一個或多個vcsel結構具有頂層，并且激光源進一步包括在一個或多個vcsel結構中的至少一個vcsel結構的頂層上的多個亞波長結構。示例9包括示例8的主題，其中，一個或多個亞波長結構包括芯材和殼材，該殼材被放置在芯材的一個或多個表面上，該殼材具有比芯材高的折射率。示例10是一種光投影儀系統。該光投影儀系統包括：激光源，被配置為生成向物體發送的輻射；以及圖像傳感器，被配置為接收從物體反射的輻射。激光源包括襯底、一個或多個***vscel結構、以及一個或多個第二vcsel結構。一個或多個***vcsel結構在襯底的表面上，每個***vcsel結構具有***孔徑寬度并且單獨地在襯底的表面上方延伸。一個或多個第二vcsel結構在襯底表面上，每個第二vcsel結構具有不同于***孔徑寬度的第二孔徑寬度并且單獨地在襯底的表面上方延伸。示例11包括示例10的主題，其中，一個或多個***vcsel在襯底的表面上的***區域中，一個或多個第二vcsel在襯底的表面上的不同于***區域的第二區域中。示例12包括示例10或11的主題，其中，一個或多個***vcsel和一個或多個第二vcsel在襯底的表面上的偽隨機圖案中。示例13包括示例10至12中任一項的主題，其中。菲涅爾透鏡聚光技術規范。重慶人體紅外透鏡
深度確定電路208被配置為從檢測器206接收圖像獲取數據，并且基于參考平面確定橫跨物體表面上的多個點的一個或多個空間測量結果。可以基于投射到物體上的光圖案的扭曲計算得出這些測量結果。這種圖像處理可以使用本行業的公知技術，例如，標準測距或三角測量方法。在一些實施例中，光驅動器電路210被包括在光投影儀系統102中并且被配置為控制光源202的操作。因此，光驅動器電路210可以被配置為向光源202提供功率，更具體地控制應用于光源202的功率的占空比。在一些實施例中，深度確定電路208可以向源驅動器電路210提供信號，以改變光源202的操作方式。例如，如果深度確定電路208發現接收圖像太模糊而無法做出有意義的確定，則其可以向源驅動器電路210提供信號以增大光源202的功率輸出或占空比。可以提供處理器212以執行數字重建3d物體所需要的任何附加計算。處理器212可以是任何通用處理設備或微控制器，如根據本公開將明白的。在一些實施例中，處理器212被配置為將數字重建的3d物體存儲在存儲器(未示出)中。所存儲的數字3d物體可以用類型、位置、尺寸、或任何其他符合條件的因素進行索引。所存儲的3d數字物體可以被諸如圖像識別軟件之類的各種應用使用。四川人體紅外透鏡銷售菲涅爾透鏡結構怎么樣？
每個亞波長結構具有大約λ/2的厚度，其中，λ是該vcsel結構的峰值輸出波長。示例30包括示例23至29中任一項的主題，還包括在襯底的表面上的多個vcsel結構，其中，多個vcsel結構中的每個vcsel結構包括多個亞波長結構。示例31包括示例23至30中任一項的主題，其中，多個亞波長結構包括具有基部和頂部的至少一個亞波長結構，其中，基部比頂部寬。示例32包括示例23至31中任一項的主題，其中，多個亞波長結構包括具有基部和頂部的至少一個亞波長結構，其中，基部比頂部窄。示例33是一種布置在光學設備上的亞波長結構。該亞波長結構包括芯材和在芯材的一個或多個表面上的殼材。芯材具有***折射率并且具有比光源的峰值輸出波長小的尺寸。殼材具有大于***折射率的第二折射率。示例34包括示例33的主題，其中，芯材是圓柱狀結構。示例35包括示例34的主題，其中，芯材和殼材具有在λ/10到λ/5之間的直徑，其中，λ是光源的峰值輸出波長。示例36包括示例33至35中任一項的主題，其中，殼材具有小于5nm的厚度。示例37包括示例33至36中任一項的主題，其中，殼材包括氧化鈦，并且芯材包括氮化硅。示例38包括示例33至37中任一項的主題，其中，殼材*在芯材的側壁上。
圖3示出了根據實施例的光源202或者光源202的至少一部分的自頂向下的視圖。光源202包括襯底302，該襯底具有布置在襯底302的表面上的多個vcsel結構304。在一些實施例中，襯底302可以是：包括第iv族半導體材料(例如，si、ge、sige)、第iii-v族半導體材料(例如，gaas、gaassb、gaasin)、和/或根據本公開將明白的任何一種或多種其他適當材料的大塊襯底；絕緣體上的x(xoi)結構，其中，x是前述材料(例如，第iv和/或iii-v族半導體材料)之一，絕緣體材料是氧化物材料或介電材料或者一些其他電絕緣材料，從而xoi結構包括兩個半導體層之間的電絕緣材料層；或者一些其他適當的多層結構，其中，頂層包括前述半導體材料(例如，第iv和/或iii-v族半導體材料)之一。這里使用的“第iv族半導體材料”(或“第iv族材料”或統稱“iv”)在包括至少一種第iv族元素(例如，硅、鍺、碳、錫)，例如，硅(si)、鍺(ge)、硅鍺(sige)等。這里使用的“第iii-v族半導體材料”(或“第iii-v族材料”或統稱“ii-v”)包括至少一種第iii族元素(例如，鋁、鎵、銦)和至少一種第v族元素(例如，氮、磷、砷、銻、鉍)，例如，砷化鎵(gaas)、砷化鎵銦(ingaas)、砷化鋁銦(inalas)、磷化鎵(gap)、銻化鎵(gasb)、磷化銦。菲涅爾透鏡聚光原理技術指導。
適當的結構化光投影儀通常包括激光設備，該激光設備采用衍射圖案實現期望的結構化光圖案。一個示例激光設備是結合激光條紋使用的垂直腔面發射激光器(vcsel)。但是，存在與這種配置相關聯的局限。例如，使用激光條紋獲取精確的剖面信息的局限主要歸因于與激光相關聯的噪聲和采樣誤差，因為激光條紋的中心可能不是在相機的像素中心成像并且可能不是檢測到的強度峰值。當在圖像上定位激光條紋的中心時出現采樣誤差。存在嘗試從激光條紋提取相關信息的諸如，比較大強度、強度中心、高斯擬合、以及過零點之類的圖像處理技術。與這些技術中的若干技術相關聯的問題在于，其給出了比較高峰值的位置，但是該位置不是條紋的真實中心。與激光相關聯的噪聲主要采取激光斑點的形式，該激光斑點當從該部分的表面被反射出來時是激光的強度剖面的振蕩并且是由激光的相干導致的。可以使用對接收的圖像的數字后處理來補償激光斑點。但是，這會是計算密集的并且導致相對較高的功率消耗，并且進一步導致3d圖像的創建的延遲。因此，根據本公開的實施例，結構化光投影儀采用新型激光源設計，該激光源設計在相對于標準技術不增加計算負擔的條件下減少或基本消除了激光斑點。另外。菲涅爾透鏡的設計技術指導。廣東制造紅外透鏡材料
太陽能用菲涅爾透鏡大概價格多少？重慶人體紅外透鏡
用于***元原子1002和第二元原子1004二者的芯材和殼材可以包括如上針對芯材804和殼材806所述的材料，并且可以使用如上針對芯材804和殼材806所述的相同技術來制造。可以使用任意數目的具有任意形狀或大小的元原子來一起形成元分子。可以橫跨頂層802的表面重復具體的元分子結構，或者可以橫跨頂層802的表面布置不同的元分子結構。元分子允許不同的光學相互作用基于各個元原子的不同幾何形狀而組合在一起。方法圖11是示出根據本公開的實施例的用于降低來自激光源的斑點噪聲的示例方法1100的流程圖。可以看出，示例方法1100包括多個階段和子處理，這些階段和子處理的順序可以隨實施例改變。但是，當綜合考慮時，這些階段和子處理形成根據本文公開的某些實施例的用于降低來自激光源的斑點噪聲的處理。如上所述，可以例如，使用圖2所示的系統架構來實現這些實施例。但是，根據本公開將明白的是，在其他實施例中可以使用其他系統架構。因此，圖11所示的各種功能與圖2所示的具體組件的關聯不意在暗示任何結構和/或使用限制。相反，其他實施例可以包括例如不同程度的集成，其中，多個功能由一個系統有效地執行。根據本公開將明白多種變化和替代配置。如圖11所示，在一個實施例中。重慶人體紅外透鏡
深圳市芯華利實業有限公司公司是一家專門從事微波雷達感應模塊（傳感器，紅外人體感應模塊，菲涅爾鏡片，PIR透鏡，單面、雙面、多層PCB板產品的生產和銷售，是一家生產型企業，公司成立于2020-08-04，位于福城街道辦章閣社區誠基工業園A棟5樓。多年來為國內各行業用戶提供各種產品支持。公司主要經營微波雷達感應模塊（傳感器，紅外人體感應模塊，菲涅爾鏡片，PIR透鏡，單面、雙面、多層PCB板等產品，產品質量可靠，均通過電子元器件行業檢測，嚴格按照行業標準執行。目前產品已經應用與全國30多個省、市、自治區。深圳市芯華利實業有限公司研發團隊不斷緊跟微波雷達感應模塊（傳感器，紅外人體感應模塊，菲涅爾鏡片，PIR透鏡，單面、雙面、多層PCB板行業發展趨勢，研發與改進新的產品，從而保證公司在新技術研發方面不斷提升，確保公司產品符合行業標準和要求。微波雷達感應模塊（傳感器，紅外人體感應模塊，菲涅爾鏡片，PIR透鏡，單面、雙面、多層PCB板產品滿足客戶多方面的使用要求，讓客戶買的放心，用的稱心，產品定位以經濟實用為重心，公司真誠期待與您合作，相信有了您的支持我們會以昂揚的姿態不斷前進、進步。