珠海曲面菲涅爾透鏡

菲涅爾透鏡從設計上劃分為兩類。正菲涅爾透鏡：光線從一側進入，經過菲涅爾透鏡在另一側出來聚焦成一點或以平行光射出。焦點在光線的另一側，并且是有限共軛。這類透鏡通常設計為準直鏡（如投影用菲涅爾透鏡，放大鏡）以及聚光鏡（如太陽能用聚光聚熱用菲涅爾透鏡。負菲涅爾透鏡：和正焦菲涅爾透鏡剛好相反，焦點和光線在同一側，通常在其表面進行涂層，作為第1反射面使用。菲涅爾透鏡從結構上劃分圓形菲涅爾透鏡，菲涅爾透鏡陣列，柱狀菲涅爾透鏡，線性菲涅爾透鏡，衍射菲涅爾透鏡，菲涅爾反射透鏡，菲涅爾光束分離器和菲涅爾棱鏡。菲涅爾透鏡投影儀生產廠家電話多少？珠海曲面菲涅爾透鏡

用于***元原子1002和第二元原子1004二者的芯材和殼材可以包括如上針對芯材804和殼材806所述的材料，并且可以使用如上針對芯材804和殼材806所述的相同技術來制造。可以使用任意數目的具有任意形狀或大小的元原子來一起形成元分子。可以橫跨頂層802的表面重復具體的元分子結構，或者可以橫跨頂層802的表面布置不同的元分子結構。元分子允許不同的光學相互作用基于各個元原子的不同幾何形狀而組合在一起。方法圖11是示出根據本公開的實施例的用于降低來自激光源的斑點噪聲的示例方法1100的流程圖。可以看出，示例方法1100包括多個階段和子處理，這些階段和子處理的順序可以隨實施例改變。但是，當綜合考慮時，這些階段和子處理形成根據本文公開的某些實施例的用于降低來自激光源的斑點噪聲的處理。如上所述，可以例如，使用圖2所示的系統架構來實現這些實施例。但是，根據本公開將明白的是，在其他實施例中可以使用其他系統架構。因此，圖11所示的各種功能與圖2所示的具體組件的關聯不意在暗示任何結構和/或使用限制。相反，其他實施例可以包括例如不同程度的集成，其中，多個功能由一個系統有效地執行。根據本公開將明白多種變化和替代配置。如圖11所示，在一個實施例中。江門菲涅爾透鏡圖片菲涅爾透鏡的作用是什么？

一個或多個***vcsel和一個或多個第二vcsel被配置為發射紅外輻射。示例14包括示例10至13中任一項的主題，其中，一個或多個***vcsel中的每個***vcsel被配置為發射具有兩個或更多個橫向模式的輻射。示例15包括示例14的主題，其中，一個或多個第二vcsel中的每個第二vcsel被配置為發射具有單個橫向模式的輻射。示例16包括示例10至15中任一項的主題，其中，激光源還包括在襯底的表面上的一個或多個第三垂直腔面發射激光器(vcsel)結構，每個第三vcsel結構具有不同于***孔徑寬度和第二孔徑寬度的第三孔徑寬度并且單獨地在襯底的表面上方延伸。示例17包括一種降低來自激光源的斑點噪聲的方法。該方法包括：從布置在襯底上的一個或多個***vcsel結構發射具有***波長的輻射；以及從布置在襯底上的一個或多個第二vcsel結構發射具有第二波長的輻射，其中，第二波長不同于***波長。具有***波長的輻射包括***數目的橫向模式，具有第二波長的輻射包括第二數目的橫向模式，第二數目的橫向模式不同于***數目的橫向模式。示例18包括示例17的主題，其中，發射具有***波長的輻射包括發射紅外輻射，并且其中，發射具有第二波長的輻射包括發射紅外輻射。示例19包括示例17或18的主題，其中。

圖3示出了根據實施例的光源202或者光源202的至少一部分的自頂向下的視圖。光源202包括襯底302，該襯底具有布置在襯底302的表面上的多個vcsel結構304。在一些實施例中，襯底302可以是：包括第iv族半導體材料(例如，si、ge、sige)、第iii-v族半導體材料(例如，gaas、gaassb、gaasin)、和/或根據本公開將明白的任何一種或多種其他適當材料的大塊襯底；絕緣體上的x(xoi)結構，其中，x是前述材料(例如，第iv和/或iii-v族半導體材料)之一，絕緣體材料是氧化物材料或介電材料或者一些其他電絕緣材料，從而xoi結構包括兩個半導體層之間的電絕緣材料層；或者一些其他適當的多層結構，其中，頂層包括前述半導體材料(例如，第iv和/或iii-v族半導體材料)之一。這里使用的“第iv族半導體材料”(或“第iv族材料”或統稱“iv”)在包括至少一種第iv族元素(例如，硅、鍺、碳、錫)，例如，硅(si)、鍺(ge)、硅鍺(sige)等。這里使用的“第iii-v族半導體材料”(或“第iii-v族材料”或統稱“ii-v”)包括至少一種第iii族元素(例如，鋁、鎵、銦)和至少一種第v族元素(例如，氮、磷、砷、銻、鉍)，例如，砷化鎵(gaas)、砷化鎵銦(ingaas)、砷化鋁銦(inalas)、磷化鎵(gap)、銻化鎵(gasb)、磷化銦。菲涅爾透鏡賣家廠家供應。

并且可以在z方向上具有大約500μm到2mm之間的任意厚度。于在***多個vcsel402和第二多個vcsel404內可以存在任意數目的vcsel結構。應該注意的是，所示出的尺寸不是按比例畫出的，*出于清楚的目的而提供的。例如，襯底302被示出為具有類似于vcsel402或404中的每個vcsel的厚度的厚度(z軸方向上的尺寸)。但是，襯底302可以比其他層更厚，例如，具有50μm到950μm的厚度或者任何其他適當厚度，如根據本公開將明白的。根據實施例，***多個vcsel402中的每個vcsel的孔徑寬度(d1，類似于直徑)不同于第二多個vcsel404中的每個vcsel的孔徑寬度(d2)。通過改變孔徑寬度，橫向激光模式的數目也隨著主導的橫向激光模式的峰值波長一起改變。換言之，具有相同孔徑寬度的每組vcsel產生它們自己的斑點圖案，因為斑點圖案取決于照明光的波長。在圖4所示的示例中，***多個vcsel402將產生***斑點圖案，而第二多個vcsel404將產生不同的第二斑點圖案。斑點減少基于對檢測器的空間和時間分辨率內的n個**斑點配置進行平均。例如，在所有n個**斑點配置具有相等的平均強度的情況下，斑點噪聲被減少因子由于斑點圖案取決于照明光的波長，所以在由該表面創建的平均相對相移≥2π的情況下。菲涅爾透鏡淘寶常見問題有哪些？深圳后菲涅爾透鏡

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殼材806可以具有小于10nm、小于5nm、小于1nm的厚度或單層原子。圖9a至9c示出了根據一些實施例的圖案化在vcsel結構的頂層802上的元原子的不同示例。圖9a示出了***元結構902，其中，殼材806圍繞用于每個元原子的芯材804，但是不覆蓋頂層802在每個元原子之間的區域。在蝕刻工藝期間，使用例如光刻膠或硬掩模來保護殼材806的圍繞芯材804的部分，以移除殼材806在頂層802的表面上的暴露部分。圖9b示出了第二元結構904，其中，殼材906共形地覆蓋包括芯材804的所有表面和頂層802的表面。圖9c示出了第三元結構906，其中，殼材806*覆蓋芯材804的一個或多個側壁。在沉積殼材806后，可以執行包層各向異性干法蝕刻工藝，以移除殼材806的所有水平平面部分，*留下芯材804的側壁上的那些部分。圖10示出了根據實施例的包括不止一種類型的元原子的元結構1000(這里稱為“元分子(metamolecule)”)的另一示例。根據實施例，***元原子1002包括具有基部1006和頂部1008的芯材。基部1006可以比頂部1008更寬或更窄。第二元原子1004包括芯材1010，并且***元原子1002和第二元原子1004二者被殼材1012環繞。珠海曲面菲涅爾透鏡

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