湖北快恢復可控硅模塊報價

來源: 發布時間:2022-03-18

可控硅模塊選購注意事項:

(1)注明您需要的產品的型號、結構(螺栓、凹臺、凸臺)、配置散熱器型號。

(2)注明您關注的參數要求。

(3)選擇電流電壓時要留有適當的余量;


可控硅模塊使用注意事項:

(1)線路中須有過壓過流保護措施,串并聯使用時必須有均流措施。

(2)用萬用表簡單判斷器件是否損壞: 門陰極間電阻,應有十幾或幾十Ω,否則門極已短路或開路。陰陽極間電阻,應大于1MΩ,(整流管正向除外),電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良,電阻近零時表明器件已擊穿。發現有短路或斷路現象時,應立即更換。

(3)嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。

(4)電流為5A以上的可控硅模塊要裝散熱器,并且保證所規定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅模塊管心接觸良好,它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂,以幫于良好的散熱。

(5)按規定對主電路中的可控硅模塊采用過壓及過流保護裝置。

(6)要防止可控硅模塊控制極的正向過載和反向擊穿。

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可控硅模塊的分類:

1、以關斷、導通及控制方式來分類:可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。

2、以引腳和極性來分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。

3、以封裝形式來分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

4、以電流容量來分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。

5、以關斷速度來分類:可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。

6、過零觸發,一般是調功,即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發,必須是過零點才觸發,導通可控硅參數介紹

7、非過零觸發,無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發導通可控硅,常見的是移相觸發。

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可控整流:如同二極管整流一樣,將交流整流為直流,并且在交流電壓不變的情況下,有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流,實現交流→可變直流之轉變;

無觸點功率靜態開關(固態開關):作為功率開關元件,可控硅可以代替接觸器、繼電器用于開關頻率很高的場合。

因此可控硅元件被廣泛應用于各種電子設備和電子產品的電路中,多作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等用途。家用電器中的調光燈、調速風扇、冷暖空調器、熱水器、電視、冰箱、洗衣機、照相機、音響組合、聲控電路、定時控制器、感應燈、圣誕燈控制器、自動門電路、以及玩具裝置、電動工具產品、無線電遙控電路、攝像機等工業控制領域等都大量使用了可控硅器件。

雙向可控硅***陽極A1與第二陽極A2間,無論所加電壓極性是正向還是反向,只要控制極G和***陽極A1間加有正負極性不同的觸發電壓,就可觸發導通呈低阻狀態。此時A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導通,即使失去觸發電壓,也能繼續保持導通狀態。只有當***陽極A1、第二陽極A2電流減小,小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發電壓時,雙向可控硅才截斷,此時只有重新加觸發電壓方可導通。

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選擇可控硅模塊時不能只看表面,應參考實際工作條件來選擇,選用可控硅模塊的額定電流時,除了考慮通過元件的平均電流外,還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。


1.可控硅模塊的冷卻及環境條件:

(1)強迫風冷:風速≥6m/s,風溫≤40℃;

(2)水冷:流量≥4L/mm,壓強0.2±0.03Mpa。水溫≤35℃. 水電阻率≥20KΩ.cm,HP值6—8;

(3)自冷和負冷環境溫度—40℃—40℃.水冷以環境溫度5℃—40℃;

(4)空氣相對濕度≤85%;

(5)空氣中無腐蝕性氣體和破壞絕緣的塵埃;

(6)氣壓86—106Kpa;

(7)無劇烈震動或沖擊;

(8)若有特殊場合,應進行相應的試驗,證明工作可靠方可使用。 淄博正高電氣有限公司以發展求壯大,就一定會贏得更好的明天。青島高壓可控硅模塊供應商

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過電壓會對可控硅模塊造成損壞,如果要想保護可控硅不受其損壞,就要了解過電壓的產生原因,從而去避免防止受損,下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞?以及過電壓產生的原因。

可控硅模塊對過電壓非常敏感,當正向電壓超過udrm值時,可控硅會誤導并導致電路故障;當施加的反向電壓超過urrm值時,可控硅模塊會立即損壞。因此,需要研究過電壓產生的原因和過電壓的方法。

過電壓主要是由于供電電源或系統儲能的急劇變化,使系統轉換太晚,或是系統中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發現,由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型,如雷擊和開關開啟和關閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,對可控硅模塊非常危險。


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