了碳化硅主驅芯片供應端。國內企業尚處于可靠性驗證起始階段，未實現批量供應。國產主驅芯片需克服可靠性驗證和批量化生產兩大難關，確保大規模供應的同時保證產品品質穩定是行業性難題。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯動，串聯相關產業鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿交流平臺。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等一應俱全的產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！2025年3月10日中國?國際先進陶瓷展，匯聚眾多國內外杰出供應商和制造商，誠邀您蒞臨上海探索無限商機。2025年3月10-12日中國上海市先進陶瓷與粉末冶金展覽會

注射成型過程中由于工藝參數控制不當，或者是喂料本身缺陷，以及模具設計不合理等因素，容易造成諸如欠注、斷裂、孔洞、變形、毛邊等各種缺陷。結合具體過程，對常見的注射缺陷進行分析，并加以控制，以提高生產率和喂料的利用率。1、欠注缺陷，指喂料在充模過程中不能充滿整個模腔。一般在剛開始注射時產生，可能是由喂料溫度或模具溫度過低、加料量不足、喂料粘度過大等因素引起的。通過增加預塑時間升高喂料溫度、升高模具溫度、加大進料量、升高注射溫度降低喂料粘度等措施可以消除此缺陷。2、斷裂缺陷斷裂。一般發生在脫模中，往往是脆斷。主要是因為模具溫度太低，或者是保壓和冷卻時間過長，使得坯體溫度大幅下降，引起的收縮太大使坯體緊緊箍在下部凸模上，在模具頂出機構的強烈沖擊下，很容易引起脆斷。通過適當升高模溫以及減少保壓和冷卻時間，在脫模過程中可以避免斷裂。3、孔洞缺陷，孔洞，指在生坯的橫截面上可以發現的孔隙。有的是一個近圓形的小孔，有的就發展為幾乎貫穿生坯坯體的中心通孔，這是常見的缺陷，注射成型樣品不同部位產生的氣孔的原因也不一樣。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。3月10日-12日中國上海市國際先進陶瓷展匯中外優秀企業，展前沿技術產品，“中國?國際先進陶瓷展覽會：2025年3月10-12日將于上海世博展覽館開幕。

傳統硅器件主要采用高溫擴散摻雜，但鋁、硼和氮在SiC中擴散系數低，需極高溫度，會惡化器件性能。因此，離子注入工藝成為SiC摻雜的優先選擇。為實現離子注入區域摻雜濃度均勻，常采用多步離子注入，通過調節注入能量和劑量，控zhi摻雜濃度和深度。離子注入設備是SiC產線難度較高的設備，全球設備廠商少、交期長，國產化率低于10%，是我國碳化硅晶圓線建設的較大瓶頸。國際主流廠商包括美國亞舍立（Axcelis）及應用材料（收購瓦里安），日本愛發科及日清公司，國內廠商主要有中國電科48所（爍科中科信），中車思銳（收購IBS）和凱世通也在介入。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！

刻蝕技術是SiC器件研制的關鍵，刻蝕精度、損傷和表面殘留物對器件性能至關重要。目前，SiC刻蝕多采用干法刻蝕，其中電感耦合等離子體（ICP）刻蝕因其低壓高密度的特點，具有刻蝕速率高、器件損傷小、操作簡單等優點，而廣泛應用。此外，刻蝕中的掩膜材料、蝕刻選擇、混合氣體、側壁控zhi、蝕刻速率和側壁粗糙度等需針對SiC材料特性開發。刻蝕環節主要挑戰包括實現更小尺寸器件結構、提高深寬比和形貌圓滑度，以及從淺溝槽向深溝槽的轉變等。主流的SiCICP刻蝕設備廠商包括德國Plasma-Therm及Sentech、瑞士TEL、美國AMAT、英國牛津儀器、日本Samco及愛發科，及我國北方華創、中國電科48所、中微半導體、中科院微電子所、珠海恒格微電子、稷以科技等。北方華創在SiC器件領域具備完整的刻蝕解決方案，其SiC器件刻蝕機出貨量的市占率較高。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。誠邀您蒞臨參觀！“中國?國際先進陶瓷展覽會”匯聚國內外優秀企業和業界精英：2025年3月10日上海見。誠邀您蒞臨參觀！

外延生長技術是碳化硅器件的關鍵環節，外延質量對器件性能影響很大，碳化硅襯底無法直接制作器件，優質外延工藝可改進微管（Micropipe）、多型、劃痕、層錯、貫穿螺型位錯（TSD）、貫穿刃型位錯（TED）和基平面位錯（BPD）等襯底缺陷，減少外延生長缺陷，同時精確控zhi摻雜濃度，提升均勻性和器件良率。不同外延層厚度對應不同耐壓等級的器件規格。通常，1μm的外延層對應100V左右的耐壓；耐壓在600V左右時，需要6μm左右的外延層；耐壓高于10000V時，外延層厚度需在100μm以上。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！先進陶瓷行業精英齊聚上海、交流合作、共謀發展，中國?國際先進陶瓷展，3月10日我們共同見證盛會開幕！2024上海國際先進陶瓷會議

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會：2025年3月10-12日與您相聚上海，共襄行業盛會！2025年3月10-12日中國上海市先進陶瓷與粉末冶金展覽會

碳化硅襯底的電學性能決定了下游芯片功能與性能的優劣，為滿足不同芯片功能需求，需制備不同電學性能的碳化硅襯底。按照電學性能的不同，碳化硅襯底可分為兩類：高電阻率（電阻率≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，以及低電阻率（電阻率區間為15~30mΩ·cm）的導電型碳化硅襯底。半絕緣型碳化硅襯底主要用于制造氮化鎵射頻器件，通過生長氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵外延片；導電型碳化硅襯底主要用于制造功率器件，需在導電型襯底上生長碳化硅外延層。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！誠邀您蒞臨參觀！2025年3月10-12日中國上海市先進陶瓷與粉末冶金展覽會