無錫高效硅異質結PECVD

異質結電池技術路線，發電量高：低溫度意味著在組件高溫運行環境中，HJT電池具有相對較高的發電性能，從而實現發電量增益、降低系統的度電成本；若考慮電池工作溫度超出環境溫度10-40℃,而全年平均環境溫度相比實驗室標準工況低5-10℃，HJT電池每W發電量高出雙面PERC電池約0.6%-3.9%。優勢五：雙面率高HJT正反面結構對稱，而且TCO薄膜是透光的，天然就是雙面電池；HJT的雙面率能達到90%以上(能達到98%)，雙面PERC的雙面率約為75%+；據solarzoom測算，考慮10%-20%的背面輻照及電池片雙面率的差異，HJT電池單瓦發電量高出雙面PERC電池約2%-4%。優勢六：弱光效應HJT電池采用N型單晶硅片，而PERC電池采用P型單晶硅片在600W/m以下的輻照強度；N型相比P型的發電表現高出1%-2%左右，HJT電池因弱光效應而在每W發電量上高出雙面PERC電池約0.5-1.0%左右。光伏異質結結合了晶體硅和薄膜太陽能電池的優點，能在低成本下實現高效率。無錫高效硅異質結PECVD

光伏異質結中的光電轉換效率受到多種因素的影響，其中主要的因素包括以下幾點：1.材料的選擇：光伏異質結中的材料種類和質量對光電轉換效率有著至關重要的影響。通常情況下，選擇具有較高吸收系數和較低缺陷密度的材料可以提高光電轉換效率。2.光照強度：光伏異質結的光照強度越高，其光電轉換效率也會越高。因此，在實際應用中，需要根據光伏電池的使用環境和光照條件進行合理的設計和安裝。3.溫度：溫度對光伏異質結的光電轉換效率也有著顯著的影響。一般來說，光伏電池的溫度越低，其光電轉換效率也會越高。4.結構設計：光伏異質結的結構設計也會對其光電轉換效率產生影響。例如，通過優化電極結構和光伏電池的厚度等參數，可以提高光伏電池的光電轉換效率。5.光伏電池的制備工藝：光伏電池的制備工藝也會對其光電轉換效率產生影響。例如，采用高質量的制備工藝可以減少雜質和缺陷的存在，從而提高光伏電池的光電轉換效率。浙江自動化異質結材料光伏異質結電池的使用壽命長，具有長期穩定的能源供應能力。

高效異質結電池整線設備，HWCVD 1、熱絲化學氣相沉積(HotWireCVD，HWCVD)是利用高溫熱絲催化作用使SiH4分解來制備非晶硅薄膜，對襯底無損傷，且成膜質量非常好，但鍍膜均勻性較差，且熱絲作為耗材，成本較高；2、HWCVD一般分為三個階段，一是反應氣體在熱絲處的分解反應，二是基元向襯底運輸過程中的氣相反應，第三是生長薄膜的表面反應。PECVD鍍膜均勻性較高，工藝窗口寬，對襯底損傷較大。HWCVD是利用高溫熱絲催化作用使SiH4分解來成膜，對襯底無損傷，且成膜質量好，但鍍膜均勻性較差且成本較高。

高效異質結電池整線裝備，物理的氣相沉積，PVD優點沉積速度快、基材溫升低；所獲得的薄膜純度高、致密性好、成膜均勻性好；濺射工藝可重復性好，精確控制厚度；膜層粒子的散射能力強，繞鍍性好；不同的金屬、合金、氧化物能夠進行混合，同時濺射于基材上；缺點：常規平面磁控濺射技術靶材利用率不高，一般低于40％；在輝光放電中進行，金屬離化率較低。反應等離子體沉，RPD優點：對襯底的轟擊損傷小；鍍層附著性能好，膜層不易脫落；源材料利用率高，沉積速率高；易于化合物膜層的形成，增加活性；鍍膜所使用的基體材料和膜材范圍廣。缺點：薄膜中的缺陷密度較高，薄膜與基片的過渡區較寬，應用中受到限制（特別是電子器件和IC）；薄膜中含有氣體量較高。光伏異質結技術的持續發展將為太陽能產業帶來更加廣闊的市場前景和發展機遇。

光伏異質結電池整線裝備，產業機遇：方向清晰：HJT技術工藝流程短、功率衰減低、輸出功率穩定、雙面發電增益高、未來主流技術方向；時間明確：HJT平均量產效率已超過PERC瓶頸（25%），行業對HJT電池投入持續加大，電池商業化已逐漸成熟；機遇可期：設備與耗材是HJT規模化的關鍵，降本增效是不變的主題，具備HJT整線整合能力的供應商優勢明顯。當前HJT生產成本約：硅片占比約50%，銀漿占比約25%，靶材約6%左右；當前HJT設備成本約：清洗制絨設備、PECVD設備、PVD設備、絲網印刷，設備投資額占比分別約10%、50%、25%和15%。高效異質結電池PECVD設備是制備微晶硅的設備，其工藝機理復雜，影響因素眾多，需要專業公司制備。深圳鈣鈦礦異質結低銀

釜川自主研發的“零界”高效異質結電池整線制造解決方案已實現設備國產化。無錫高效硅異質結PECVD

高效異質結電池生產流程中使用的設備，PECVD 1.等離子化學氣相沉積（PlasmaEnhancedCVD，PECVD）是指利用輝光放電的物理作用來化學氣相沉積反應的CVD技術；2.異質結非晶硅薄膜沉積是采用RPECVD技術，射頻等離子體增強化學氣相沉積（RFPlasma-EnhancedChemicalVaporDeposition,RPECVD），是PECVD的另外一種技術。它是利用射頻能量使反應氣體等離子化。優點：低溫成膜（300-350℃），對基片影響小，避免了高溫帶來的膜層晶粒粗大；l低壓下形成薄膜厚度及成分較均勻、膜層致密、內應力小，不易產生裂紋；l擴大CVD應用范圍，特別是在不同基片上制備金屬薄膜、非晶態無機薄膜等，薄膜的附著力大于普通CVD。無錫高效硅異質結PECVD

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