深圳多功能磁控濺射實驗室

特殊濺射沉積技術：反應濺射參數與生成物性能的關系：在純Ar狀態下濺射沉積的時純鋁膜，當氮氣被引入真空室后，靶面發生變化，隨氮氣的量不斷上升，填充因子下降，膜內AlN含量上升，膜的介質性提高，方塊電阻增加，當氮氣達到某一值時，沉積膜就是純的AlN。同時電流不變的條件下，電壓下降，沉積速率降低。根據膜的導電性的高低可定性的將反應濺射過程分為兩種模式--金屬模式和化合物模式，介乎兩者之間是過渡區。一般認為膜的方塊電阻在1000之下是金屬模式，大于幾M為化合物模式。由于反應氣體量的增加，靶面上會形成一層化合物，薄膜成分變化的同時沉積速率下降當氣體量按原來增加量減少時，放電曲線及沉積速率都出現滯后現象。射頻磁控濺射，又稱射頻磁控濺射，是一種制備薄膜的工藝，特別是在使用非導電材料時。深圳多功能磁控濺射實驗室

在各種濺射鍍膜技術中，磁控濺射技術是較重要的技術之一，為了制備大面積均勻且批量一致好的薄膜，釆用優化靶基距、改變基片運動方式、實行膜厚監控等措施。多工位磁控濺射鍍膜儀器由于其速度比可調以及同時制作多個基片，效率大幅度提高，被越來越多的重視和使用。在實際鍍膜中，有時靶材料是不宜中間開孔的，而且對于磁控濺射系統，所以在實際生產中通過改變靶形狀來改善膜厚均勻性的方法是行不通的。因此找到一種能改善膜厚均勻性并且可行的方法是非常有必要且具有重要意義的。深圳智能磁控濺射空磁控濺射技術是指一種利用陰極表面配合的磁場形成電子陷阱，使E×B的作用下電子緊貼陰極表面飄移。

磁控濺射的優點：1、沉積速度快、基材溫升低、對膜層的損傷小；2、對于大部分材料，只要能制成靶材，就可以實現濺射；3、濺射所獲得的薄膜與基片結合較好；4、濺射所獲得的薄膜純度高、致密度好、成膜均勻性好；5、濺射工藝可重復性好，可以在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜；6、能夠控制鍍層的厚度，同時可通過改變參數條件控制組成薄膜的顆粒大小；7、不同的金屬、合金、氧化物能夠進行混合，同時濺射于基材上；8、易于實現工業化。

磁控濺射靶材的應用領域：眾所周知，靶材材料的技術發展趨勢與下游應用產業的薄膜技術發展趨勢息息相關，隨著應用產業在薄膜產品或元件上的技術改進，靶材技術也應隨之變化。如Ic制造商．近段時間致力于低電阻率銅布線的開發，預計未來幾年將大幅度取代原來的鋁膜，這樣銅靶及其所需阻擋層靶材的開發將刻不容緩。另外，近年來平面顯示器大幅度取代原以陰極射線管為主的電腦顯示器及電視機市場。亦將大幅增加ITO靶材的技術與市場需求。此外在存儲技術方面。高密度、大容量硬盤，高密度的可擦寫光盤的需求持續增加．這些均導致應用產業對靶材的需求發生變化。下面我們將分別介紹靶材的主要應用領域，以及這些領域靶材發展的趨勢。磁控濺射是物相沉積的一種。

磁控濺射的工藝研究：1、磁場：用來捕獲二次電子的磁場必須在整個靶面上保持一致，而且磁場強度應當合適。磁場不均勻就會產生不均勻的膜層。磁場強度如果不適當，那么即使磁場強度一致也會導致膜層沉積速率低下，而且可能在螺栓頭處發生濺射。這就會使膜層受到污染。如果磁場強度過高，可能在開始的時候沉積速率會非常高，但是由于刻蝕區的關系，這個速率會迅速下降到一個非常低的水平。同樣，這個刻蝕區也會造成靶的利用率比較低。2、可變參數：在濺射過程中，通過改變改變這些參數可以進行工藝的動態控制。這些可變參數包括:功率、速度、氣體的種類和壓強。濺射可連續工作，鍍膜過程容易自動控制，工業上流水線作業。深圳智能磁控濺射

磁控濺射鍍膜的適用范圍：在鋁合金制品裝飾中的應用。深圳多功能磁控濺射實驗室

磁控濺射技術不只是科學研究和精密電子制造中常用的薄膜制備工藝技術，經過多年的不斷完善和發展，該技術也已經成為重要的工業化大面積真空鍍膜技術之一，普遍應用于玻璃、汽車、醫療衛生、電子工業等工業和民生領域。例如，采用磁控濺射工藝生產鍍膜玻璃，其膜層可以由多層金屬或金屬氧化物祖成，允許任意調節能量通過率、反射率，具有良好的美觀效果，被越來越多的被應用于現代建筑領域。再比如，磁控濺射技術也能夠應用于織物涂層，這些織物涂層可以應用于安全領域，如防電擊、電磁屏蔽和機器人防護面料等，也可用于染料制作。這樣的涂層織物在醫療衛生、環境保護、電子工業等領域都有重要的應用。深圳多功能磁控濺射實驗室

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