應用場景：應用場景也會對輸出電壓范圍產生影響。不同的應用場景對輸出電壓有不同的要求，因此在選擇晶閘管調壓模塊時需要根據具體的應用場景來確定合適的輸出電壓范圍。在實際應用中，晶閘管調壓模塊的輸出電壓范圍因型號和規格的不同而有所差異。一般來說，常見的晶閘管調壓模塊的輸出電壓范圍可以從幾十伏到數千伏不等。以下是一些常見的輸出電壓范圍示例：低壓調壓模塊：適用于低壓電力系統或家用電器等場合，輸出電壓范圍通常在幾十伏到幾百伏之間。公司生產工藝得到了長足的發展，優良的品質使我們的產品深受客戶喜愛。臨沂恒壓晶閘管調壓模塊廠家通過調節高頻電源的電壓，可以實現對電源的穩定輸出，保證高頻設備的高效運行。隨著電力電子...

然而，兩者在結構、工作原理、性能特點以及應用領域等方面存在明顯的差異。晶閘管調壓模塊采用高度集成化的設計，將若干個晶閘管、移相觸發電路、保護電路和電源等部分封裝集成為一個模塊。這種設計使得晶閘管調壓模塊具有體積小、外面的圍接線少、安裝方便等特點。同時，由于采用了先進的SMT工藝和DCB陶瓷基板，晶閘管調壓模塊具有優良的穩定性和可靠性。傳統調壓器通常由鐵芯、線圈、觸點等部分組成，其結構相對復雜。由于采用分立元件構成，傳統調壓器的體積較大，安裝和維護也相對困難。淄博正高電氣交通便利，地理位置優越。上海單向晶閘管調壓模塊報價晶閘管G、K之間是一個PN結，相當于一個二極管，G為正極、K為負極，所以，按...

傳統調壓器主要應用于一些對電壓穩定性要求不高的場合如家庭用電、照明電路等。在這些場合中傳統調壓器可以通過簡單的機械調節方式實現對輸出電壓的調節滿足基本的使用需求。然而在一些對電壓穩定性要求較高的場合如工業自動化、電力系統等領域傳統調壓器已經無法滿足需求需要采用更加先進的晶閘管調壓模塊來實現對電壓的精確控制。隨著電力電子技術的不斷發展和應用領域的不斷拓展晶閘管調壓模塊和傳統調壓器都將面臨新的挑戰和機遇。晶閘管調壓模塊將繼續向高效、節能、環保等方向發展不斷提高其性能和可靠性以滿足更加廣的應用需求。“質量優先，用戶至上，以質量求發展，與用戶共創雙贏”是淄博正高電氣新的經營觀。吉林單相晶閘管調壓模塊型...

工業自動化：在工業自動化領域，晶閘管調壓模塊常用于對交流電源進行調節。由于工業自動化設備對電壓的穩定性要求較高，因此需要選擇具有高穩定性、高精度和快速響應能力的晶閘管調壓模塊。新能源發電：在新能源發電系統中，如光伏發電、風力發電等，晶閘管調壓模塊用于實現最大功率點跟蹤（MPPT）和電壓控制等功能。此時需要關注模塊的轉換效率、溫度系數等參數，以確保其能夠高效、穩定地工作。在選擇晶閘管調壓模塊時，需要了解其基本參數，以便更好地滿足應用需求。淄博正高電氣運用高科技，不斷創新為企業經營發展的宗旨。江蘇整流晶閘管調壓模塊哪家好晶閘管的特性：晶閘管作為調壓模塊的重點元件，其特性直接影響到輸出電壓范圍。不同...

正高談智能晶閘管模塊在電氣控制中的應用晶閘管模塊，出現在1957年，而后隨著半導體技術及其應用技術的不斷發展，使晶閘管模塊在電氣控制領域中發揮了很大的作用，但是，過去人們只能以分立器件的形式把晶閘管用在各種電氣控制裝置中，由分立器件組成的電路復雜、體積大，安裝調試麻煩，可靠性也較差。但是淄博正高電氣生產的智能晶閘管模塊從根本上解決了上述問題，下面一起來看看。智能晶閘管模塊就是將晶閘管模塊主電路與移相觸發電路以及具有控制功能的電路封裝在同一外殼內的新型模塊。智能晶閘管模塊的移相觸發電路為全數字電路，功能電路由單片機完成，并且內置有多路電流、電壓、溫度傳感器，通過模塊上的接插件可將各種控制線引到鍵...

同時，還需要對模塊進行嚴格的測試和驗證，以確保其在實際應用中能夠滿足要求。制造工藝對晶閘管調壓模塊的輸入電壓范圍也有一定影響。制造工藝的優劣直接影響到模塊的性能和可靠性。優良的制造工藝可以確保模塊的電路連接可靠、散熱性能良好、絕緣性能優越等，從而提高模塊的輸入電壓范圍。應用場景也是影響晶閘管調壓模塊輸入電壓范圍的重要因素之一。不同的應用場景對模塊的輸入電壓范圍有不同的要求。例如，在電力系統中，晶閘管調壓模塊需要承受較高的輸入電壓；而在一些低電壓應用中，模塊的輸入電壓范圍可能相對較小。淄博正高電氣多方位滿足不同層次的消費需求。青海進口晶閘管調壓模塊供應商傳統調壓器的調節范圍相對較窄且調節精度不高...

晶閘管的特性是決定晶閘管調壓模塊輸入電壓范圍的關鍵因素之一。不同型號的晶閘管具有不同的額定電壓和電流容量，因此其能夠承受的輸入電壓范圍也有所不同。一般來說，晶閘管的額定電壓越高，其能夠承受的輸入電壓范圍也越寬。然而，過高的輸入電壓也可能導致晶閘管損壞或失效，因此需要在設計時進行充分的考慮和驗證。晶閘管調壓模塊的設計也會影響其輸入電壓范圍。在模塊的設計過程中，需要充分考慮各種因素，如電路拓撲結構、控制策略、散熱設計等，以確保模塊在輸入電壓范圍內能夠穩定工作。淄博正高電氣以創百年企業、樹百年品牌為使命，傾力為客戶創造更大利益！新疆單相晶閘管調壓模塊批發當輸入電壓變化時，傳統調壓器通過調整鐵芯與線圈...

選購可控硅模塊，質量重要還是品牌重要,您在購買東西的時候是比較注重質量呢還是品牌呢？如果是在購買服裝類物品可以注重品牌，但是可控硅模塊類產品的質量問題是不容小視的，輕則損壞設備，重則會產生安全隱患。可控硅模塊類的產品質量問題比品牌重要的多。可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；具有體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結構重復性好，裝置的機械設計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優點，因而在一誕生就受到了各大電力半導體廠家的熱捧，并因此得到長足發展。可控硅模塊的重點不在于它是什么牌子，而是工藝、芯片直流，和壓降大小。所以品質比牌子更重要。...

晶閘管模塊也是可控硅模塊，應用范圍很大，多數應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中，是一種能夠在高電壓、大電流條件下工作，成為一些電路中不可或缺的重要元件。但是在晶閘管模塊是需要注意很多常識，下面一起來看看。1、在選用晶閘管模塊的額定電流時，就要注意，除了要考慮通過元件的平均電流之外，還要注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等諸多因素，與此同時，管殼溫度不得超過相應電流下的允許值。2、使用晶閘管模塊，要用萬用表檢查晶閘管模塊是否良好，發現有短路或者斷路現象時，就要立即更換。3、嚴禁使用兆歐表來檢查元件的絕緣情況。4、電力為5A以上的晶閘管模塊要裝散熱器，并且保證所...

所以正反向峰值電壓參數VDRM、VRRM應保證在正常使用電壓峰值的2-3倍以上，考慮到一些可能會出現的浪涌電壓因素，在選擇代用參數的時候,只能向高一檔的參數選取。2.選擇額定工作電流參數可控硅的額定電流是在一定條件的通態均勻電流IT，即在環境溫度為+40℃和規定冷卻條件，器件在阻性負載的單相工頻正弦半波，導通角不少于l70℃的電路中，當穩定的額定結溫時所答應的通態均勻電流。而一般變流器工作時，各臂的可控硅有不均流因素。可控硅在多數的情況也不可能在170℃導通角上工作，通常是少于這一角度。這樣就必須選用可控硅的額定電流稍大一些，一般應為其正常電流均勻值的。3.選擇關斷時間晶閘管模塊在陽極電流減少...

相信大家對于可控硅模塊并不陌生了，現代在電氣行業的不斷發展，可控硅模塊的使用范圍越來越廣，但是你對可控硅模塊的了解有多少呢，它的主要參數有哪些你知道嗎？下面為大家講解。可控硅模塊的主要參數有：1.額定通態平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2.正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓。可控硅模塊承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。3.反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過...

晶閘管模塊又稱為可控硅模塊，是硅整流裝置中主要的器件，可應用于多種場合，在不同的場合、線路和負載的狀態下，選擇適合的晶閘管模塊的重要參數，使設備運行更良好，使用壽命更長。1.選擇正反向電壓晶閘管模塊在門極無信號，控制電流Ig為0時，在陽（A）逐一陰（K）極之間加（J2）處于反向偏置，所以，器件呈高阻抗狀態，稱為正向阻斷狀態，若增大UAK而達到一定值VBO，可控硅由阻斷忽然轉為導通，這個VBO值稱為正向轉折電壓，這種導通是非正常導通，會減短器件的壽命。所以必須選擇足夠正向重復阻斷峰值電壓（VDRM）。在陽逐一陰極之間加上反向電壓時，器件的一和三PN結（J1和J3）處于反向偏置，呈阻斷狀態。當加大...

可控硅模塊的作用和優勢大家都知道，它的應用范圍是非常廣的，在不同設備上的使用方法也是不一樣的，那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢？下面正高來講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發脈沖Ug時，可控硅模塊被觸發導通。只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導通的時間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導通的時間就晚。只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導通的時間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導...

在這里單結晶體管張弛振蕩器的電源是取自橋式整流電路輸出的全波脈沖直流電壓。在晶閘管模塊沒有導通時，張弛振蕩器的電容器C被電源充電，UC按指數規律上升到峰點電壓UP時，單結晶體管VT導通，在VS導通期間，負載RL上有交流電壓和電流，與此同時，導通的VS兩端電壓降很小，迫使張弛振蕩器停止工作。當交流電壓過零瞬間，晶閘管VS被迫關斷，張弛振蕩器得電，又開始給電容器C充電，重復以上過程。這樣，每次交流電壓過零后，張弛振蕩器發出個觸發脈沖的時刻都相同，這個時刻取決于RP的阻值和C的電容量。調節RP的阻值，就可以改變電容器C的充電時間，也就改變了個Ug發出的時刻，相應地改變了晶閘管的控制角，使負載RL上輸...

正高教你區分可控硅模塊損壞的原因當可控硅模塊損壞后，一定要及時找到損壞的原因，然后立即進行故障處理，下面正高教你如何區分可控硅模塊損壞的原因。當可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時，可把管芯從冷卻套中取出，翻開芯盒再取出芯片，調查其損壞后的痕跡，以判別是何緣由。下面介紹幾種常見表象剖析。電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其方位在遠離操控極上。電壓擊穿。可控硅因不能接受電壓而損壞，其芯片中有一個光亮的小孔，有時需用擴展鏡才干看見。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開時發生的高電壓擊穿。電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞一樣，而其方位在操控極鄰近或就在操控極上。邊際損壞。...

正高教你區分可控硅模塊損壞的原因當可控硅模塊損壞后，一定要及時找到損壞的原因，然后立即進行故障處理，下面正高教你如何區分可控硅模塊損壞的原因。當可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時，可把管芯從冷卻套中取出，翻開芯盒再取出芯片，調查其損壞后的痕跡，以判別是何緣由。下面介紹幾種常見表象剖析。電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其方位在遠離操控極上。電壓擊穿。可控硅因不能接受電壓而損壞，其芯片中有一個光亮的小孔，有時需用擴展鏡才干看見。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開時發生的高電壓擊穿。電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞一樣，而其方位在操控極鄰近或就在操控極上。邊際損壞。...

加在控制極G上的觸發脈沖的大小或時間改變時，就能改變其導通電流的大小。雙向可控硅模塊與單向可控硅模塊的區別是，雙向可控硅G極上觸發脈沖的極性改變時，其導通方向就隨著極性的變化而改變，從而能夠控制交流電負載。而單向可控硅經觸發后只能從陽極向陰極單方向導通，所以可控硅有單雙向之分。雙向可控硅模塊按象限來分，又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅；按封裝分，分為一般半塑封裝、外絕緣式全塑封裝；按觸發電流來分，分為微觸型、高靈敏度型、標準觸發型；按電壓分，常規電壓品種、高壓品種。可控硅模塊由于它在電路應用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發展，...

所以脈沖寬度下應小于300μs，通常取1ms，相當廣50Hz正弦波的18電角度。二、觸發脈沖的型式要有助于可控硅觸模塊發電路導通時間的一致性對于可控硅串并聯電路，要求并聯或者串聯的元件要同一時刻導通，使兩個管子中流過的電流及或承受的電壓及相同。否則，由于元件特性的分散性，在并聯電路中使導通較早的元件超出允許范圍，在串聯電路中使導通較晚的元件超出允許范圍而被損壞，所以，針對上述問題，通常采取強觸發措施，使并聯或者串聯的可控硅盡量在同一時間內導通。三、觸發電路的觸發脈沖要有足夠的移相范圍并且要與主回路電源同步為了保證可控硅變流裝置能在給定的控制范圍內工作，必須使觸發脈沖能在相應的范圍內進行移相。同...

晶閘管模塊又稱為可控硅模塊，是硅整流裝置中主要的器件，可應用于多種場合，在不同的場合、線路和負載的狀態下，選擇適合的晶閘管模塊的重要參數，使設備運行更良好，使用壽命更長。1.選擇正反向電壓晶閘管模塊在門極無信號，控制電流Ig為0時，在陽（A）逐一陰（K）極之間加（J2）處于反向偏置，所以，器件呈高阻抗狀態，稱為正向阻斷狀態，若增大UAK而達到一定值VBO，可控硅由阻斷忽然轉為導通，這個VBO值稱為正向轉折電壓，這種導通是非正常導通，會減短器件的壽命。所以必須選擇足夠正向重復阻斷峰值電壓（VDRM）。在陽逐一陰極之間加上反向電壓時，器件的一和三PN結（J1和J3）處于反向偏置，呈阻斷狀態。當加大...

可控硅智能調壓模塊在電加熱領域的應用傳統的電加熱行業使用的功率器件一般采用分離的單只晶閘管和晶閘管觸發板的方式來完成對變壓器初級或次級的調壓;加熱行業往往工作環境很惡劣，粉塵飛揚，溫度變化較大，濕度較高，長時間工作后會出現觸發板工作失常，造成晶閘管擊穿，導致設備停產，產品報廢等，給生產造成眼中損失。并且普通電工無法完成維修工作，必須專業人員進行操作。為了避免出現上述問題，采用密封性好，工作環境適應能力強，安裝維修方便的可控硅智能調壓模塊來替代傳統的方式。可控硅智能調壓模塊是把主電路與移向觸發系統(即觸發板)集成共同封裝在一個塑料外殼內，從而省去了觸發板與晶閘管之間的連接線、晶閘管與晶閘管之間的...

晶閘管G、K之間是一個PN結，相當于一個二極管，G為正極、K為負極，所以，按照測試二極管的方法，找出三個極中的兩個極，測它的正、反向電阻，電阻小時，萬用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個就是陽極A了。測試晶閘管模塊的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路。接通電源開關S，按一下按鈕開關SB，燈泡發光就是好的，不發光就是壞的。四、晶閘管模塊在電路中的主要用途是什么?普通晶閘管模塊基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構成可控整流電路。現在我畫一個簡單的單相半波可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極...

時效電爐還有烘箱試驗電爐、電阻爐、真空爐以及高溫爐電爐等等2.機械設備像是包裝行業的機械、注塑行業的食品行業的機械以及塑料加工、以及回火設備等等3.玻璃行業也是可以用到的像是玻璃纖維、玻璃融化、印制以及玻璃生產線、退火槽等等4.在汽車行業中也有著噴涂烘干以及熱成型的情況5.像是在照明的這一方面有隧道照明、路燈照明、舞臺上的燈光照明6.對于蒸餾蒸發以及預熱系統、管道加熱以及石油的加工這種化學的行業也是可以的7.其他行業中，電力調整器淬火爐溫控、熱處理爐溫控以及金剛石壓機進行加熱，航空的電源調壓等等以及中央空調電的加熱器進行溫度控制，像是紡織機械行業，水晶石的生產以及石油化工的機械等等這些行業中都...

晶閘管模塊的應用非常廣，大到電氣行業設備中的應用，小到日常生活中的應用，但是如果有使用不當的時候就會造成晶閘管模塊燒壞的情況，下面正高來介紹下晶閘管模塊被燒壞的原因有哪些？晶閘管模塊燒壞都是由溫度過高造成的，而溫度是由晶閘管模塊的電特性、熱特性、結構特性決定的，因此保證晶閘管模塊在研制、生產過程中的質量應從三方面入手：電特性、熱特性、結構特性，而且三者是緊密相連、密不可分的，所以在研制、生產晶閘管模塊時應充分考慮其電應力、熱應力、結構應力。燒壞晶閘管模塊的原因很多，總的說來還是三者共同作用下才致使晶閘管模塊燒壞的，某一單獨的特性下降很難造成品閘管燒壞，因此我們在生產過程中可以充分利用這個特點，...

它是由單結晶體管和RC充放電電路組成的。合上電源開關S后，電源UBB經電位器RP向電容器C充電，電容器上的電壓UC按指數規律上升。當UC上升到單結晶體管的峰點電壓UP時，單結晶體管突然導通，基區電阻RB1急劇減小，電容器C通過PN結向電阻R1迅速放電，使R1兩端電壓Ug發生一個正跳變，形成陡峭的脈沖前沿。隨著電容器C的放電，UE按指數規律下降，直到低于谷點電壓UV時單結晶體管截止。這樣，在R1兩端輸出的是尖頂觸發脈沖。此時，電源UBB又開始給電容器C充電，進入第二個充放電過程。這樣周而復始，電路中進行著周期性的振蕩。調節RP可以改變振蕩周期。九、在可控整流電路的波形圖中，發現晶閘管模塊承受正向...

可控硅模塊的發展及應用來源，可控硅模塊簡稱可控硅，又名晶閘管，通常被稱之為功率半導體模塊，可控硅模塊的優點顯而易見，體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝。下面來看看可控硅模塊的發展和應用。可控硅模塊在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，并且不象繼電器那樣控制時有火花產生，且動作快、壽命長、可靠性好。在調速、調光、調壓、調溫以及其他各種控制電路中都有可控硅的身影。可控硅模塊分為單向可控硅和雙向可控硅，符號也不同。單向可控硅模塊有三個PN結，由外層的P極和N極引出兩個電極，它們分別稱為陽極和陰極，由中間的P極引出一個控制極。單向可控硅模塊有其獨...

可控硅模塊的發展及應用來源，可控硅模塊簡稱可控硅，又名晶閘管，通常被稱之為功率半導體模塊，可控硅模塊的優點顯而易見，體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝。下面來看看可控硅模塊的發展和應用。可控硅模塊在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，并且不象繼電器那樣控制時有火花產生，且動作快、壽命長、可靠性好。在調速、調光、調壓、調溫以及其他各種控制電路中都有可控硅的身影。可控硅模塊分為單向可控硅和雙向可控硅，符號也不同。單向可控硅模塊有三個PN結，由外層的P極和N極引出兩個電極，它們分別稱為陽極和陰極，由中間的P極引出一個控制極。單向可控硅模塊有其獨...

晶閘管模塊也是可控硅模塊，應用范圍很大，多數應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中，是一種能夠在高電壓、大電流條件下工作，成為一些電路中不可或缺的重要元件。但是在晶閘管模塊是需要注意很多常識，下面一起來看看。1、在選用晶閘管模塊的額定電流時，就要注意，除了要考慮通過元件的平均電流之外，還要注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等諸多因素，與此同時，管殼溫度不得超過相應電流下的允許值。2、使用晶閘管模塊，要用萬用表檢查晶閘管模塊是否良好，發現有短路或者斷路現象時，就要立即更換。3、嚴禁使用兆歐表來檢查元件的絕緣情況。4、電力為5A以上的晶閘管模塊要裝散熱器，并且保證所...

晶閘管G、K之間是一個PN結，相當于一個二極管，G為正極、K為負極，所以，按照測試二極管的方法，找出三個極中的兩個極，測它的正、反向電阻，電阻小時，萬用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個就是陽極A了。測試晶閘管模塊的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路。接通電源開關S，按一下按鈕開關SB，燈泡發光就是好的，不發光就是壞的。四、晶閘管模塊在電路中的主要用途是什么?普通晶閘管模塊基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構成可控整流電路。現在我畫一個簡單的單相半波可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極...

晶閘管模塊也是可控硅模塊，應用范圍很大，多數應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中，是一種能夠在高電壓、大電流條件下工作，成為一些電路中不可或缺的重要元件。但是在晶閘管模塊是需要注意很多常識，下面一起來看看。1、在選用晶閘管模塊的額定電流時，就要注意，除了要考慮通過元件的平均電流之外，還要注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等諸多因素，與此同時，管殼溫度不得超過相應電流下的允許值。2、使用晶閘管模塊，要用萬用表檢查晶閘管模塊是否良好，發現有短路或者斷路現象時，就要立即更換。3、嚴禁使用兆歐表來檢查元件的絕緣情況。4、電力為5A以上的晶閘管模塊要裝散熱器，并且保證所...

怎么區分可控硅模塊的損壞緣由當可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時，可把管芯從冷卻套中取出，翻開芯盒再取出芯片，調查其損壞后的痕跡，以判別是何緣由。下面介紹幾種常見表象剖析。電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其方位在遠離操控極上。電壓擊穿。可控硅因不能接受電壓而損壞，其芯片中有一個光亮的小孔，有時需用擴展鏡才干看見。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開時發生的高電壓擊穿。電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞一樣，而其方位在操控極鄰近或就在操控極上。邊際損壞。他發生在芯片外圓倒角處，有細微光亮小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制作廠家裝置不小心所形成的。它...