陜西高壓可控硅模塊

可控硅元件控制大電感負載時會有干擾電網和自干擾的現象，其原因是當可控硅元件控制一個連接電感性負載的電路斷開或閉合時，其線圈中的電流通路被切斷，其變化率極大，因此在電感上產生一個高電壓，這個電壓通過電源的內阻加在開關觸點的兩端，然后感應電壓一次次放電直到感應電壓低于放電所必須的電壓為止，在這一過程中將產生極大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上，并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間，這種脈沖具有很高的幅度，很寬的頻率，因而具有感性負載的開關點是一個很強的噪聲源。淄博正高電氣有限公司過硬的產品質量、質量的售后服務、認真嚴格的企業管理，贏得客戶的信譽。陜西高壓可控硅模塊

可控硅模塊的用途

可控硅模塊具有硅整流器件的特性，相當于或類似于可控制的單向（或雙向）二極管，利用其可控功能，實現了弱電流對強電的控制。此外，晶閘管具有體積小、結構簡單、功能強、重量輕、效率高、控制靈活等優點。晶閘管可用于下列過程：

1、可控整流：將交流電轉換成可調直流電；

2、逆變器：將直流電轉換成交流電；

3、變頻：將一個頻率的交流電轉換為另一個頻率的交流電或可調頻率的交流電；

4、交流調壓：將固定交流電壓轉換為有效值可調的交流電壓；

5、斬波：將固定直流電壓轉換為平均可調直流電壓；

6、無觸點通斷：用無觸點開關代替交流接觸器實現開關控制。 內蒙古小功率可控硅模塊價格誠信是企業生存和發展的根本。

可控硅模塊規格的選擇方法：考慮到可控硅產品一般為非正弦電流，存在導通角問題，負載電流存在一些波動和不穩定因素，晶閘管芯片抗電流沖擊能力差，在選擇模塊電流規格時必須留出一定的裕度。

推薦選擇方法可按照以下公式計算：I＞K×I負載×U∕U實際

K ：安全系數，阻性負載K= 1.5，感性負載K= 2；

I負載：負載流過的強大電流； U實際：負載上的小電壓；

U強大 模塊能輸出的強大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規格均為1.0倍）；

I：需要選擇模塊的小電流,模塊標稱的電流必須大于該值。

雙向可控硅晶閘管使用中，應特別注意以下事項：

1.靈敏度

雙向可控硅是一個三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發脈沖或負向觸發脈沖均可使控制極導通，但是觸發靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進入導通狀態的較小門極電流IGT是有區別的。

2.可控硅過載的保護

可控硅元件優點很多，但是它過載能力差，短時間的過流，過壓都會造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件：

（1）外加電壓下允許超過正向轉折電壓，否則控制極將不起作用；

（2）可控硅的通態平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來取；

（3）為保證控制極可靠觸發，加到控制極的觸發電流一般取大于其額值，除此以外，還必須采取保護措施，一般對過流的保護措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流側或直流側，當在交流側時額定電流取大些，一般多采用前者，過電壓保護常發生在存在電感的電路上，或交流側出現干擾的浪涌電壓或交流側的暫態過程產生的過壓。由于，過電壓的尖峰高，作用時間短，常采用電阻和電容吸收電路加以。

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可控硅模塊設備相信大家都已經熟悉并了解了，在您了解的知識中，您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎？下面正高電氣來講解一下。

可控硅模塊的工作條件：

1.當可控硅模塊承受反向陽極電壓時，不管門級承受哪種電壓，可控硅模塊都會處于斷開狀態。

2.當可控硅模塊經歷正向陽極電壓時，可控硅*在門級受到正向電壓時接通。

3.當可控硅模塊導通時，只需要有一定的正極電壓，不管門極電壓怎樣，可控硅模塊都保持導通，如果可控硅導通后，門極將失去其功能。

4..當可控硅模塊導通時，主電路電壓(或電流)減小到接近零時，可控硅模塊關斷。 淄博正高電氣有限公司是您可信賴的合作伙伴！安徽可控硅模塊報價

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