電力半導(dǎo)體器件有：全系列功率模塊(MTC、MFC、MDC、MDQ、MDS)，普通整流管(ZP)，快速整流管(ZK)，軟恢復(fù)快速整流管(FRD)，旋轉(zhuǎn)整流管(ZX)，大功率組合整流元件，普通晶閘管(KP)，快速晶閘管(KK)，雙向晶閘管(KS)，逆導(dǎo)晶閘管(KN)，可關(guān)斷晶閘管(GTO)，電力晶體管(GTR)發(fā)電機(jī)旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件，各種功率單元。這些元件廣泛應(yīng)用于電化學(xué)電源，充電電源，電機(jī)調(diào)速，感應(yīng)加熱及熱處理等各種整流、逆變和變頻領(lǐng)域。我公司所生產(chǎn)的電力電子器件成功的替代了多種進(jìn)口器件，實(shí)現(xiàn)了自動軋機(jī)原器件的國產(chǎn)化；6K、6G、8K、8G電力機(jī)車原器件也全部由我公司國產(chǎn)化，使用壽命超過...

簡稱過零型）和隨機(jī)導(dǎo)通型（簡稱隨機(jī)型）；按輸出開關(guān)元件分有雙向可控硅輸出型（普通型）和單向可控硅反并聯(lián)型（增強(qiáng)型）；按安裝方式分有印刷線路板上用的針插式（自然冷卻，不必帶散熱器）和固定在金屬底板上的裝置式（靠散熱器冷卻）；另外輸入端①直流恒流控制型（D3），電壓為3-36Vdc寬范圍，驅(qū)動電流為5-15mA；②直流抗干擾控制型（D2），電壓為18-30Vdc；③串電阻限流型（D1），電壓為4-8Vdc，**于隨機(jī)型LSR；④交流控制型（A3），電壓為90-430Vac寬范圍。⑴過零型(Z型)與隨機(jī)型(P型)LSR的區(qū)別由于觸發(fā)信號方式不同，過零型和隨機(jī)型之間的區(qū)別主要在于負(fù)載交流電流導(dǎo)...

軟恢復(fù)快速整流管(FRD)，旋轉(zhuǎn)整流管(ZX)，大功率組合整流元件，普通晶閘管(KP)，快速晶閘管(KK)，雙向晶閘管(KS)，逆導(dǎo)晶閘管(KN)，可關(guān)斷晶閘管(GTO)，電力晶體管(GTR)發(fā)電機(jī)旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件，各種功率單元。這些元件廣泛應(yīng)用于電化學(xué)電源，充電電源，電機(jī)調(diào)速，感應(yīng)加熱及熱處理等各種整流、逆變和變頻領(lǐng)域。我公司所生產(chǎn)的電力電子器件成功的替代了多種進(jìn)口器件，實(shí)現(xiàn)了自動軋機(jī)原器件的國產(chǎn)化；6K、6G、8K、8G電力機(jī)車原器件也全部由我公司國產(chǎn)化，使用壽命超過了進(jìn)口元件。在自動控制方面，我公司成功開發(fā)出各種工控板，應(yīng)用在各種不同的場合，真正形成了控制方式靈活，保護(hù)齊全，可靠...

晶體閘流管工作過程編輯晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結(jié)圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構(gòu)成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復(fù)合管當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導(dǎo)通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。因此，兩個互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時，就會形成強(qiáng)烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的...

VDRM）的計(jì)算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2、器件額定電流IT（AV）的計(jì)算：由于該線路相當(dāng)于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應(yīng)建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對器件耐壓要求比前一種線路低一倍，但通流能力要求大兩倍。四、使用模塊產(chǎn)品注意事項(xiàng)：l電力半導(dǎo)體模...

強(qiáng)型120A增強(qiáng)型150A增強(qiáng)型200A增強(qiáng)型300A增強(qiáng)型400A型號LSR-H3Z50D3LSR-H3Z50D2LSR-H3Z50A3LSR-H3P50D1H3Z70D3H3Z70D2H3Z70A3H3P70D1H3Z90D3H3Z90D2H3Z90A3H3P90D1H3100ZFH3Z1**3H3Z1**2H3Z120A3H3P1**1H3120ZFH3Z150D3H3Z150D2H3P150D1H3150ZEH3Z200D3H3Z200D2H3P200D1H3200ZEH3Z300D3H3Z300D2H3P300D1H3300ZDH3Z400D3H3Z400D2H3P40...

3）換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時器件內(nèi)部各結(jié)層殘存載流子復(fù)合所產(chǎn)生的，所以又叫載流子積蓄效應(yīng)引起的過電壓。換相過電壓之后，出現(xiàn)換相振蕩過電壓，它是由于電感、電容形成共振產(chǎn)生的振蕩電壓，其值和換相結(jié)束后的反向電壓有關(guān)。反向電壓越高，換相振蕩過電壓也越大。針對形成過電壓的不同原因，可以采取不同的方法，如減少過電壓源，并使過電壓幅值衰減；過電壓能量上升的速率，延緩已產(chǎn)生能量的消散速度，增加其消散的途徑；采用電子線路進(jìn)行保護(hù)等。**常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常稱之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有...

特點(diǎn)：1、芯片與底板電氣絕緣2、國際標(biāo)準(zhǔn)封裝3、全壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力4、350A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷，400A以上模塊既可選用風(fēng)冷，也可選用水冷5、安裝簡單，使用維修方便典型應(yīng)用：1、交直流電機(jī)控制2、各種整流電源3、工業(yè)加熱控制4、調(diào)光5、無觸點(diǎn)開關(guān)6、電機(jī)軟起動7、靜止無功補(bǔ)償8、電焊機(jī)9、變頻器10、UPS電源11、如果產(chǎn)品裝機(jī)配型不適用，可退換貨給您滿意貼心的服務(wù)，是我們一貫的宗旨！有10多年功率半導(dǎo)體元器件制造經(jīng)驗(yàn)，是專業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)、封裝、測試、銷售、技術(shù)服務(wù)為一體的****，多年來一直從事冶金自動化和鐵路電氣化領(lǐng)域的國產(chǎn)化工作。我公司的...

硒堆的特點(diǎn)是其動作電壓和溫度有關(guān)，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性，能多次使用，當(dāng)過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復(fù)其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結(jié)構(gòu)為兩個電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài)，只有很小的漏電流，其值小于100μA。當(dāng)加上電壓時，引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，了過電壓，從而使晶閘管得到保護(hù)。浪涌過后，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數(shù)來表示。標(biāo)稱電壓：指壓敏...

以提高測試電壓和測試電流，使GTO可靠地導(dǎo)通。（2）要準(zhǔn)確測量GTO的關(guān)斷增益βoff，必須有**測試設(shè)備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測。由于測試條件不同，測量結(jié)果*供參考，或作為相對比較的依據(jù)。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管，使陽極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu)，使之具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如，逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時間*幾微秒，工作頻率達(dá)幾十千赫，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）。該器件適用于開關(guān)電源、UPS不間斷電源中，一只...

750V通態(tài)平均電流IT（AV）：5A比較大通態(tài)電壓VT：3V（IT=30A）比較大反向?qū)妷篤TR：<比較大門極觸發(fā)電壓VGT:4V比較大門極觸發(fā)電流IGT:40mA關(guān)斷時間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導(dǎo)晶閘管的好壞。測試內(nèi)容主要分三項(xiàng)：1．檢查逆導(dǎo)性選擇萬用表R×1檔，黑表筆接K極，紅表筆接A極（參見圖3(a)），電阻值應(yīng)為5～10Ω。若阻值為零，證明內(nèi)部二極管短路；電阻為無窮大，說明二極管開路。2．測量正向直流轉(zhuǎn)折電壓V（BO）按照（b）圖接好電路，再按額定轉(zhuǎn)速搖兆歐表，使RCT正向擊穿，由直...

紅表筆接K極時，電阻呈低阻值，對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無窮大；然后用黑表筆尖也同時接觸G極，加上正向觸發(fā)信號，表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通；脫開G極，只要GTO維持通態(tài)，就說明被測管具有觸發(fā)能力。3．檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G極，黑表筆接K極，施以負(fù)向觸發(fā)信號，如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置，證明GTO具有關(guān)斷能力。4．估測關(guān)斷增益βoff進(jìn)行到第3步時，...

VDRM）的計(jì)算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2、器件額定電流IT（AV）的計(jì)算：由于該線路相當(dāng)于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應(yīng)建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對器件耐壓要求比前一種線路低一倍，但通流能力要求大兩倍。四、使用模塊產(chǎn)品注意事項(xiàng)：l電力半導(dǎo)體模...

充電電源，電機(jī)調(diào)速，感應(yīng)加熱及熱處理等各種整流、逆變和變頻領(lǐng)域。我公司所生產(chǎn)的電力電子器件成功的替代了多種進(jìn)口器件，實(shí)現(xiàn)了自動軋機(jī)原器件的國產(chǎn)化；6K、6G、8K、8G電力機(jī)車原器件也全部由我公司國產(chǎn)化，使用壽命超過了進(jìn)口元件。在自動控制方面，我公司成功開發(fā)出各種工控板，應(yīng)用在各種不同的場合，真正形成了控制方式靈活，保護(hù)齊全，可靠性高的優(yōu)勢。與模塊結(jié)合開發(fā)了智能模塊。廣泛應(yīng)用于不同行業(yè)各種領(lǐng)。在散熱器方面公司成功開發(fā)了，通過努力已進(jìn)入了國內(nèi)的輸變電行業(yè)、機(jī)車行業(yè)所需的高端市場。我公司秉承快速反應(yīng)、持續(xù)改進(jìn)的工作作風(fēng)，融入世界的發(fā)展戰(zhàn)略，致力于提高品牌知名度的發(fā)展目標(biāo)，建成國際前列、國內(nèi)...

所述銅底板3上涂覆有硅凝膠，所述硅凝膠對所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11進(jìn)行包覆固定。從而，所述銅底板3通過所述硅凝膠實(shí)現(xiàn)對位于其上的導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11進(jìn)行固定。所述第二晶閘管單元包括：第二壓塊12、第二門極壓接式組件13、第三導(dǎo)電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17。其中，所述第二壓塊12設(shè)置于所述第二門極壓接式組件13上，并通過所述第二門極壓接式組件13對所述第三導(dǎo)電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17施加壓合作用力，所述第三導(dǎo)電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17依次設(shè)置于所述銅底板3上。為了實(shí)現(xiàn)所述第三導(dǎo)電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17與銅底板3的固...

電力電子開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種立式晶閘管模塊。背景技術(shù)：電力電子開關(guān)是指利用電子電路以及電力電子器件實(shí)現(xiàn)電路通斷的運(yùn)行單元,至少包括一個可控的電子驅(qū)動器件，如晶閘管、晶體管、場效應(yīng)管、可控硅、繼電器等。其中，現(xiàn)有的晶閘管*能夠?qū)崿F(xiàn)單路控制，不利于晶閘管所在電力系統(tǒng)的投切控制。因此，針對上述問題，有必要提出進(jìn)一步的解決方案。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊，以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種立式晶閘管模塊，其包括：外殼、蓋板、銅底板、形成于所述蓋板上的接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于所述外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元；所述晶閘管單...

晶閘管模塊也被稱為晶體閘流管，也被稱為可控硅模塊：它是一種功率半導(dǎo)體器件。它具有容量大、效率高、可控性好、使用壽命長、體積小等優(yōu)點(diǎn)。它是弱電控制與受控強(qiáng)電之間的橋梁。從節(jié)能的角度看，電力電子技術(shù)被稱為新的電氣技術(shù)。我國能源利用率相對較低。按國民生產(chǎn)單位產(chǎn)值能耗計(jì)算。因此，所以晶閘管為核心的電控裝置是我國有效節(jié)能的重要措施。 晶閘管模塊是過去市場上常用的一種集成模塊。根據(jù)不同的電流規(guī)格，它可以形成各種形式和電流規(guī)格的電路。MTC模塊是一種單臂橋式模塊。根據(jù)芯片電流規(guī)格，它可以形成三個不同功率的（單）交（整）流電路。 正高電氣建立雙方共贏的伙伴關(guān)系是我們孜孜不斷的追求。行車可控硅集成調(diào)壓...

500Vdc）比較大容抗10pf使用溫度范圍-30℃~+75℃電網(wǎng)頻率47-63Hz㈥不同電流等級的固體繼電器的外形㈦LSR的輸入驅(qū)動電路在邏輯電路驅(qū)動時應(yīng)盡可能采用低電平輸出進(jìn)行驅(qū)動，以保證有足夠的帶負(fù)載能力和盡可能低的零電平。下圖為正確的灌電流驅(qū)動的電路圖（一般適合于D3、D2型）：D1型（4-8Vdc）通常與單相或三相LSR移相觸發(fā)器配合使用。A3型（90-430Vac）為交流控制交流型，在90-430Vac極寬的范圍內(nèi)均能可靠觸發(fā)繼電器導(dǎo)通，且輸入與輸出沒有相位要求：㈧LSR過壓的保護(hù)：除LSR內(nèi)部本身有RC吸收回路保護(hù)外，還可以采取并聯(lián)金屬氧化物壓敏電阻（MOV），MOV面積...

在快速無功補(bǔ)償和諧波濾波裝置中，要用晶閘管投切電容器TSC，。執(zhí)行元件晶閘管根據(jù)應(yīng)用場合的不同，有餅式的、模塊的和雙向可控硅的不同結(jié)構(gòu)型式。針對不同的主回路和不同的晶閘管型式，觸發(fā)電路也不同。TSC要求在晶閘管電壓過零點(diǎn)觸發(fā)，確定晶閘管電壓過零點(diǎn)的方法有兩種，一種是從電網(wǎng)電壓取得同步信號，另一種是從晶閘管的陽極和陰極取得過零信號。晶閘管投切電容器的原理晶閘管投切電容器組的關(guān)鍵技術(shù)是必須做到投切時無電流沖擊。晶閘管投切電容器組的原理如圖1所示。圖1晶閘管投切電容器組的原理可控硅晶閘管模塊產(chǎn)品優(yōu)勢特點(diǎn)1.電壓過零觸發(fā)，電流過零斷開，無沖擊電流；2.光電隔離，抗干擾能力強(qiáng)，響應(yīng)時間＜15ms...

大中小電力半導(dǎo)體可控硅普通晶閘管模塊MTC25A2015-06-21共同成長8...展開全文一、產(chǎn)品特點(diǎn)：1、芯片與底板電氣絕緣，2500V交流電壓；2、國際標(biāo)準(zhǔn)封裝；3、真空+充氫保護(hù)焊接技術(shù)；4、壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力；5、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC；6、200A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷，300A以上模塊，既可選用風(fēng)冷，也可選用水冷；7、安裝簡單，使用維修方便，體積小，重量輕。二、型號說明：三、技術(shù)參數(shù)：型號通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復(fù)峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結(jié)溫絕...

在快速無功補(bǔ)償和諧波濾波裝置中，要用晶閘管投切電容器TSC，。執(zhí)行元件晶閘管根據(jù)應(yīng)用場合的不同，有餅式的、模塊的和雙向可控硅的不同結(jié)構(gòu)型式。針對不同的主回路和不同的晶閘管型式，觸發(fā)電路也不同。TSC要求在晶閘管電壓過零點(diǎn)觸發(fā)，確定晶閘管電壓過零點(diǎn)的方法有兩種，一種是從電網(wǎng)電壓取得同步信號，另一種是從晶閘管的陽極和陰極取得過零信號。晶閘管投切電容器的原理晶閘管投切電容器組的關(guān)鍵技術(shù)是必須做到投切時無電流沖擊。晶閘管投切電容器組的原理如圖1所示。圖1晶閘管投切電容器組的原理可控硅晶閘管模塊產(chǎn)品優(yōu)勢特點(diǎn)1.電壓過零觸發(fā)，電流過零斷開，無沖擊電流；2.光電隔離，抗干擾能力強(qiáng)，響應(yīng)時間＜15ms...

電力電子開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種立式晶閘管模塊。背景技術(shù)：電力電子開關(guān)是指利用電子電路以及電力電子器件實(shí)現(xiàn)電路通斷的運(yùn)行單元,至少包括一個可控的電子驅(qū)動器件，如晶閘管、晶體管、場效應(yīng)管、可控硅、繼電器等。其中，現(xiàn)有的晶閘管*能夠?qū)崿F(xiàn)單路控制，不利于晶閘管所在電力系統(tǒng)的投切控制。因此，針對上述問題，有必要提出進(jìn)一步的解決方案。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊，以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種立式晶閘管模塊，其包括：外殼、蓋板、銅底板、形成于所述蓋板上的接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于所述外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元；所述晶閘管單...

它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn)，以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界...

軟恢復(fù)快速整流管(FRD)，旋轉(zhuǎn)整流管(ZX)，大功率組合整流元件，普通晶閘管(KP)，快速晶閘管(KK)，雙向晶閘管(KS)，逆導(dǎo)晶閘管(KN)，可關(guān)斷晶閘管(GTO)，電力晶體管(GTR)發(fā)電機(jī)旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件，各種功率單元。這些元件廣泛應(yīng)用于電化學(xué)電源，充電電源，電機(jī)調(diào)速，感應(yīng)加熱及熱處理等各種整流、逆變和變頻領(lǐng)域。我公司所生產(chǎn)的電力電子器件成功的替代了多種進(jìn)口器件，實(shí)現(xiàn)了自動軋機(jī)原器件的國產(chǎn)化；6K、6G、8K、8G電力機(jī)車原器件也全部由我公司國產(chǎn)化，使用壽命超過了進(jìn)口元件。在自動控制方面，我公司成功開發(fā)出各種工控板，應(yīng)用在各種不同的場合，真正形成了控制方式靈活，保護(hù)齊全，可靠...

晶閘管模塊的工作條件： 1.當(dāng)晶閘管模塊承受正向陽極電壓時，只有在門級承受正向電壓時，晶閘管才打開。此時，晶閘管處于正導(dǎo)通狀態(tài)，這就是晶閘管的晶閘管特性，即可控特性。 2.晶閘管模塊開著時，只要有一定的正極電壓，不管門級電壓是多少，晶閘管都繼續(xù)工作，即晶閘管接通后，門級就失去了功能。門級只會起到觸發(fā)的作用。 3.當(dāng)主電路電壓（或電流）降至接近零時，當(dāng)主電路電壓（或電流）降為零時，晶閘管模塊被關(guān)閉。 4.當(dāng)晶閘管模塊承受反向陽極電壓時，無論門級承受何種電壓，晶閘管都處于反向閉鎖狀態(tài)。在中頻爐中整流側(cè)關(guān)斷時間采用KP-60微秒以內(nèi)，逆變側(cè)關(guān)短時間采用KK-30微秒以內(nèi)。...

所述第三螺栓和第三螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈。此外，所述晶閘管單元中，所述壓塊7上還設(shè)置有絕緣套管。其中，所述絕緣套管與對應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。相類似地，所述第二晶閘管單元中，所述第二壓塊12上還設(shè)置有絕緣套管。其中，所述絕緣套管與對應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。為了實(shí)現(xiàn)門極銅排的安裝，所述外殼1上還設(shè)置有門極銅排安裝座。綜上所述，本發(fā)明的立式晶閘管模塊通過設(shè)置接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠?qū)崿F(xiàn)電力系統(tǒng)的多路控制，有效保證了電力系統(tǒng)的正常運(yùn)行。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特...

晶閘管模塊的散熱方法 晶閘管模塊的功耗主要由導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗和柵極損耗組成。在工頻或400Hz以下的更多應(yīng)用是傳導(dǎo)損耗。為了保證器件的長期可靠運(yùn)行，散熱器及其冷卻方式的選擇與功率半導(dǎo)體模塊設(shè)計(jì)中電流、電壓額定值的選擇同等重要，不容忽視！散熱器常用的散熱方法有：自然空冷、強(qiáng)制空冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。考慮散熱的一般原則是，控制模塊中管芯的連接溫度Tj不超過產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中給出的額定連接溫度。 選擇晶閘管模塊散熱器必須考慮的元素： 1、晶閘管模塊的工作電流決定了所需的冷卻面積。 2、晶閘管模塊的使用環(huán)境。根據(jù)使用環(huán)境冷卻條件來確定何種冷卻方式，包括自然冷卻、強(qiáng)制風(fēng)冷和...

大中小電力半導(dǎo)體可控硅普通晶閘管模塊MTC25A2015-06-21共同成長8...展開全文一、產(chǎn)品特點(diǎn)：1、芯片與底板電氣絕緣，2500V交流電壓；2、國際標(biāo)準(zhǔn)封裝；3、真空+充氫保護(hù)焊接技術(shù)；4、壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力；5、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC；6、200A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷，300A以上模塊，既可選用風(fēng)冷，也可選用水冷；7、安裝簡單，使用維修方便，體積小，重量輕。二、型號說明：三、技術(shù)參數(shù)：型號通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復(fù)峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結(jié)溫絕...

晶體閘流管工作過程編輯晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結(jié)圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構(gòu)成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復(fù)合管當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導(dǎo)通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。因此，兩個互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時，就會形成強(qiáng)烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的...

強(qiáng)型120A增強(qiáng)型150A增強(qiáng)型200A增強(qiáng)型300A增強(qiáng)型400A型號LSR-H3Z50D3LSR-H3Z50D2LSR-H3Z50A3LSR-H3P50D1H3Z70D3H3Z70D2H3Z70A3H3P70D1H3Z90D3H3Z90D2H3Z90A3H3P90D1H3100ZFH3Z1**3H3Z1**2H3Z120A3H3P1**1H3120ZFH3Z150D3H3Z150D2H3P150D1H3150ZEH3Z200D3H3Z200D2H3P200D1H3200ZEH3Z300D3H3Z300D2H3P300D1H3300ZDH3Z400D3H3Z400D2H3P40...