貴州射頻磁控濺射鍍膜

磁控濺射概述：濺射是一種基于等離子體的沉積過程，其中高能離子向目標加速。離子撞擊目標，原子從表面噴射。這些原子向基板移動并結合到正在生長的薄膜中。磁控濺射是一種涉及氣態等離子體的沉積技術，該等離子體產生并限制在包含要沉積的材料的空間內。靶材表面被等離子體中的高能離子侵蝕，釋放出的原子穿過真空環境并沉積到基板上形成薄膜。在典型的濺射沉積工藝中，腔室首先被抽真空至高真空，以較小化所有背景氣體和潛在污染物的分壓。達到基本壓力后，包含等離子體的濺射氣體流入腔室，并使用壓力控制系統調節總壓力-通常在毫托范圍內。磁控濺射是在陰極靶的表面上方形成一個正交電磁場。貴州射頻磁控濺射鍍膜

磁控濺射是物理中氣相沉積的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。上世紀70年代發展起來的磁控濺射法更是實現了高速、低溫、低損傷。因為是在低氣壓下進行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經歷復雜的散射過程，和靶原子碰撞，把部分動量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級聯過程。在這種級聯過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量，離開靶被濺射出來。北京單靶磁控濺射設備這提高了薄膜工藝的效率，使它們能夠在較低的壓力下更快地生長。

物相沉積技術是指在真空條件下采用物理方法將材料源表面氣化成氣態原子或分子，或部分電離成離子，并通過低壓氣體過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術，物相沉積是主要的表面處理技術之一。PVD鍍膜技術主要分為三類：真空蒸發鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。物相沉積的主要方法有：真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍膜、離子鍍膜和分子束外延等。相應的真空鍍膜設備包括真空蒸發鍍膜機、真空濺射鍍膜機和真空離子鍍膜機。隨著沉積方法和技術的提升，物相沉積技術不只可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導體、聚合物膜等。物相沉積技術早在20世紀初已有些應用，但30年迅速發展成為一門極具廣闊應用前景的新技術，并向著環保型、清潔型趨勢發展。在鐘表行業，尤其是高級手表金屬外觀件的表面處理方面達到越來越為普遍的應用。

磁控濺射的工藝研究：1、功率：每一個陰極都具有自己的電源。根據陰極的尺寸和系統設計，功率可以在0~150KW之間變化。電源是一個恒流源。在功率控制模式下，功率固定同時監控電壓，通過改變輸出電流來維持恒定的功率。在電流控制模式下，固定并監控輸出電流，這時可以調節電壓。施加的功率越高，沉積速率就越大。2、速度：另一個變量是速度。對于單端鍍膜機，鍍膜區的傳動速度可以在每分鐘0~600英寸之間選擇。對于雙端鍍膜機，鍍膜區的傳動速度可以在每分鐘0~200英寸之間選擇。在給定的濺射速率下，傳動速度越低則表示沉積的膜層越厚。3、氣體：較后一個變量是氣體，可以在三種氣體中選擇兩種作為主氣體和輔氣體來進行使用。真空磁控濺射鍍膜技術所鍍玻璃多用于建筑玻璃和汽車玻璃這兩大用處。

磁控濺射的原理：靶材背面加上強磁體，形成磁場。在正負電極間施以高的電壓產生等離子體，使氬氣發生輝光放電。等離子體中的電子在相互垂直的電場和磁場的共同作用下做螺旋式運動，飛向正電極，在運動過程中與氬氣原子發生碰撞，產生Ar離子和電子，帶負電的電子又在相互垂直的電場和磁場的共同作用下向正電級做螺旋式運動，電子再次與氬氣原子發生碰撞，隨著碰撞次數的增大，電子的能量逐漸降低，較后落在襯底上，這就使得高速電子對襯底轟擊產生的溫升大幅度降低。Ar離子向負極加速運動，與靶材發生碰撞。能量適當的Ar離子離子轟擊靶材后使得靶材原子脫離靶材表面，較后沉積在襯底上形成薄膜。真空磁控濺射鍍膜這種工藝可以沉積任何氧化物、碳化物以及氮化物材料的薄膜。四川高溫磁控濺射儀器

磁控濺射的特點是成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實現大面積鍍膜。貴州射頻磁控濺射鍍膜

真空磁控濺射技術是指一種利用陰極表面配合的磁場形成電子陷阱，使在E×B的作用下電子緊貼陰極表面飄移。設置一個與靶面電場正交的磁場，濺射時產生的快電子在正交的電磁場中作近似擺線運動，增加了電子行程，提高了氣體的離化率，同時高能量粒子與氣體碰撞后失去能量，基體溫度較低，在不耐溫材料上可以完成鍍膜。這種技術是玻璃膜技術中的較優先技術，是由航天工業、兵器工業、和核工業三個方面相結合的優先技術的民用化，民用主要是通過這種技術達到節能、環保等作用。貴州射頻磁控濺射鍍膜

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