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可控硅是可控硅整流器的簡稱。可控硅有單向、雙向、可關斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優點，被用于可控整流、調壓、逆變以及無觸點開關等各種自動控制和大功率的電能轉換的場合。單向可控硅是一種可控整流電子元件，能在外部控制信號作用下由關斷變為導通，但一旦導通，外部信號就無法使其關斷，只能靠去除負載或降低其兩端電壓使其關斷。單向可控硅是由三個PN結PNPN組成的四層三端半導體器件與具有一個PN結的二極管相比，單向可控硅正向導通受控制極電流控制；與具有兩個PN結的三極管相比，差別在于可控硅對控制極電流沒有放大作用。可控硅導通條件：一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備，可控硅才會處于導通狀態。另外，可控硅一旦導通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，可控硅仍然導通。可控硅關斷條件：降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的正向電壓，使陽極電流小于小維持電流以下。簡易單向可控硅12V觸摸開關電路觸摸一下金屬片開，SCR1導通，負載得電工作。觸摸一下金屬片關，SCR2導通，繼電器J得電工作，K斷開，負載失電，SCR2關斷后，電容對繼電器J放電。淄博正高電氣迎接挑戰，推陳出新，與廣大客戶攜手并進，共創輝煌！淄博大功率晶閘管移相調壓模塊廠家

可控硅模塊是有PNPN四層半導體構成的元件，有三個電極，陽極a，陰極K和控制機G所構成的。可控硅模塊的應用領域模塊應用詳細說明介紹：可控硅模塊應用于控溫、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調整和變換的場合，如工業、通訊、部對所用等各類電氣控制、電源等，根據還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實現穩流、穩壓、軟啟動等功能，并可實現過流、過壓、過溫、缺相等保護功能。32、可控硅模塊的控制方式：通過輸入可控硅模塊控制接口一個可調的電壓或者電流信號，通過調整該信號的大小即可對可控硅模塊的輸出電壓大小進行平滑調節，實現可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點或全部導通的過程。電壓或電流信號可取自各種控制儀表、計算機D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法；控制信號采用0～5V，0～10V，4～20mA三種比較常用的控制形式。滿足可控硅模塊工作的必要條件：（1）+12V直流電源：可控硅模塊內部控制電路的工作電源。①可控硅模塊輸出電壓要求：+12V電源：12，紋波電壓小于20mv。②可控硅模塊輸出電流要求：標稱電流小于500安培產品：I+12V＞。北京晶閘管移相調壓模塊分類淄博正高電氣技術力量雄厚，工裝設備和檢測儀器齊備，檢驗與實驗手段完善。

雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優點。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個電極。但是，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通可控硅不同，是把兩個可控硅反接在一起畫成的，它的型號，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的。雙向可控硅的規格、型號、外形以及電極引腳排列依生產廠家不同而有所不同，但其電極引腳多數是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時，電極引腳向下，面對標有字符的一面)。市場上*常見的幾種塑封外形結構雙向可控硅的外形及電極引腳排列。關于轉換電壓變化率當驅動一個大的電感性負載時，在負載電壓和電流間有一個很大的相移。當負載電流過零時，雙向可控硅(晶閘管)開始換向，但由于相移的關系，電壓將不會是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關斷這個電壓。如果這時換向電壓的變化超過允許值時，就沒有足夠的時間使結間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控硅。

可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結構也十分的緊湊，對于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細的進行區分一下。①從電流方面來講，焊接式模塊可以做到160A電流，同時壓接式模塊的電流就能夠達到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時也有壓接式的。②從外形方面來講，焊接式的模塊遠遠沒有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術十分的標準，焊接式的局部地區可能有焊接的痕跡，但是在使用的時候是沒有任何的影響的。③眾所周知，壓接式可控硅模塊的市場占有率是非常大的，有不少的公司都會使用壓接式可控硅模塊，這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀，除此之外從價格方面來講，焊接式可控硅模塊的成本遠遠要比壓接式可控硅模塊的成本低。淄博正高電氣產品**國內。

可控硅損壞原因判別哪種參數壞了？當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，損壞的面積小，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，損壞的面積大，其位置在遠離控制極上。3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。他發生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。5、G-K電壓擊穿。晶閘管G-K間因不能承受反向電壓（）12V）而損壞，其芯片G-K間有燒焦的通路（短路痕跡）。淄博正高電氣品質好、服務好、客戶滿意度高。淄博大功率晶閘管移相調壓模塊廠家

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好在其回路中分別串入一個300Ω的限流電阻。調整時，改變R1、R2或C1、C2的大小，則可直接控制彩燈相互變化的快慢節奏。如雙向晶閘管VS1、VS2用3A/400V，好負載功率在300W以下，切忌不可超過高限額500W。如想增大功率，可選用電流大于3A的晶閘管，但C1的容量還需增加。如原用μ/400V可換成～1μ/400V即可。本裝置采用塑料作外殼，以避免市電源對人的觸電，這樣更為安全。可控硅交流調壓器交流調壓器采用可控硅調壓器。電路簡單、裝置容易、控制方便的可控硅交流調壓器，這可用作家用電器的調壓裝置，進行照明燈調光，電風扇調速、電熨斗調溫等控制。本活動調壓器的輸出功率達100W，一般家用電器都能使用。電路原理：電路圖如下可控硅交流調壓器由可控整流電路和觸發電路兩部分組成，從圖中可知，二極管D1—D4組成橋式整流電路，雙基極二極管T1構成張弛振蕩器作為可控硅的同步觸發電路。當調壓器接上220V交流電通過負載電阻RL經二極管D1—D4整流，在可控硅SCR的A、K兩端形成一個脈動直流電壓，該電壓由電阻R1降壓后作為觸發電路的直流電源。在交流電的正半周時，整流電壓通過R4、W1對電容C充電。當充電電壓Uc達到T1管的峰值電壓Up時。淄博大功率晶閘管移相調壓模塊廠家

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