電力調整器:基于晶閘管(電力電子功率器件)和智能數字控制電路。電源功率控制裝置,簡稱晶閘管功率調節器,又稱晶閘管功率調節器、晶閘管調節器、晶閘管調節器、功率調節器、功率調節器、功率控制器。具有效率高、無機械噪聲和磨損、響應快、體積小、重量輕等優點晶閘管功率調節器“通過對電壓、電流和功率的精確控制,實現精確的溫度控制。應該采用著先進的數字控制的算法,進行優化電源效率。功率調節器在節約電能方面起著重要作用。”廣泛應用于以下領域:1.爐業:退火爐、烘干爐、淬火爐、燒結爐、坩堝爐、隧道爐、功率調節器、箱式爐、井式爐、熔化爐、軋鋼爐、真空爐、臺車爐、淬火熱電爐,老化爐、罩式爐、氣氛爐、烘箱、實驗爐、熱處理爐、電阻爐、真空爐、網帶爐、高溫爐、窯爐、電爐。2.機械設備:像是包裝機械、擠壓機械、食品機械以及回火設備、注塑機械、回火設備、塑料加工以及功率調節器、熱收縮機械。3.玻璃工業:像是玻璃纖維、玻璃印刷、玻璃成型以及玻璃生產線4.汽車工業:噴霧干燥以及熱成型5.節能照明:隧道照明、街道照明、攝影照明、舞臺照明。淄博正高電氣通過專業的知識和可靠技術為客戶提供服務。淄博交流可控硅調壓模塊功能
可控硅保護電路如何設計可控硅的保護電路,大致可以分為兩種情況:一種是在適當的地方安裝保護器件,例如,R-C阻容吸收回路、限流電感、快速熔斷器、壓敏電阻或硒堆等。再一種則是采用電子保護電路,檢測設備的輸出電壓或輸入電流,當輸出電壓或輸入電流超過允許值時,借助整流觸發控制系統使整流橋短時內工作于有源逆變工作狀態,從而過電壓或過電流的數值。1.過流保護可控硅設備產生過電流的原因可以分為兩類:一類是由于整流電路內部原因,如整流可控硅損壞,觸發電路或控制系統有故障等;其中整流橋可控硅損壞類較為嚴重,一般是由于可控硅因過電壓而擊穿,造成無正、反向阻斷能力,它相當于整流橋臂發生長久性短路,使在另外兩橋臂可控硅導通時,無法正常換流,因而產生線間短路引起過電流.另一類則是整流橋負載外電路發生短路而引起的過電流,這類情況時有發生,因為整流橋的負載實質是逆變橋,逆變電路換流失敗,就相當于整流橋負載短路。另外,如整流變壓器中心點接地,當逆變負載回路接觸大地時,也會發生整流橋相對地短路。2.可控硅的過壓保護可控硅設備在運行過程中,會受到由交流供電電網進入的操作過電壓和雷擊過電壓的侵襲。安徽整流可控硅調壓模塊淄博正高電氣公司狠抓產品質量的提高,逐年立項對制造、檢測、試驗裝置進行技術改造。
它的出現,使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,成為工業、農業、交通運輸、科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。一、可控硅的結構和特性■可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種(見圖表-25)。螺旋式的應用較多。■可控硅有三個電極----陽極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構,共有三個PN結。其結構示意圖和符號見圖表-26。■從圖表-26中可以看到,可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用,為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時,只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。■可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。■首先,我們可以把從陰極向上數的、二、三層看面是一只NPN型號晶體管,而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。這樣就可畫出圖表-27(C)的等效電路圖來分析。
將焊接好的電路板裝進合適的塑料肥皂盒或原調速器盒中,將原分線器開關拆除不用,留出空余位置便于安裝印制板電路。一般風扇用電抗器均采取5擋。不妨利用其中①、③、⑤擋,將強風(第1擋)、中風(第2擋)弱風(第3擋)分別接到電抗器的各擋中。若有的調速器中無電抗器,風扇電機則是采取抽頭方式改變風速的,同樣將三種風速分別接至分線器的三極引線中。在改裝中特別要注意安全,印制板上220V交流電源接線端及所有導電部位應與調整器盒的金屬件嚴格隔離。改裝完畢,可用測電筆碰觸調速器有否漏電。否則應進一步采取絕緣措施。通電試驗時,用萬用表DC10V檔測C2兩端電壓應為5V-6V之間,若不正常,應重點檢查整流穩壓電路,然后再分別按動SB1-SB4開關,觀察各路指示管VD1-VD8應按對應的選擇功能發光或熄滅,風扇也應同步工作于不同狀態。淄博正高電氣是多層次的模式與管理模式。
可控硅模塊裝置中產生過電流保護的原因有很多,是多種多樣的,那么它采用的保護措施有哪些?下面可控硅模塊廠家帶您一起來看下。可控硅模塊產生出的過電流的原因有很多種,當變流裝置內部的結構元件損壞、控制或者觸發系統之間發生的一些故障、可逆傳動環流過大或逆變失敗、交流電壓過高或過低或缺相、負載過載等原因,都會引起裝置中電力電子元器件耳朵電流超過正常的工作電流。由于可控硅模塊的過流比一般的電氣設備的能力要低得多,因此,我們必須采取防過電流保護可控硅模塊的措施。接下來可控硅生產廠家正高為大家詳細講解一些可控硅模塊裝置中可能采用的4種過電流保護管理措施:1、交流進線串接漏電阻大的整流變壓器,利用短路電流受電抗限制,但交流電流大時會存在交流壓降。2、電檢測和過電流檢測繼電器電流與設定值進行比較,當取樣電流超過設定值時,比較器輸出信號使所述相移角增加以減小電流或拉逆變器相比較。有時一定要停止。3、直流快速開關對于變流裝置功率大且短路可能性較多的場合,可采用動作時間只有2ms的直流快速開關,它可以先于快速熔斷器斷開。從而保護了可控硅模塊,但價格昂貴所以使用不多。4、將快速熔斷器與普通熔斷器進行對比。淄博正高電氣材料竭誠為您服務,期待與您的合作!威海進口可控硅調壓模塊結構
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使可控硅從斷態轉入通態的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大,超過了可控硅的電壓上升率的值,則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于可控硅的正向電壓低于其陽極峰值電壓,也可能發生這種情況。因為可控硅可以看作是由三個PN結組成。在可控硅處于阻斷狀態下,因各層相距很近,其J2結結面相當于一個電容C0。當可控硅陽極電壓變化時,便會有充電電流流過電容C0,并通過J3結,這個電流起了門極觸發電流作用。如果可控硅在關斷時,陽極電壓上升速度太快,則C0的充電電流越大,就有可能造成門極在沒有觸發信號的情況下,可控硅誤導通現象,即常說的硬開通,這是不允許的。因此,對加到可控硅上的陽極電壓上升率應有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大,確保可控硅安全運行,常在可控硅兩端并聯RC阻容吸收網絡,利用電容兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。因為電路總是存在電感的(變壓器漏感或負載電感),所以與電容C串聯電阻R可起阻尼作用,它可以防止R、L、C電路在過渡過程中,因振蕩在電容器兩端出現的過電壓損壞可控硅。同時,避免電容器通過可控硅放電電流過大,造成過電流而損壞可控硅。由于可控硅過流過壓能力很差。淄博交流可控硅調壓模塊功能
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