青島整流可控硅調壓模塊

可控硅的參數有：1、額定通態均勻電流IT正在必然條件下，陽極---陰極間能夠持續通過的50赫茲正弦半波電流的均勻值。2、正向阻斷峰值電壓VPF正在控造極開路未加觸發，陽極正向電壓還未超越導能電壓時，能夠反復加正在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅接受的正向電壓峰值，不克不及超越手冊給出的那個參數值。3、反向阻斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷形態時，能夠反復加正在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不克不及超越手冊給出的那個參數值。4、觸發電壓VGT正在劃定的環境溫度下，陽極---陰極間加有必然電壓時，可控硅從關斷形態轉為導通形態所需要的小控造極電流和電壓。水管以回轉方式固定敷設在金屬板殼的內側，進水口和出水口分別從隔斷龍骨上的兩個穿管孔穿到金屬板殼的藏管區，然后分別從金屬板殼的穿管孔穿出金屬板殼的保溫板區內填充發泡類保溫材料，將水管固定在金屬板殼的內側，并且將金屬板殼、水管和鋁箔紙粘結成為一個整體5、維持電流IH正在劃定溫度下，控造極斷路，維持可控硅導通所必須的小陽極正向電流。很多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，能夠用正或負的觸發控造兩個標的目的導通的雙向可控硅。淄博正高電氣始終以適應和促進工業發展為宗旨。青島整流可控硅調壓模塊

雙向可控硅MAC97A6的電路應用MAC97A6為小功率雙向可控硅（雙向晶閘管），多應用于電風扇速度控制或電燈的亮度控制，市場上流行的“電腦風扇”或“電子程控風扇”，不外乎是用集成電路控制器與老式風扇相結合的新一代產品。這里介紹的電路就是利用一塊市售的所用集成電路RY901及MAC97A6，將普通電扇改裝為具有多功能的電扇，很適宜無線電愛好者制作與改裝。這種新型IC的主要特點是：（1）集開關、定時、調速、模擬自然風為一體，外面圍元件少、電路簡單、易于制作；（2）省掉了體積較大的機械定時器和調速器，采用輕觸式開關和電腦控制脈沖觸發，因而無機械磨損，使用壽命長。（3）各種動作電腦程序具備相應的發光管指示，耗電量少，體積小，重量輕，顯示直觀，便于操作；（4）適合開發或改造成多路家電的定時控制等。RY901采用雙列直插式16腳塑封結構，為低功耗CMOS集成電路。其外形、引出腳排列及各腳功能如圖1所示。在剛接通電源時，電腦控制器暫處于復位（靜止）狀態，面板上所有發光二極管VD1－VD8均不亮，電風扇不轉。用以控制它的導通與截止，再經電抗器L進行阻抗變換，即可按強風、中風、弱風、強風……的順序來改變其工作狀態，并且風速指示管VD1－VD3。煙臺整流可控硅調壓模塊淄博正高電氣銳意進取，持續創新為各行各業提供專業化服務。

用指針式萬用表電阻檔測量可控硅陽極和陰極之間是否短路，一般情況下雙向可控硅陽極和陰極之間的電阻在數十千歐以上，如用萬用表測量時已短路或電阻已小于10千歐以下，可判斷可控硅已擊穿損壞。2.用萬用表分別測量雙向可控硅觸發極與陰極之間的電阻值，一般再幾歐至百十歐以內的正常，觸發極與陽極之間的電阻值，一般再十千歐以上為正常。晶閘管(可控硅)要導通，必須滿足以下條件：雙向晶閘管導通條件：一是晶閘管(可控硅)陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備，晶閘管(可控硅)才會處于導通狀態。另外，晶閘管(可控硅)一旦導通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，晶閘管(可控硅)仍然導通。雙向晶閘管(可控硅)關斷條件：降低或去掉加在晶閘管(可控硅)陽極至陰極之間的正向電壓，使陽極電流小于小維持電流以下。

可控硅模塊的控制方法我們都知道，可控硅模塊在電子電氣行業中非常受歡迎，它是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，可控硅模塊的的應用范圍十分的廣大。可控硅模塊眾所周知，任何的設備只有正確操作才能發揮它應有的作用，可控硅模塊在使用的時候一定要進行有效的控制才能發揮良好的運行性能。下面，就讓正高的小編來給您講講控制可控硅模塊的有效方法。1可控硅模塊控制方法：經過輸入模塊控制接口一個可調的電壓或者電流信號，通過調整該信號的大小即可對模塊的輸出電壓大小進行平滑調節，實現模塊輸出電壓從0V至任一點或全部導通的過程，電壓或者是電流信號可取自各種控制儀表、計算機D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法；控制信號采用0-5V，0-10V，4-20mA三大類十分常見的控制方式。2可控硅模塊控制端口和控制線：模塊控制端接口有5腳、9腳以及15腳三大類，對應5芯、9芯以及15芯的控制線，使用電壓信號的產品只只使用前面五腳端口，別的是空腳，使用電流信號的9腳是信號輸入，控制線的屏蔽層銅線要焊接到直流電源地線上，連接的時候不能和別的端子短路，防止不可以正常工作或者是可能燒壞可控硅模塊。淄博正高電氣秉承團結、奮進、創新、務實的精神，誠實守信，厚德載物。

六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱通態平均電壓或通態壓降VT，是指在規定環境溫度和標準散熱條件下，當通過晶閘管的電流為額定電流時，其陽極A與陰極K之間電壓降的平均值，通常為。(七)晶閘管門極觸發電壓VGT門極觸發VGT，是指在規定的環境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值正向電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態轉變為導通狀態所需要的小門極直流電壓，一般為。(八)晶閘管門極觸發電流IGT門極觸發電流IGT，是指在規定環境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態轉變為導通狀態所需要的小門極直流電流。(九)晶閘管門極反向電壓門極反向電壓是指晶閘管門極上所加的額定電壓，一般不超過10V。(十)晶閘管維持電流IH維持電流IH是指維持晶閘管導通的小電流。當正向電流小于IH時，導通的晶閘管會自動關斷。(十一)晶閘管斷態重復峰值電流IDR斷態重復峰值電流IDR，是指晶閘管在斷態下的正向大平均漏電電流值，一般小于100μA(十二)晶閘管反向重復峰值電流IRRM反向重復峰值電流IRRM，是指晶閘管在關斷狀態下的反向大漏電電流值，一般小于100μA。我公司生產的產品、設備用途非常多。青島整流可控硅調壓模塊

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為何要晶閘管模塊兩端并聯阻容網絡？它的作用是什么呢？晶閘管模塊在電路中具有不可或缺的作用，您也許聽過晶閘管模塊的作用、優勢、應用范圍等等，您聽過晶閘管模塊兩端并聯阻容網絡的作用是什么嗎？接下來正高電氣就來為您介紹為何要晶閘管模塊兩端并聯阻容網絡？它的作用是什么呢？在實際晶閘管模塊電路中，常在其兩端并聯rc串聯網絡，該網絡常稱為rc阻容吸收電路。我們知道，晶閘管模塊有一個重要特性參數－斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管模塊在額定結溫和門極斷路條件下，使晶閘管模塊從斷態轉入通態的較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管模塊的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管模塊的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發生這種情況。因為晶閘管模塊可以看作是由三個pn結組成。在晶閘管模塊處于阻斷狀態下，因各層相距很近，其結面相當于一個電容c0。當晶閘管陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容c0，并通過j3結，這個電流起了門極觸發電流作用。如果晶閘管模塊在關斷時，陽極電壓上升速度太快，則c0的充電電流越大。就有可能造成門極在沒有觸發信號的情況下，晶閘管誤導通現象，即常說的硬開通。青島整流可控硅調壓模塊