3月10-12日上海市國際先進陶瓷技術前沿論壇

半導體材料作為一種在常溫下導電性能介于絕緣體與導體之間的特殊物質，在現代科技產業中發揮著至關重要的作用，被譽為現代工業的“糧食”。從研究和規模化應用的時間順序來看，半導體材料可分為三代。與以硅（Si）、鍺（Ge）為dai表的一代半導體和以砷化鎵（GaAs）為dai表的第二代半導體相比，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為dai表的第三代半導體具有高禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和漂移速率等特征，可以滿足科技發展對高溫、高功率、gao壓、高頻等復雜場景的器件要求。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等一應俱全的產品、服務和整體解決方案。誠邀您蒞臨參觀！2025年3月10-12日，讓我們相聚中國?國際先進陶瓷展覽會，共同探索先進陶瓷行業的萬千可能！3月10-12日上海市國際先進陶瓷技術前沿論壇

碳化硅單晶材料按電學性能分導電型和半絕緣型，而導電型對應同質外延，半絕緣型對應異質外延。同質外延制成SBD（肖特基勢壘二極管）、MOSFET（縮寫為MOS，金屬氧化物半導體場效應晶體管）等功率器件，適用于電子電力領域如新能源汽車、軌道交通、智能電網、光伏發電等；在導電型SiC襯底上生長SiC外延層可制得SiC外延片，用于各類功率器件。異質外延制成HEMT（高電子遷徙率晶體管）等微波射頻器件，適用于高頻、高溫環境如5G通訊、雷達、國?防jun工等領域；在半絕緣型SiC襯底上生長GaN外延層可制得SiC基GaN外延片用于GaN射頻器件。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！3月10-12日上海市國際先進陶瓷技術前沿論壇“2025中國?國際先進陶瓷展”為行業精英提供學術研究與應用實踐的融合平臺，2025年3月10日上海見！

碳化硅作為第三代半導體的代表性材料之一，展現了突出的性能優勢，具有極高的產業價值，被當下業內專jia稱為“黃金投資賽道”。我國“十四五”規劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域，是國?家戰略性需求的重要行業。我們通過對碳化硅產業鏈的基本情況及碳化硅襯底、外延、功率器件環節的價值分析，揭示碳化硅產業鏈的發展趨勢以及面臨的機遇與挑戰。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯動，串聯相關產業鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿交流平臺。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！

外延生長技術是碳化硅器件的關鍵環節，外延質量對器件性能影響很大，碳化硅襯底無法直接制作器件，優質外延工藝可改進微管（Micropipe）、多型、劃痕、層錯、貫穿螺型位錯（TSD）、貫穿刃型位錯（TED）和基平面位錯（BPD）等襯底缺陷，減少外延生長缺陷，同時精確控zhi摻雜濃度，提升均勻性和器件良率。不同外延層厚度對應不同耐壓等級的器件規格。通常，1μm的外延層對應100V左右的耐壓；耐壓在600V左右時，需要6μm左右的外延層；耐壓高于10000V時，外延層厚度需在100μm以上。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！“中國?國際先進陶瓷展覽會”匯聚國內外優秀企業和業界精英：2025年3月10日上海見。誠邀您蒞臨參觀！

隨著下游應用端的不斷拓展，碳化硅產能供不應求。從全球產能情況來看，近5年內全球碳化硅襯底產能嚴重不足。2023至2025年處于擴建產能爬坡期，預計2026年新產能大量釋放，但釋放后也只能滿足不足60%的市場需求。考慮未來再建產能的時間周期，包括評估、資本募集、建廠、訂購設備、產線爬坡等時間需求，更大產能需要在2030年后才能釋放。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯動，串聯相關產業鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿交流平臺。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！第十七屆中國國際先進陶瓷展覽會， 2025年3月10-12日上海世博展覽館。誠邀您蒞臨參觀！中國上海市先進陶瓷及粉末冶金展

“中國?國際先進陶瓷展覽會”分享行業前沿技術：2025年3月10-12日上海世博展覽館。誠邀您蒞臨參觀！3月10-12日上海市國際先進陶瓷技術前沿論壇

在電動汽車主驅逆變器中，SiC MOSFET相比硅基IGBT具有明顯優勢，如功率轉換效率高、逆變器線圈和電容小型化、降低電機鐵損、束線輕量化和節省安裝空間等。雖然碳化硅器件價格較高，但其優勢可降低整車系統成本。2018年，特斯拉在Model 3中首ci將硅基 IGBT替換為SiC器件，大幅提升汽車逆變器效率，越來越多的車廠如比亞迪、蔚來、小鵬、保時捷等正在轉向在電驅中使用碳化硅MOSFET器件。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會、2025上海國際增材制造應用技術展覽會和2025上海國際粉體加工與處理展覽會同期同地舉辦。五展聯動，串聯相關產業鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿交流平臺。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！3月10-12日上海市國際先進陶瓷技術前沿論壇