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  • 重慶單相可控硅調壓模塊供應商
    重慶單相可控硅調壓模塊供應商

    可控硅模塊設備相信大家都已經熟悉并了解了,在您了解的知識中,您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎?下面正高電氣來講解一下??煽毓枘K的工作條件:1.當可控硅模塊承受反向陽極電壓時,不管門級承受哪種電壓,可控硅模塊都會處于斷開狀態。2.當可控硅模塊經歷正向陽極電壓時,可控硅只在門級受到正向電壓時接通。3.當可控硅模塊導通時,只需要有一定的正極電壓,不管門極電壓怎樣,可控硅模塊都保持導通,如果可控硅導通后,門極將失去其功能。4..當可控硅模塊導通時,主電路電壓(或電流)減小到接近零時,可控硅模塊關斷。您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎?可控硅模塊導通的條件是陽極承受正電壓,只有當正向觸發電壓時,可控...

  • 煙臺單向可控硅調壓模塊組件
    煙臺單向可控硅調壓模塊組件

    可控硅是可控硅整流器的簡稱。可控硅有單向、雙向、可關斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優點,被用于可控整流、調壓、逆變以及無觸點開關等各種自動控制和大功率的電能轉換的場合。單向可控硅是一種可控整流電子元件,能在外部控制信號作用下由關斷變為導通,但一旦導通,外部信號就無法使其關斷,只能靠去除負載或降低其兩端電壓使其關斷。單向可控硅是由三個PN結PNPN組成的四層三端半導體器件與具有一個PN結的二極管相比,單向可控硅正向導通受控制極電流控制;與具有兩個PN結的三極管相比,差別在于可控硅對控制極電流沒有放大作用??煽毓鑼l件:一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓,二...

  • 天津大功率可控硅調壓模塊批發
    天津大功率可控硅調壓模塊批發

    晶閘管的主要電參數有正向轉折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態重復峰值電壓VDRM、反向重復峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態平均電流IT、門極觸發電壓VG、門極觸發電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉折電壓VBO晶閘管的正向轉折電壓VBO是指在額定結溫為100℃且門極(G)開路的條件下,在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關斷狀態轉變為導通狀態時所對應的峰值電壓。(二)晶閘管斷態重復峰值電壓VDRM斷態重復峰值電壓VDRM,是指晶閘管在正向阻斷時,允許加在A、K(或T1、T2)極間大的峰值電壓。此電壓約為正向轉折電壓減去1...

  • 小功率可控硅調壓模塊組件
    小功率可控硅調壓模塊組件

    并且在交流電壓不變的情況下,方便地控制直流輸出電壓的大小即可控整流,實現交流——可變直流二、交流調壓與調功利用晶閘管的開關特性代替老式的接觸調壓器、感應調壓器和飽和電抗器調壓。為了消除晶閘管交流調壓產生的高次諧波,出現了一種過零觸發,實現負載交流功率的無級調節即晶閘管調功器。交流——可變交流。三、逆變與變頻直流輸電:將三相高壓交流整流為高壓直流,由高壓直流遠距離輸送以減少損耗。增加電力網的穩定,然后由逆變器將直流高壓逆變為50HZ三相交流。直流——交流中頻加熱和交流電動機的變頻調速、串激調速等變頻,交流——頻率可變交流四、斬波調壓(脈沖調壓)斬波調壓是直流——可變直流之間的變換,用在城市電車、...

  • 德州單相可控硅調壓模塊價格
    德州單相可控硅調壓模塊價格

    根據數字集成電路中包含的門電路或元、器件數量,可將數字集成電路分為小規模集成(SSI)電路、中規模集成(MSI)電路、大規模集成(LSI)電路、超大規模集成VLSI電路和特大規模集成ULSI)電路。在這3種故障中,前一種故障表現出電源電壓升高;后2種故障表現為電源電壓變低到零伏或輸出不穩定。此后,人們強烈地期待著能夠誕生一種固體器件,用來作為質量輕、價廉和壽命長的放大器和電子開關。在電子器件的發展史上翻開了新的一頁。但是,這種點接觸型晶體管在構造上存在著接觸點不穩定的致命弱點。在點接觸型晶體管開發成功的同時,結型晶體管論就已經提出,但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導電類...

  • 泰安三相可控硅調壓模塊報價
    泰安三相可控硅調壓模塊報價

    可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不只是整流,還可以用作無觸點開關的快速接通或切斷;實現將直流電變成交流電的逆變;將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等??煽毓韬推渌雽w器件一樣,有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現,使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,成為工業、農業、交通運輸、科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制、機電應用、工業電氣及家電等方面都有的應用。可控硅從外形上區分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應用較多??煽毓韫ぷ髟斫馕隹煽毓杞Y...

  • 進口可控硅調壓模塊配件
    進口可控硅調壓模塊配件

    可控硅的參數有:1、額定通態均勻電流IT正在必然條件下,陽極---陰極間能夠持續通過的50赫茲正弦半波電流的均勻值。2、正向阻斷峰值電壓VPF正在控造極開路未加觸發,陽極正向電壓還未超越導能電壓時,能夠反復加正在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅接受的正向電壓峰值,不克不及超越手冊給出的那個參數值。3、反向阻斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓,處于反向關斷形態時,能夠反復加正在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,不克不及超越手冊給出的那個參數值。4、觸發電壓VGT正在劃定的環境溫度下,陽極---陰極間加有必然電壓時,可控硅從關斷形態轉為導通形態所需要的小控造極電流和電壓。水管以回轉方式固定敷設在金...

  • 東營三相可控硅調壓模塊廠家
    東營三相可控硅調壓模塊廠家

    除此之外整流器件還有很多,如:可關斷晶閘管GTO,逆導晶閘管,雙向晶閘管,整流模塊,功率模塊IGBT,SIT,MOSFET等等,這里只探討晶閘管。晶閘管又名可控硅,通常人們都叫可控硅。是一種功率半導體器件,由于它效率高,控制特性好,壽命長,體積小等優點,自上個世紀六十長代以來,獲得了迅猛發展,并已形成了一門單獨的學科?!熬чl管交流技術”。晶閘管發展到,在工藝上已經非常成熟,品質更好,成品率大幅提高,并向高壓大電流發展。目前國內晶閘管大額定電流可達5000A,國外更大。我國的韶山電力機車上裝載的都是我國自行研制的大功率晶閘管。晶閘管的應用:一、可控整流如同二極管整流一樣,可以把交流整流為直流,并...

  • 臨沂三相可控硅調壓模塊功能
    臨沂三相可控硅調壓模塊功能

    晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓,當其反向漏電電流急劇增加時反對應的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復峰值電壓VRRM反向重復峰值電壓VRRM,是指晶閘管在門極G斷路時,允許加在A、K極間的大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。(六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱通態平均電壓或通態壓降VT,是指在規定環境溫度和標準散熱條件下,當通過晶閘管的電流為額定電流時,其陽極A與陰極K之間電壓降的平均值,通常為。(七)晶閘管門極觸發電壓VGT門極觸發VGT,是指在規定的環境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值正向電壓的條件下,使晶閘管從阻斷狀態轉變為導通狀態所需...

  • 內蒙古進口可控硅調壓模塊哪家好
    內蒙古進口可控硅調壓模塊哪家好

    可控硅可控硅簡稱SCR,是一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中,可作為大功率驅動器件,實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了的應用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接,這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優點是控制電路簡單,沒有反向耐壓問題,因此特別適合做交流無觸點開關使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極...

  • 濱州恒壓可控硅調壓模塊配件
    濱州恒壓可控硅調壓模塊配件

    要學會核價,不管采購任何一種型號的雙向可控硅模塊,在采購前應熟悉它的價格組成,了解你的供應商所生產成品的原料源頭價格,為自己的準確核價打下基礎。這樣談判時,做到知已知彼,百戰百勝。信息來源要廣現今的社會是一個電子化的設備,作為采購人員要由不同的方面收集雙向可控硅模塊的采購信息,地域差別等。選擇適合自己公司發展的雙向可控硅供應商,一個好的供雙向可控硅應商能跟隨著你共同發展,為你的發展出謀劃策,節約成本,管理供應商很省心;不好的供應商則為你的供應商管理帶來很多的麻煩。采購人員的談判技巧也是控制雙向可控硅模塊采購成本的一個重要環??纯丛撃K批量采購的重要性,任何人都懂得道理,批量愈大,所攤銷的費用愈...

  • 西藏恒壓可控硅調壓模塊分類
    西藏恒壓可控硅調壓模塊分類

    但無法使其關斷。要使導通的晶閘管恢復阻斷,可降低陽極電壓,或增大負載電阻,使流過晶閘管的陽極電流減小至維持電流(IH)(當門極斷開時,晶閘管從較大的通態電流降至剛好能保持晶閘管導通所需的小陽極電流叫維持電流),電流會突然降到零,之后再提高電壓或減小負載電阻,電流不會再增大,說明晶閘管已恢復阻斷。根據晶閘管陽極伏安特性,可以總結出:1.門極斷開時。晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大,且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當陽極電壓升到足夠大時,會使晶閘管導通,稱為正向轉折或“硬開通”。多次硬開通會損壞管子。2.晶閘管加上正向陽極電壓后,還必須加上觸發電壓,并產生足夠的觸發電流,才能使晶閘管...

  • 四川單相可控硅調壓模塊生產廠家
    四川單相可控硅調壓模塊生產廠家

    每一塊控制板均經過了嚴格的軟件測試、硬件老化,以確保工作穩定可靠。產品名稱:通用三相晶閘管數控觸發板3.產品型號:ZKD64.適用裝置:主要用于電解、電鍍、充電、直流電機調速(雙閉環)、直流穩壓穩流、電加熱、電磁鐵、交直流電焊機、交流穩壓穩流等晶閘管電源設備。名稱型號適用范圍通用可控整流ZKD6-TY適用于電解,電鍍,充電,穩流穩壓可控整流裝置調壓移相ZKD6-YX適用于三(單)相交流調壓或整流帶電阻,電感負載化工電解ZKD6-HG適用于化工,冶煉行業大電流可控整流裝置充放電ZKD6-CF適用于蓄電池充放電裝置直流電機調速ZKD6-TS適用于直流電機調速裝置發電機勵磁ZKD6-LC適用于同步電...

  • 煙臺可控硅調壓模塊生產廠家
    煙臺可控硅調壓模塊生產廠家

    使用劣質散熱器,散熱體水腔材質差(有的用黃銅),導熱性能差,更嚴重的是蝶型彈簧和三角壓蓋因質量不合格,短時間使用后失去彈性,使管芯與散熱體臺面間的壓力明顯下降,從而影響其散熱效果。用戶沒有必要的安裝設備,更換管芯靠手工安裝很難達到規范的要求。所以我們建議,對于大功率(≥1200A)的晶閘管,建議買廠家成套的元件。因為廠家配套的散熱器質量可靠(質量承諾),同時廠家有所用的安裝模具與設備,確保裝配質量,并且在安裝后重新測試,保證成套元件合格,另外,大功率晶閘管(≥1200A)價格一般每只近千元,有的達數千元,而散熱器每套不過兩百多元,不要因小失大。就當前的水平,我們認為用測量管芯陶瓷外殼溫度的方法...

  • 萊蕪整流可控硅調壓模塊品牌
    萊蕪整流可控硅調壓模塊品牌

    可控硅模塊因為使用的時間的增長,肯定或多或少地出現發熱的這種情況,為了是可控硅正常運行,我們不得不采取一些措施,針對這種發熱的問題,我們將會針對這個問題采取一定的措施,比如購買散熱器,或者其他的種類。所以正高電氣的小編將會針對這個可控硅模塊的問題進行分析一下:1.需要散熱的面積,是與這個模塊的電流有著直接的聯系的。2.采取怎樣的冷卻方式是有這個環境散熱的條件來確定的,比如說:自然去冷卻這個發熱的問題、用強迫的風冷去降溫或者說用水冷卻。3.使用什么樣的散熱器,取決于外形、體積以及空間的大小。鋁型材散熱器是絕大多數用戶將會選擇的,但是為了讓客戶選擇的散熱器滿足實際的要求,還應該學會計算出這個散熱器...

  • 陜西交流可控硅調壓模塊廠家
    陜西交流可控硅調壓模塊廠家

    螺栓式和平板式的晶閘管模塊哪個更好?可控硅模塊在端電力元器件中是非常常見的設備,功能也非常強大,類型有很多,從外形分類有凸型、凹型、半厚型和螺栓型,還有平板型。那么您知道螺栓式和平板式的可控硅模塊哪個更好?下面可控硅生產廠家正高來帶您了解一下。螺栓晶閘管是市場上較早出現的一種整流晶閘管模塊,它是90年代非常受歡迎的晶閘管模塊之一。隨著市場的不斷發展與更新,平板式晶閘管逐漸取代螺栓式晶閘管,無論是在價格、過電流還是安裝維護上,平板式晶閘管都比螺栓晶閘管更有優勢..平板式晶閘管模塊采用沖氮壓接的生產工業;產品的壓降小,過流能力強,一致的觸發特性,電壓特性一致,封裝密封性強,更耐用,壽命更長;平板式...

  • 濰坊小功率可控硅調壓模塊結構
    濰坊小功率可控硅調壓模塊結構

    電力調整器:基于晶閘管(電力電子功率器件)和智能數字控制電路。電源功率控制裝置,簡稱晶閘管功率調節器,又稱晶閘管功率調節器、晶閘管調節器、晶閘管調節器、功率調節器、功率調節器、功率控制器。具有效率高、無機械噪聲和磨損、響應快、體積小、重量輕等優點晶閘管功率調節器“通過對電壓、電流和功率的精確控制,實現精確的溫度控制。應該采用著先進的數字控制的算法,進行優化電源效率。功率調節器在節約電能方面起著重要作用。”廣泛應用于以下領域:1.爐業:退火爐、烘干爐、淬火爐、燒結爐、坩堝爐、隧道爐、功率調節器、箱式爐、井式爐、熔化爐、軋鋼爐、真空爐、臺車爐、淬火熱電爐,老化爐、罩式爐、氣氛爐、烘箱、實驗爐、熱處...

  • 黑龍江整流可控硅調壓模塊價格
    黑龍江整流可控硅調壓模塊價格

    電子元器件包括:電阻、電容器、電位器、電子管、散熱器、機電元件、連接器、半導體分立器件、電聲器件、激光器件、電子顯示器件、光電器件、傳感器、電源、開關、微特電機、電子變壓器、繼電器、印制電路板、集成電路、各類電路、壓電、晶體、石英、陶瓷磁性材料、印刷電路用基材基板、電子功能工藝所用材料、電子膠(帶)制品、電子化學材料及部品等。這樣,當把穩壓管接入電路以后,若由于電源電壓發生波動,或其它原因造成電路中各點電壓變動時,負載兩端的電壓將基本保持不變。我們認為電感器和電容器一樣,也是一種儲能元件,它能把電能轉變為磁場能,并在磁場中儲存能量。集成電路從小規模集成電路迅速發展到大規模集成電路和超大規模集成...

  • 黑龍江雙向可控硅調壓模塊功能
    黑龍江雙向可控硅調壓模塊功能

    晶閘管模塊的更換方法晶閘管模塊是用來調節電壓電器元件,用來避免燒壞或保險絲熔斷。機械的運行是需要電源來供電的,發電機也會產生不同的電壓,電壓的強度由發電機的旋轉速度決定。晶閘管模塊安裝后如何檢測?晶閘管模塊是晶體閘流管的簡稱,又可稱做可控硅整流器,以前被簡稱為可控硅,隨著晶閘管模塊技術的不斷發展晶閘管模塊被應用于越來越多的領域。智能調壓模塊的常用穩壓器,你知道多少?智能調壓模塊常用的穩壓器具有良好的隔離作用,可消除來自電網的尖峰干擾,如果正值,中部處理器則做出電壓減的命令,整個過程全部數字化只需。國產可控硅模塊和進口可控硅模塊的區別是什么?國產可控硅模塊和進口可控硅模塊的區別主要在于芯片及制造...

  • 單向可控硅調壓模塊型號
    單向可控硅調壓模塊型號

    可控硅模塊設備相信大家都已經熟悉并了解了,在您了解的知識中,您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎?下面正高電氣來講解一下??煽毓枘K的工作條件:1.當可控硅模塊承受反向陽極電壓時,不管門級承受哪種電壓,可控硅模塊都會處于斷開狀態。2.當可控硅模塊經歷正向陽極電壓時,可控硅只在門級受到正向電壓時接通。3.當可控硅模塊導通時,只需要有一定的正極電壓,不管門極電壓怎樣,可控硅模塊都保持導通,如果可控硅導通后,門極將失去其功能。4..當可控硅模塊導通時,主電路電壓(或電流)減小到接近零時,可控硅模塊關斷。您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎?可控硅模塊導通的條件是陽極承受正電壓,只有當正向觸發電壓時,可控...

  • 濱州單向可控硅調壓模塊廠家
    濱州單向可控硅調壓模塊廠家

    為何要晶閘管模塊兩端并聯阻容網絡?它的作用是什么呢?晶閘管模塊在電路中具有不可或缺的作用,您也許聽過晶閘管模塊的作用、優勢、應用范圍等等,您聽過晶閘管模塊兩端并聯阻容網絡的作用是什么嗎?接下來正高電氣就來為您介紹為何要晶閘管模塊兩端并聯阻容網絡?它的作用是什么呢?在實際晶閘管模塊電路中,常在其兩端并聯rc串聯網絡,該網絡常稱為rc阻容吸收電路。我們知道,晶閘管模塊有一個重要特性參數-斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管模塊在額定結溫和門極斷路條件下,使晶閘管模塊從斷態轉入通態的較低電壓上升率。若電壓上升率過大,超過了晶閘管模塊的電壓上升率的值,則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加...

  • 臨沂單相可控硅調壓模塊廠家
    臨沂單相可控硅調壓模塊廠家

    電力調整器是一種安裝在磁盤上的功率調節裝置,它使用晶閘管(也稱為晶閘管)及其觸發控制電路來調整負載功率?,F在更多的是利用數字電路觸發晶閘管來實現電壓和功率的調節。它的材料可以是特殊合金材料或非金屬閥板(如碳材料閥板和氧化鋅材料閥板)。不銹鋼鎳鉻合金材料具有高導電性、強流動性、耐高溫性,使用溫度可達1600℃,溫度系數小于℃,阻值穩定,耐腐蝕,韌性好,不變形,可靠性高。所有由合金材料制成的電阻器都是由電阻單元制成的,電阻單元是由亞弧焊接而成的。功率調節單元由耐高溫絕緣體(聚合物)支撐和連接。我們可以根據客戶的不同,提出的要求不同,提供進口電阻,中性點接地電阻為標準產品,可與電阻或電抗并聯運行,當...

  • 河南雙向可控硅調壓模塊功能
    河南雙向可控硅調壓模塊功能

    4:光控電子開關光控電子開關,它的“開”和“關”是靠可控硅的導通和阻斷來實現的,而可控硅的導通和阻斷又是受自然光的亮度(或人為亮度)的大小所控制的。該裝置適合作為街道、宿舍走廊或其它公共場所照明燈,起到日熄夜亮的控制作用,以節約用電。工作原理:電路如上圖所示,220V交流電通過燈泡H及整流全橋后,變成直流脈動電壓,作為正向偏壓,加在可控硅VS及R支路上。白天,亮度大于一定程度時,光敏二極管D呈現底阻狀態≤1KΩ,使三極管V截止,其發射極無電流輸出,單向可控硅VS因無觸發電流而阻斷。此時流過燈泡H的電流≤,燈泡H不能發光。電阻R1和穩壓二極管DW使三極管V偏壓不超過,對三極管起保護作用。夜晚,亮...

  • 浙江小功率可控硅調壓模塊功能
    浙江小功率可控硅調壓模塊功能

    晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓,當其反向漏電電流急劇增加時反對應的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復峰值電壓VRRM反向重復峰值電壓VRRM,是指晶閘管在門極G斷路時,允許加在A、K極間的大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。(六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱通態平均電壓或通態壓降VT,是指在規定環境溫度和標準散熱條件下,當通過晶閘管的電流為額定電流時,其陽極A與陰極K之間電壓降的平均值,通常為。(七)晶閘管門極觸發電壓VGT門極觸發VGT,是指在規定的環境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值正向電壓的條件下,使晶閘管從阻斷狀態轉變為導通狀態所需...

  • 江西單向可控硅調壓模塊批發
    江西單向可控硅調壓模塊批發

    儲存在變壓器中的磁場能量會產生過電壓,顯然在交流側阻容吸收保護電路可以這種過電壓,但由于變壓器過載時儲存的能量比空載時要大,還不能完全消除。措施:能常采用壓敏吸收進行保護。過電流保護一般加快速熔斷器進行保護,實際上它不能保護可控硅,而是保護變壓器線圈。電壓、電流上升率的限制4.均流與晶閘管選擇均流不好,很容易燒壞元件。為了解決均流問題,過去加均流電抗器,噪聲很大,效果也不好,一只一只進行對比,擰螺絲松緊,很盲目,效果差,噪音大,耗能。我們采用的辦法是:用計算機程序軟件進行動態參數篩選匹配、編號,裝配時按其號碼順序裝配,很間單。每一只元件上都刻有字,以便下更換時參考。這樣能使均流系數可達到。公司...

  • 湖北交流可控硅調壓模塊組件
    湖北交流可控硅調壓模塊組件

    每一塊控制板均經過了嚴格的軟件測試、硬件老化,以確保工作穩定可靠。產品名稱:通用三相晶閘管數控觸發板3.產品型號:ZKD64.適用裝置:主要用于電解、電鍍、充電、直流電機調速(雙閉環)、直流穩壓穩流、電加熱、電磁鐵、交直流電焊機、交流穩壓穩流等晶閘管電源設備。名稱型號適用范圍通用可控整流ZKD6-TY適用于電解,電鍍,充電,穩流穩壓可控整流裝置調壓移相ZKD6-YX適用于三(單)相交流調壓或整流帶電阻,電感負載化工電解ZKD6-HG適用于化工,冶煉行業大電流可控整流裝置充放電ZKD6-CF適用于蓄電池充放電裝置直流電機調速ZKD6-TS適用于直流電機調速裝置發電機勵磁ZKD6-LC適用于同步電...

  • 濟寧單向可控硅調壓模塊配件
    濟寧單向可控硅調壓模塊配件

    可控硅晶閘管、整流管等器件在使用時普遍有發熱現象,正高電氣針對目前市場上客戶反饋問題總結出以下處理方案,希望對大家有所幫助。反向阻斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓,處于反向關斷狀態時,可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,不能超過手冊給出的這個參數值。屬選型問題,需改動設計并更換設計要求電流的器件;需要求供應廠家更換合格產品;如銅排的連接,水路,水壓及水的流速,風道風速,散熱器臺面的平整度,安裝緊固力等等。非過零觸發-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發導通可控硅,常見的是移相觸發,即通過改變正弦交流電的導通角(角相位),來改變輸出百分比。:銅排接觸面必須平整光亮,無碳化和污染情況...

  • 山東單相可控硅調壓模塊配件
    山東單相可控硅調壓模塊配件

    電力調整器是利用晶閘管及其觸發控制電路來調節負載功率的圓盤式功率調節裝置?,F在更多的是采用數字電路觸發晶閘管來實現電壓調節和功率調節。那就讓正高電氣的小編帶大家去了解一下它的其他的方面吧!它是一種四層三端半導體器件,連接在電源和負載之間,并配有相應的觸發控制電路板,可調節負載所加的電壓、電流和功率。主要用于各種電加熱裝置(如電加熱工業爐、電烘干機、電油爐、各種反應罐和反應釜的電加熱裝置)的加熱功率調節。它不只可以“手動”調節,還可以用電動調節儀表和智能裝置調節儀表、PLC和計算機控制系統,實現加熱溫度的設定或程序控制。它是采用數字電路觸發晶閘管實現電壓和功率調節。電壓調節采用移相控制方式,功率...

  • 整流可控硅調壓模塊廠家
    整流可控硅調壓模塊廠家

    會對可控硅模塊造成損壞,如果要想保護可控硅不受其損壞,就要了解過電壓的產生原因,從而去避免防止受損,下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞?以及過電壓產生的原因。可控硅模塊對過電壓非常敏感,當正向電壓超過udrm值時,可控硅會誤導并導致電路故障;當施加的反向電壓超過urrm值時,可控硅模塊會立即損壞。因此,需要研究過電壓產生的原因和過電壓的方法。過電壓主要是由于供電電源或系統儲能的急劇變化,使系統轉換太晚,或是系統中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發現,由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型,如雷擊和開關開啟和關閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產生的過電壓是幾微秒到幾...

  • 甘肅交流可控硅調壓模塊生產廠家
    甘肅交流可控硅調壓模塊生產廠家

    設備自身運行中以及非正常運行中也有過電壓出現。過電壓保護的第一種方法是并接R-C阻容吸收回路,以及用壓敏電阻或硒堆等非線性元件加以。過電壓保護的第二種方法是采用電子電路進行保護。3.電流上升率、電壓上升率的保護(1)電流上升率di/dt的可控硅初開通時電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區域,局部電流密度很大,然后以μs的擴展速度將電流擴展到整個陰極面,若可控硅開通時電流上升率di/dt過大,會導致PN結擊穿,必須限制可控硅的電流上升率使其在合適的范圍內。其有效辦法是在可控硅的陽極回路串聯入電感。電壓上升率dv/dt的加在可控硅上的正向電壓上升率dv/dt也應有所限制,如果dv/dt過大,由于晶...

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