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來源: 發布時間:2023-12-04

    BPSG)加熱到800oC時會軟化并有流動特性,可使晶圓表面初級平坦化。深處理濺鍍層金屬利用光刻技術留出金屬接觸洞。泰克光電(TechOptics)是一家專注于共晶機制造的公司。我們致力于為客戶提供高質量、高性能的共晶機設備,以滿足不同行業的需求。作為共晶機制造領域的者,泰克光電擁有先進的技術和豐富的經驗。我們的團隊由一群經驗豐富的工程師和技術組成,他們在共晶機設計、制造和維護方面擁有深厚的專業知識。泰克光電的共晶機廣泛應用于電子、光電子、半導體等行業。我們的設備可以用于焊接、封裝、封裝和其他共晶工藝。無論是小型電子元件還是大型半導體芯片,我們都能提供適合的共晶解決方案。濺鍍鈦+氮化鈦+鋁+氮化鈦等多層金屬膜。離子刻蝕出布線結構,并用PECVD在上面沉積一層SiO2介電質。并用SOG(spinonglass)使表面平坦,加熱去除SOG中的溶劑。然后再沉積一層介電質,為沉積第二層金屬作準備。(1)薄膜的沉積方法根據其用途的不同而不同,厚度通常小于1um。有絕緣膜、半導體薄膜、金屬薄膜等各種各樣的薄膜。薄膜的沉積法主要有利用化學反應的CVD(chemicalvapordeposition)法以及物理現象的PVD(physicalvapordeposition)法兩大類。CVD法有外延生長法、HCVD。口碑好的高精度共晶機找泰克光電。重慶固晶共晶機廠家直銷

    因只在高溫下反應故用途被限制,但由于其可用領域中,則可得致密高純度物質膜,且附著強度很強,若用心控制,則可得安定薄膜即可輕易制得觸須(短纖維)等,故其應用范圍極廣。熱CVD法也可分成常壓和低壓。低壓CVD適用于同時進行多片基片的處理,壓力一般控制在。作為柵電極的多晶硅通常利用HCVD法將SiH4或Si2H。氣體熱分解(約650oC)淀積而成。采用選擇氧化進行器件隔離時所使用的氮化硅薄膜也是用低壓CVD法,利用氨和SiH4或Si2H6反應面生成的,作為層間絕緣的SiO2薄膜是用SiH4和O2在400--4500oC的溫度下形成SiH4+O2-SiO2+2H2或是用Si(OC2H5)4(TEOS:tetraethoxysilanc)和O2在750oC左右的高溫下反應生成的,后者即采用TEOS形成的SiO2膜具有臺階側面部被覆性能好的優點。前者,在淀積的同時導入PH3氣體,就形成磷硅玻璃(PSG:phosphorsilicateglass)再導入B2H6氣體就形成BPSG(borro?phosphorsilicateglass)膜。這兩種薄膜材料,高溫下的流動性好,用來作為表面平坦性好的層間絕緣膜。晶圓熱處理在涂敷光刻膠之前,將洗凈的基片表面涂上附著性增強劑或將基片放在惰性氣體中進行熱處理。這樣處理是為了增加光刻膠與基片間的粘附能力。遵義自動共晶機價位共晶機設備實現TO56 的芯片及熱沉貼裝于管座的共晶工藝找泰克光電。

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