黑龍江sCMOS相機Andor供應商

Andor的低噪聲CCD相機系列，尤其是iKon系列，以其***的低噪聲性能、高靈敏度和寬光譜響應而聞名，廣泛應用于需要長時間曝光和弱光成像的科研領域。以下是其主要特點和應用：主要特點深度制冷技術iKon系列采用獨特的熱電冷卻技術，制冷溫度可達-100°C，***降低暗電流，適合長時間曝光。高量子效率所有iKonCCD傳感器均為背照式，量子效率（QE）峰值超過95%，并提供近紅外增強選項，適合寬光譜范圍內的高效光子收集。低讀取噪聲優化的讀取噪聲低至2.9電子，確保在長時間曝光下獲得比較好信噪比。大視場與高分辨率提供多種芯片規格，如iKon-M的1024x1024像素和iKon-L的2048x2048像素，滿足不同視場需求。快速動力學模式支持微秒級動態過程的采集，適合快速變化的實驗場景。部分型號（如 Marana 和 Sona）采用背照式 sCMOS 傳感器，量子效率（QE）達 95%進一步提升了靈敏度和動態范圍。黑龍江sCMOS相機Andor供應商

Andor 提供了一系列高性能的近紅外光譜相機，適用于從紫外到近紅外（NIR）和短波紅外（SWIR）的光譜分析。這些相機廣泛應用于拉曼光譜、光致發光、吸收光譜、熒光光譜以及顯微光譜等領域。近紅外光譜相機型號及技術特點iDus CCD芯片規格：1024 x 128 或 1024 x 256像元尺寸：26 μm 或 13.5 μm峰值量子效率：95%（可見光和近紅外）制冷溫度：-100°C（UltraVac? 技術）暗電流：低至 0.0004 電子/像素/秒讀出噪聲：3 電子應用：低光通量下的拉曼光譜、光致發光和吸收光譜。北京Sona sCMOSAndor廠商Zyla 系列相機的量子效率（QE）可達 82%，在可見光和近紅外波段表現出色，適合多種熒光基團。

在拉曼實驗中，Andor 提供了一系列高性能的光譜儀和探測器，能夠滿足從基礎研究到復雜應用的多種需求。以下是 Andor 產品在拉曼實驗中的具體作用和優勢：1. 光譜儀Andor 的光譜儀系列（如 Kymera、Shamrock 和 Mechelle）為拉曼實驗提供了高分辨率、高光通量和高模塊化的解決方案。高分辨率：Shamrock 750 提供高達 0.02 nm 的分辨率，適合高精度拉曼光譜分析。模塊化設計：支持多種探測器選項（如 CCD、EMCCD、InGaAs），能夠覆蓋紫外到近紅外（UV-VIS-NIR）的波長范圍。顯微光譜：結合顯微鏡使用，支持顯微拉曼光譜，適用于細胞、組織等微觀樣品的分析。非線性拉曼技術：支持相干反斯托克斯拉曼散射（CARS）等非線性拉曼技術，用于復雜樣品的高靈敏度檢測。

Andor 的產品主要圍繞“弱光”和“快速”成像技術，涵蓋以下五大類產品：科學相機：包括 EMCCD 相機、sCMOS 相機、CCD 相機等，適用于從單光子探測到天文觀測的多種應用。光譜儀：涵蓋紫外、近紅外、短波紅外光譜相機及相關光譜附件。顯微成像系統：如 Dragonfly 轉盤共聚焦成像系統，掃描速度比傳統系統快 10 倍以上。圖像分析軟件：如 Imaris，用于多維圖像處理，廣泛應用于生命科學研究。光學恒溫器：為低溫實驗提供支持，適用于拉曼光譜、熒光光譜等研究。iXon Ultra：高性能、多功能的 EMCCD 相機，適用于物理和生命科學的廣弱光應用。

Sona 4.2B-11 提供 420 萬像素和 32 mm 對角線視場，適合捕捉大面積細胞或組織樣本。Sona 4.2B-6 提供 420 萬像素和 6.5 μm 像素尺寸，適合 40x 和 60x 放大倍率下的高分辨率成像。擴展動態范圍：Sona 相機采用雙放大器架構，提供高達 53,000:1（Sona 4.2B-11）和 35,000:1（Sona 4.2B-6）的動態范圍，適合成像具有挑戰性的樣本（如神經元）。高線性度與定量精度：提供 >99.7% 的線性度，確保在信號強度表示局部濃度的應用中（如離子通量、FRET 等）數據的準確性。超分辨率成像：支持 SRRF-Stream+ 實時超分辨率技術，可將傳統顯微鏡的分辨率提升至約 100 nm，無需復雜操作。其他特性：獨有的 UltraVac? 技術，通過真空密封防止傳感器 QE 退化和水分冷凝，提供 5 年質保。支持 USB 3.0 和 CoaXPress 高速接口，確保快速數據傳輸。提供多種芯片規格，如 iKon-M 的 1024 x 1024 像素和 iKon-L 的 2048 x 2048 像素，滿足不同視場需求。甘肅流體力學相機Andor廠商

Andor 的 sCMOS 相機系列包括 Sona、Marana、Zyla 和 Neo 等型號。黑龍江sCMOS相機Andor供應商

制冷溫度與暗電流iDus CCD：制冷溫度可達 -100°C，暗電流極低（0.0004 電子/像素/秒），適合長時間曝光。iDus InGaAs：制冷溫度為 -90°C，暗電流較高（1.7 μm 型號為 10,700 電子/像素/秒，2.2 μm 型號為 5,000,000 電子/像素/秒）。4. 像素規格iDus CCD：芯片規格：1024 x 128 或 1024 x 256，像素尺寸為 26 μm 或 13.5 μm。iDus InGaAs：芯片規格：1024 x 128 或 1024 x 256，像素尺寸為 25 μm 或 50 μm。5. 讀出噪聲iDus CCD：讀出噪聲低至 3 電子。iDus InGaAs：讀出噪聲較高，約為 580 電子。6. 應用場景iDus CCD：適用于紫外到近紅外的拉曼光譜、光致發光、吸收光譜和顯微光譜。iDus InGaAs：專為近紅外光譜應用設計，如近紅外拉曼光譜、光致發光和材料科學中的低光通量應用。黑龍江sCMOS相機Andor供應商