山西雙向可控硅模塊價格

來源: 發布時間:2023-02-12

可控硅模塊散熱條件的好壞直接關系到商品的運用壽數和短時過載才華,溫度越低模塊的輸出電流越大,所以在運用中有必要裝備散熱器和風機,主張選用帶有過熱維護功用的商品,有水冷散熱條件的優先挑選水冷散熱。咱們經過嚴肅測算,斷定了不一樣類型的商品所大概裝備的散熱器類型,推薦選用廠家配套的散熱器和風機,用戶自備時按以下準則挑選:

1、軸流風機的風速應大于6m/s ;

2、有必要能確保模塊正常作業時散熱底板溫度不大于80℃;

3、模塊負載較輕時,可減小散熱器的大小或選用天然冷卻;

4、選用天然辦法冷卻時散熱器周圍的空氣能結束對流并恰當增大散熱器面積;

5、悉數緊固模塊的螺釘有必要擰緊,壓線端子聯接強健,以削減次生熱量的發生,模塊底板和散熱器之間有必要要涂敷一層導熱硅脂或墊上一片底板大小的導熱墊,以抵達良好散熱作用。 不斷開發新的產品,并建立了完善的服務體系。山西雙向可控硅模塊價格

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只有在觸發脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早,可控硅模塊導通的時間就早;Ug到來得晚,可控硅模塊導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間,就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中,常把交流電的半個周期定為180°,稱為電角度。

這樣,在U2的每個正半周,從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α;在每個正半周內可控硅模塊導通的電角度叫導通角θ。很明顯,α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ,改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL,實現了可控整流。 山西雙向可控硅模塊價格淄博正高電氣有限公司團結、創新、合作、共贏。

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一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創制于1957年,由于它特性類似于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T。又由于晶閘管開始應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。

在性能上,可控硅不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備,如果超過此頻率,因元件開關損耗明顯增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標稱電流應降級使用。

可控硅的優點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等。

可控硅的弱點:靜態及動態的過載能力較差;容易受干擾而誤導通。

可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。

可控硅模塊規格的選擇方法:考慮到可控硅產品一般為非正弦電流,存在導通角問題,負載電流存在一些波動和不穩定因素,晶閘管芯片抗電流沖擊能力差,在選擇模塊電流規格時必須留出一定的裕度。

推薦選擇方法可按照以下公式計算:I>K×I負載×U∕U實際

K :安全系數,阻性負載K= 1.5,感性負載K= 2;

I負載:負載流過的強大電流; U實際:負載上的小電壓;

U強大 模塊能輸出的強大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍,單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍,其余規格均為1.0倍);

I:需要選擇模塊的小電流,模塊標稱的電流必須大于該值。 淄博正高電氣有限公司品牌價值不斷提升。

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滿足可控硅模塊工作的必要條件:

(1)+12V直流電源:可控硅模塊內部控制電路的工作電源。

①可控硅模塊輸出電壓要求:+12V電源:12±0.5V ,紋波電壓小于20mv 。

②可控硅模塊輸出電流要求:標稱電流小于500安培產品:I+12V>0.5A,標稱電流大于500安培產品:I+12V> 1A。

(2)可控硅模塊控制信號:0~10V或4~20mA控制信號,用于對輸出電壓大小進行調整的控制信號,正極接CON10V或CON20mA,負極接GND1。

(3)可控硅模塊供電電源和負載:供電電源一般為電網電源,電壓460V以下的或者供電變壓器,接可控硅模塊的輸入端子;負載為用電器,接可控硅模塊的輸出端子。 淄博正高電氣有限公司歡迎朋友們指導和業務洽談。江蘇雙向可控硅模塊品牌

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相信大家對于可控硅模塊并不陌生了,現代在電氣行業的不斷發展,可控硅模塊的使用范圍越來越廣,但是你對可控硅模塊的了解有多少呢,它的主要參數有哪些你知道嗎?下面為大家講解。


可控硅模塊的主要參數有:


(1) 額定通態平均電流IT在一定條件下,陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。


(2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號,陽極正向電壓還未超過導能電壓時,可以重復加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓。可控硅模塊承受的正向電壓峰值,不能超過手冊給出的這個參數值。


(3) 反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓,處于反向關斷狀態時,可以重復加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時,不能超過手冊給出的這個參數值。 山西雙向可控硅模塊價格

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