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IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極管正向電參數時給定的電流IF（AV）---正向平均電流IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的比較大正向脈沖電流。發光二極管極限電流。IH---恒定電流、維持電流。Ii---；發光二極管起輝電流IFRM---正向重復峰值電流IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流IF(ov)---正向過載電流IL---光電流或穩流二極管極限電流。凱軒業高電子遷移率晶體管（HEMT）與任何其他FET一樣工作。河源晶體管銷售代理

按冷卻方式分類：干式（自冷）變壓器、油浸（自冷）變壓器、氟化物（蒸發冷卻）變壓器。按防潮方式分類：開放式變壓器、灌封式變壓器、密封式變壓器。按鐵芯或線圈結構分類：芯式變壓器（插片鐵芯、C型鐵芯、鐵氧體鐵芯）、殼式變壓器（插片鐵芯、C型鐵芯、鐵氧體鐵芯）、環型變壓器、金屬箔變壓器。按電源相數分類：單相變壓器、三相變壓器、多相變壓器。按用途分類：電源變壓器、調壓變壓器、音頻變壓器、中頻變壓器、高頻變壓器、脈沖變壓器。半導體分立器件如何分類？分立器件當燃是二極管，三極管，MOS晶體管，JFET晶體管幾大類了如果細分的話，如晶閘管，快速二極管等，就得看半導體器件相關的書了當然也可以包括電阻，電感，電容，這是分立器件，不是半導體分立器件。綿陽作用晶體管場效應光晶體管響應速度快，但缺點是光敏面積小，增益小，常用作極高速光探測器。

濾波器是由電感器和電容器構成的網路，可使混合的交直流電流分開.電源整流器中，即借助此網路濾凈脈動直流中的漣波，而獲得比較純凈的直流輸出.基本的濾波器，是由一個電容器和一個電感器構成，稱為L型濾波.所有各型的濾波器，都是L型單節濾波器而成.基本單節式濾波器由一個串聯臂及一個并聯臂所組成，串聯臂為電感器，并聯臂為電容器，在電源及聲頻電路中之濾波器，通用者為L型及π型兩種.就L型單節濾波器而言，其電感抗XL與電容抗XC，對任一頻率為一常數，其關系為XL·XC=K2凱軒業電子科技

按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管.按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管.晶體管按其結構及制造工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管.晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、**率晶體管和大功率晶體管.晶體管按工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管等.晶體管按封裝結構可分為金屬封裝（簡稱金封）晶體管、塑料封裝（簡稱塑封）晶體管、玻璃殼封裝（簡稱玻封）晶體管、表面封裝（片狀）晶體管和陶瓷封裝晶體管等.其封裝外形多種多樣.MOSFET晶體管可以清晰地看到層狀的CPU結構，由上到下有大約10層，其中下層為器件層。

晶體管的結構及類型用不同的摻雜方式在同一個硅片上制造出三個摻雜區域，并形成兩個PN結，就構成了晶體管。結構如圖(a)所示，位于中間的P區稱為基區，它很薄且雜質濃度很低；位于上層的N區是發射區，摻雜濃度很高；位于下層的N區是集電區，面積很大；它們分別引出電極為基極b,發射極e和集電極c。晶體管的電流放大作用如下圖所示為基本放大電路，為輸入電壓信號，它接入基極-發射極回路，稱為輸入回路；放大后的信號在集電極-發射極回路，稱為輸出回路。由于發射極是兩個回路的公共端，故稱該電路為共射放大電路。晶體管工作在放大狀態的外部條件是發射結正偏且集電結反向偏置，所以輸入回路加的基極電源和輸出回路加的集電極電源的。單結晶體管的e、b1極之間，相當于一個受發射極電壓Ue控制的開關，故可以用來作振蕩元件。綿陽作用晶體管

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什么是晶體管配置？通常，共有三種類型的配置，其關于增益的描述如下：共基（CB）配置：它沒有當前增益，但具有公共集電極（CC）配置：它具有電流增益，但是沒有電壓增益.公共發射極（CE）配置：它同時具有電流增益和電壓增益.晶體管公共基極（CB）配置：在此電路中，將基座放置在輸入和輸出共用的位置.它具有低輸入阻抗（50-500歐姆）.它具有高輸出阻抗（1-10兆歐）.相對于基礎端子測得的電壓.因此，輸入電壓和電流將為Vbe＆Ie，輸出電壓和電流將為Vcb＆Ic.電流增益將小于1，即alpha（dc）=Ic/Ie電壓增益將很高.功率增益將是平均水平.河源晶體管銷售代理