Rlimit =10~100Ω,C=10~470μF,Creset=10nF.一、柵極電阻Rg的作用1、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射(或柵源)極之間是容性結構,柵極回路的寄生電感又是不可避免的,如果沒有柵極電阻,那柵極回路在驅動器驅動脈沖的激勵下要產生很強的振蕩,因此必須串聯一個電阻加以迅速衰減。2、轉移驅動器的功率損耗電容電感都是無功元件,如果沒有柵極電阻,驅動功率就將絕大部分消耗在驅動器內部的輸出管上,使其溫度上升很多。在用導電材料連接模塊驅動端子時,在配線未接好之前請先不要接上模塊;長寧區進口IGBT模塊設計
N溝型的 IGBT工作是通過柵極-發射極間加閥值電壓VTH以上的(正)電壓,在柵極電極正下方的p層上形成反型層(溝道),開始從發射極電極下的n-層注入電子。該電子為p+n-p晶體管的少數載流子,從集電極襯底p+層開始流入空穴,進行電導率調制(雙極工作),所以可以降低集電極-發射極間飽和電壓。在發射極電極側形成n+pn-寄生晶體管。若n+pn-寄生晶體管工作,又變成p+n- pn+晶閘管。電流繼續流動,直到輸出側停止供給電流。通過輸出信號已不能進行控制。一般將這種狀態稱為閉鎖狀態。寶山區質量IGBT模塊品牌當晶閘管全部導通時,靜態閂鎖出現。
通常為達到更好的驅動效果,IGBT開通和關斷可以采取不同的驅動速度,分別選取 Rgon和Rgoff(也稱 Rg+ 和 Rg- )往往是很必要的。IGBT驅動器有些是開通和關斷分別輸出控制,只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了。有些驅動器只有一個輸出端,這就要在原來的Rg 上再并聯一個電阻和二極管的串聯網絡,用以調節2個方向的驅動速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10-100K 電阻,防止在未接驅動引線的情況下,偶然加主電高壓,通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。
常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。 圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構, N+ 區稱為源區,附于其上的電極稱為源極。N+ 區稱為漏區。器件的控制區為柵區,附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P 型區(包括P+ 和P 一區)(溝道在該區域形成),稱為亞溝道區( Subchannel region )。而在漏區另一側的P+ 區稱為漏注入區( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能區,與漏區和亞溝道區一起形成PNP 雙極晶體管,起發射極的作用,向漏極注入空穴,進行導電調制,以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極。 IGBT 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP 晶體管提供基極電流,使IGBT 導通。為了減少接觸熱阻,在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。
2010年,中國科學院微電子研究所成功研制國內***可產業化IGBT芯片,由中國科學院微電子研究所設計研發的15-43A /1200V IGBT系列產品(采用Planar NPT器件結構)在華潤微電子工藝平臺上流片成功,各項參數均達到設計要求,部分性能優于國外同類產品。這是我國國內***自主研制可產業化的IGBT(絕緣柵雙極晶體管)產品,標志著我國全國產化IGBT芯片產業化進程取得了重大突破,擁有了***條專業的完整通過客戶產品設計驗證的IGBT工藝線。該科研成果主要面向家用電器應用領域,聯合江蘇矽萊克電子科技有限公司進行市場推廣,目前正由國內***的家電企業用戶試用,微電子所和華潤微電子將聯合進一步推動國產自主IGBT產品的大批量生產。 [2一般散熱片底部安裝有散熱風扇,當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發熱,而發生故障。寶山區質量IGBT模塊品牌
通常采用雙絞線來傳送驅動信號,以減少寄生電感。長寧區進口IGBT模塊設計
IGBT的應用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區域。多使用在工業用電機、民用小容量電機、變換器(逆變器)、照相機的頻閃觀測器、感應加熱(InductionHeating)電飯鍋等領域。根據封裝的不同,IGBT大致分為兩種類型,一種是模壓樹脂密封的三端單體封裝型,從TO-3P到小型表面貼裝都已形成系列。另一種是把IGBT與FWD (FleeWheelDiode)成對地(2或6組)封裝起來的模塊型,主要應用在工業上。模塊的類型根據用途的不同,分為多種形狀及封裝方式,都已形成系列化。長寧區進口IGBT模塊設計
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