圖10示出了根據本公開的實施例的使用亞波長結構的元分子的示例。圖11是示出根據本文公開的某些實施例的從用在光投影儀系統中的光源發射輻射的方法的流程圖。盡管將參考說明性實施例繼續下面的詳細描述，但是根據本公開，很多替代、修改、和變形將是明顯的。具體實施方式用在結構化光投影儀中的激光源包括襯底、襯底上的一個或多個***vcsel、以及襯底上的一個或多個第二vcsel。一個或多個***vcsel各自具有***孔徑寬度并且各自單獨地在襯底的表面上延伸。一個或多個第二vcsel各自具有不同于***孔徑寬度的第二孔徑寬度并且各自單獨地在襯底的表面上延伸。根據一些實施例，可以使用光刻技術對***vcsel和第二vcsel進行圖案化。使用具有不同孔徑寬度的vcsel的陣列提供了具有不同波長的發射輻射，從而提供了不同的斑點圖案。當在檢測器上被接收時不同的斑點圖案被平均，此時斑點噪聲減小。vcsel還可以包括多個亞波長結構以操控光輸出。這種亞波長結構還可以用在包括標準vcsel在內的其他vcsel的表面上。在任意這些情況中，激光源可以與圖像傳感器結合在一起，以提供光投影儀系統。總體概述如上所述，仍然有與結構化光照明(sli)相關聯的很多未解決的問題。更具體地。球面菲涅爾透鏡常見問題有哪些？紅外透鏡材料
菲涅爾透鏡應用在投影系統中的優勢就是，通過聚焦或調整光線準直從而增加增體顯示亮度，如果取消準直鏡，光線在穿過面板時會大量損失，顯示中會出現明顯的熱斑效應，降低顯示屏幕四周亮度。同樣，在LCD屏幕的另一面我們也必須將光線從面板上集中到投影透鏡中。在觀看屏幕前使用菲涅爾透鏡所增加的亮度，在下圖中看光線分布。比較常用的是以下幾個方面的應用：菲涅爾透鏡被證明比較好應用就是在投影系統中，其作用就是準直光線和聚焦光線。菲涅爾透鏡將光源發出的束光源調整為平行光，顯著提高顯示面板四周亮度，消除了太陽斑效應，從而提高整體顯示亮度均勻性。通常菲涅爾透鏡與其他顯示元件（如柱面鏡）一起使用。河北人體紅外透鏡設計投影用的菲涅爾透鏡批發廠家。
本申請大體涉及成像領域，具體地涉及高計算效率的結構化光成像系統。背景技術：創建3d圖像的一種途徑被稱為結構化光照明(sli)技術。在sli技術中，光圖案被投射到3d物體表面上。sli系統包括相機和投影儀(照明器)。3d物體被放置在與投影儀和相機相距預定距離的參考平面上。在使用中，投影儀將結構化光圖案投射到3d物體表面上。結構化光圖案可以是一系列條紋線或網格或任何其他圖案。當結構化光圖案被投射到3d物體表面上時，其被3d物體表面扭曲。相機捕捉在結構化光圖案中具有的扭曲的3d物體表面的圖像。然后，圖像被存儲在圖像文件中，以供圖像處理設備處理。在一些情況下，多個結構化光圖案被投影儀(照明器)投射到3d物體表面上，并且具有結構化光圖案的3d物體的多個圖像被相機捕捉。在圖像文件的處理期間，對結構化光圖案中的扭曲進行分析，并且執行計算以確定3d物體表面上的各個點相對于參考表面的參考測量結果。這種圖像處理使用標準測距或三角測量方法。相機和投影圖案之間的三角測量角導致與表面的深度直接相關的扭曲。一旦這些測距技術被用來確定3d物體表面上的多個點的位置，則3d物體的3d數據表示即可被創建。3d物體的數字再造在包括圖像識別(例如。
亞波長結構包括用作諧振光學天線的比光波長更小的表面結構的密集布置。光表面結構交互的諧振性質提供了操縱光學波振面的能力。根據另一實施例，激光源包括襯底、vcsel結構、以及多個亞波長結構。vcsel結構被布置在襯底的表面上，并且在襯底的表面上方延伸。多個亞波長結構被布置在vcsel結構的頂層。多個亞波長結構中的一個或多個亞波長結構包括芯材和放置在芯材的一個或多個表面上的殼材。注意，如根據本公開將明白的，亞波長結構可以結合本文中根據一些實施例提供的vcsel結構或者根據其他實施例的任何其他vcsel結構使用。vcsel陣列架構圖1示出了根據本公開的實施例的用于創建物體104的3d圖像的示例光投影儀系統102。物體104可以是放置在與光投影儀系統102相距給定距離處的任意尺寸或形狀的物體。光投影儀系統102被設計為向物體104發射輻射106并接收反射輻射108，以生成物體104的3d圖像或模型。將參考圖2進一步詳細論述光投影儀系統102的示例組件。發射的輻射106在物體104的一個或多個表面上形成光圖案110。光圖案110可以是網格(如圖1所示)或者可以具有任何其他預定圖案。來自光圖案110的反射輻射108被用來確定橫跨物體104的各個點的深度。太陽能聚光菲涅爾透鏡哪里好。
圖3示出了根據實施例的光源202或者光源202的至少一部分的自頂向下的視圖。光源202包括襯底302，該襯底具有布置在襯底302的表面上的多個vcsel結構304。在一些實施例中，襯底302可以是：包括第iv族半導體材料(例如，si、ge、sige)、第iii-v族半導體材料(例如，gaas、gaassb、gaasin)、和/或根據本公開將明白的任何一種或多種其他適當材料的大塊襯底；絕緣體上的x(xoi)結構，其中，x是前述材料(例如，第iv和/或iii-v族半導體材料)之一，絕緣體材料是氧化物材料或介電材料或者一些其他電絕緣材料，從而xoi結構包括兩個半導體層之間的電絕緣材料層；或者一些其他適當的多層結構，其中，頂層包括前述半導體材料(例如，第iv和/或iii-v族半導體材料)之一。這里使用的“第iv族半導體材料”(或“第iv族材料”或統稱“iv”)在包括至少一種第iv族元素(例如，硅、鍺、碳、錫)，例如，硅(si)、鍺(ge)、硅鍺(sige)等。這里使用的“第iii-v族半導體材料”(或“第iii-v族材料”或統稱“ii-v”)包括至少一種第iii族元素(例如，鋁、鎵、銦)和至少一種第v族元素(例如，氮、磷、砷、銻、鉍)，例如，砷化鎵(gaas)、砷化鎵銦(ingaas)、砷化鋁銦(inalas)、磷化鎵(gap)、銻化鎵(gasb)、磷化銦。菲涅爾透鏡生產廠家訂制價格。遼寧制造紅外透鏡價位
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每個亞波長結構具有大約λ/2的厚度，其中，λ是該vcsel結構的峰值輸出波長。示例30包括示例23至29中任一項的主題，還包括在襯底的表面上的多個vcsel結構，其中，多個vcsel結構中的每個vcsel結構包括多個亞波長結構。示例31包括示例23至30中任一項的主題，其中，多個亞波長結構包括具有基部和頂部的至少一個亞波長結構，其中，基部比頂部寬。示例32包括示例23至31中任一項的主題，其中，多個亞波長結構包括具有基部和頂部的至少一個亞波長結構，其中，基部比頂部窄。示例33是一種布置在光學設備上的亞波長結構。該亞波長結構包括芯材和在芯材的一個或多個表面上的殼材。芯材具有***折射率并且具有比光源的峰值輸出波長小的尺寸。殼材具有大于***折射率的第二折射率。示例34包括示例33的主題，其中，芯材是圓柱狀結構。示例35包括示例34的主題，其中，芯材和殼材具有在λ/10到λ/5之間的直徑，其中，λ是光源的峰值輸出波長。示例36包括示例33至35中任一項的主題，其中，殼材具有小于5nm的厚度。示例37包括示例33至36中任一項的主題，其中，殼材包括氧化鈦，并且芯材包括氮化硅。示例38包括示例33至37中任一項的主題，其中，殼材*在芯材的側壁上。紅外透鏡材料
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