正高談智能晶閘管模塊在電氣控制中的應用晶閘管模塊,出現在1957年,而后隨著半導體技術及其應用技術的不斷發展,使晶閘管模塊在電氣控制領域中發揮了很大的作用,但是,過去人們只能以分立器件的形式把晶閘管用在各種電氣控制裝置中,由分立器件組成的電路復雜、體積大,安裝調試麻煩,可靠性也較差。但是淄博正高電氣生產的智能晶閘管模塊從根本上解決了上述問題,下面一起來看看。智能晶閘管模塊就是將晶閘管模塊主電路與移相觸發電路以及具有控制功能的電路封裝在同一外殼內的新型模塊。智能晶閘管模塊的移相觸發電路為全數字電路,功能電路由單片機完成,并且內置有多路電流、電壓、溫度傳感器,通過模塊上的接插件可將各種控制線引到鍵盤,進行各種功能和電氣參數設定,并可進行LED或LCD顯示。模塊的每支芯片的電流已達1000A,電壓達1600~2200V,智能晶閘管模塊實際上已是一個準電力電子裝置,不論在體積、容量、功能、智能化程度以及可靠性等方面與傳統裝置相比都有很大優勢,且安裝、使用特別方便。毫無疑問,有了這種模塊,今后將會使配電系統內的各種電氣控制發生重大變化。智能晶閘管模塊一般由電力晶閘管,移相觸發器,軟件控制的單片機。淄博正高電氣有著優良的服務質量和極高的信用等級。菏澤雙向晶閘管調壓模塊分類
可控硅模塊的類型有很多種,比如:單向可控硅模塊、雙向可控硅模塊等等,可控硅模塊控制器是講可控硅做為基礎,它的工作效率很高,相應速度也很快,無噪音,它是一種以智能數字控制電路做的電源功率控制電器,它有什么特點?下面看正高來講解。①可控硅模塊控制器里面集成了75度超溫保護報警設備,還有三相不平衡報警。②使用規范的MODBUSRTU通訊當做標配,應用阻燃型ABS外殼,更加的不易發生危險。③可控硅模塊控制器里面應用,可以限流,另外還使用50和60赫茲切換設備,更具有應用價值。④里面使用12位AD轉換器,做到了比較精細的調節。⑤可控硅模塊控制器里面使用了**用級精密的電壓傳感器,能夠做到過壓和限壓的保護,同時使用調壓、調功和整流一體化的工藝,還擁有恒流控制、恒壓控制以及恒功率控制。以上就是可控硅模塊控制器的特點,它的優點很多,應用價值很大,效率高。菏澤雙向晶閘管調壓模塊分類淄博正高電氣運用高科技,不斷創新為企業經營發展的宗旨。
可控硅模塊的發展及應用可控硅模塊簡稱可控硅,又名晶閘管,通常被稱之為功率半導體模塊,可控硅模塊的優點顯而易見,體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝。下面來看看可控硅模塊的發展和應用。可控硅模塊在電路中能夠實現交流電的無觸點控制,以小電流控制大電流,并且不象繼電器那樣控制時有火花產生,且動作快、壽命長、可靠性好。在調速、調光、調壓、調溫以及其他各種控制電路中都有可控硅的身影。可控硅模塊分為單向可控硅和雙向可控硅,符號也不同。單向可控硅模塊有三個PN結,由外層的P極和N極引出兩個電極,它們分別稱為陽極和陰極,由中間的P極引出一個控制極。單向可控硅模塊有其獨特的特性:當陽極接反向電壓,或者陽極接正向電壓但控制極不加電壓時,它都不導通,而陽極和控制極同時接正向電壓時,它就會變成導通狀態。一旦導通,控制電壓便失去了對它的控制作用,不論有沒有控制電壓,也不論控制電壓的極性如何,將一直處于導通狀態。要想關斷,只有把陽極電壓降低到某一臨界值或者反向。雙向可控硅模塊的引腳多數是按T1、T2、G的順序從左至右排列(電極引腳向下,面對有字符的一面時)。
一般情況下陰極表面或芯片邊緣有一燒損的小黑點說明是由于電壓引起的,由電壓引起燒壞晶閘管模塊的原因有兩中可能,一是晶閘管模塊電壓失效,就是我們常說的降伏,電壓失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是線路問題,線路中產生了過電壓,且對晶閘管模塊所采取的保護措施失效。電流燒壞晶閘管模塊通常是陰極表面有較大的燒損痕跡,甚至將芯片、管殼等金屬大面積溶化。由di/dt所引起的燒壞晶閘管模塊的現象較容易判斷,一般部是門極或放大門極附近燒成一小黑點。我們知道晶閘管模塊的等效電路是由兩只可控硅構成,門極所對應的可控硅做觸發用,目的是當觸發信號到來時將其放大,然后盡快的將主可控硅導通,然而在短時間內如果電流過大,主可控硅還沒有完全導通,大的電流主要通過相當于門極的可控硅流過,而此可控硅的承載電流的能力是很小的,所以造成此可控硅燒壞,表面看就是門極或放大門極附近燒成一小黑點。至于dv/dt其本身是不會燒壞晶閘管模塊的,只是高的dv/dt會使晶閘管模塊誤觸發導通,其表面現象跟電流燒壞的現象差不多。淄博正高電氣迎接挑戰,推陳出新,與廣大客戶攜手并進,共創輝煌!
加在控制極G上的觸發脈沖的大小或時間改變時,就能改變其導通電流的大小。雙向可控硅模塊與單向可控硅模塊的區別是,雙向可控硅G極上觸發脈沖的極性改變時,其導通方向就隨著極性的變化而改變,從而能夠控制交流電負載。而單向可控硅經觸發后只能從陽極向陰極單方向導通,所以可控硅有單雙向之分。雙向可控硅模塊按象限來分,又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按封裝分,分為一般半塑封裝、外絕緣式全塑封裝;按觸發電流來分,分為微觸型、高靈敏度型、標準觸發型;按電壓分,常規電壓品種、高壓品種。可控硅模塊由于它在電路應用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優點,自上個世紀六十長代以來,獲得了迅猛發展,并已形成了一門單獨的學科。可控硅模塊發展到現在,在工藝上已經非常成熟,品質更好,成品率大幅提高,并向高壓大電流發展。可控硅模塊在應用電路中的作用體現在:可控整流:如同二極管整流一樣,將交流整流為直流,并且在交流電壓不變的情況下,有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流,實現交流→可變直流之轉變;無觸點功率靜態開關(固態開關):作為功率開關元件。可控硅模塊可以代替接觸器、繼電器用于開關頻率很高的場合。淄博正高電氣材料竭誠為您服務,期待與您的合作!菏澤雙向晶閘管調壓模塊分類
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可控硅智能調壓模塊安裝的步驟可控硅智能調壓模塊的在電氣行業中的應用非常廣,它的優勢也有很多,在使用的過程中我們要注意安裝、使用、和維護,下面正高就來說說可控硅智能調壓模塊的安裝步驟是什么?1、安裝方式:可控硅智能調壓模塊壁掛式垂直安裝,電源為上進下出。接線時各銅端子上要雜物,擰緊螺釘,否則會造成端子發熱而導致損壞。2、可控硅智能調壓模塊的三相交流電路的進線R、S、T無相序要求,導線粗細按實際使用電流選擇。3、“L”和“N”線只為可控硅智能調壓模塊內部控制電源用,用1平方細導線即可,與各輸入控制端之間為全隔離絕緣設計。“L”端可接到任一路相線上,“N”端必須接三相零線。“L”和“N”不能調換。4、U、V、W輸出端可接380Vac△形負載或者220VacY形負載(無須接N線)。5、若可控硅智能調壓模塊的三相負載平衡,負載中心零線可接可不接。若三相負載不平衡,負載中心零線必須接,否則將導致輸出電壓有偏差。6、過流保護:在使用過程中若發生過流現象,應首先檢查負載有無短路等故障。可在可控硅模塊的進線R、S、T端之前安裝快速熔斷器,規格可按實際負載電流的。以上就是可控硅智能調壓模塊的安裝步驟,希望對您有所幫助。菏澤雙向晶閘管調壓模塊分類