納米電子器件制造 ? 半導體芯片:在22nm以下制程中,EUV光刻膠(分辨率≤10nm)用于制備晶體管柵極、納米導線等關鍵結構,實現芯片集成度提升(如3nm制程的FinFET/GAA晶體管)。 ? 二維材料器件:在石墨烯、二...
主要應用場景 印刷電路板(PCB): ? 通孔/線路加工:負性膠厚度可達20-50μm,耐堿性蝕刻液(如氯化鐵、堿性氯化銅),適合制作大尺寸線路(線寬/線距≥50μm),如雙面板、多層板的外層電路。 ...
作為東莞松山湖的企業,吉田半導體深耕光刻膠領域 23 年,成功研發出 YK-300 半導體正性光刻膠與 JT-2000 納米壓印光刻膠。YK-300 適用于 45nm 及以上制程,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,良率達 98% 以上,已通過中芯國際等晶圓廠驗證;...
吉田半導體突破光刻膠共性難題,提升行業生產效率,通過優化材料配方與工藝,吉田半導體解決光刻膠留膜率低、蝕刻損傷等共性問題,助力客戶降本增效。 針對傳統光刻膠留膜率低、蝕刻損傷嚴重等問題,吉田半導體研發的 T150A KrF 光刻膠留膜率較同類產品高 8%,密集...
中藥蜜丸的「雙保險外衣」:安宮牛黃丸等傳統中藥的蠟丸內常包裹0.05mm厚的純錫片,錫的化學惰性使其不與中藥成分(如冰片、麝香)發生反應,同時阻擋99%的紫外線,防止有效成分在光照下分解失效。 廚房錫制餐具的「安全哲學」:手工錫制茶壺...
定義與特性 正性光刻膠是一種在曝光后,曝光區域會溶解于顯影液的光敏材料,形成與掩膜版(Mask)圖案一致的圖形。與負性光刻膠(未曝光區域溶解)相比,其優勢是分辨率高、圖案邊緣清晰,是半導體制造(尤其是制程)的主流選擇。 ...
感光機制 ? 重氮型(雙液型):需混合光敏劑(如二疊氮二苯乙烯二磺酸鈉),曝光后通過交聯反應固化,適用于精細圖案(如PCB電路線寬≤0.15mm)。 ? SBQ型(單液型):預混光敏劑,無需調配,感光度高(曝光時間...
制版光刻膠應用場景:印刷電路板(FPC)、觸摸屏(TP)的掩膜版制作,以及光學元件(如衍射光柵)的微納加工。特點:高分辨率與耐化學性,確保模板的長期使用壽命。 水性光刻膠(JT-1200)應用場景:環保要求高的電子元件(如醫療設備、汽車電子)的制造,以及柔...
廣東吉田半導體材料有限公司憑借技術創新與質量優勢,在半導體材料行業占據重要地位。公司聚焦光刻膠、電子膠、錫膏等產品,其中納米壓印光刻膠可耐受 250℃高溫及強酸強堿環境,適用于高精度納米結構制造;LCD 光刻膠以高穩定性和精細度成為顯示面板行業的推薦材料。...
現代科技的「焊接使命」:20世紀80年的時候,貼裝技術(SMT)推動錫片向微米級進化,0.4mm引腳間距的QFP芯片焊接成為可能;21世紀初,無鉛化浪潮促使錫片合金配方從「經驗試錯」轉向「分子模擬設計」,通過原理計算優化Ag、Cu原子排列,焊點可靠性提升5...
關鍵工藝流程 涂布: ? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠,厚度控制在0.1-5μm(依制程精度調整),需均勻無氣泡(旋涂轉速500-5000rpm)。 前烘(Soft Bake): ...
關鍵工藝流程 涂布: ? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠,厚度控制在0.1-5μm(依制程精度調整),需均勻無氣泡(旋涂轉速500-5000rpm)。 前烘(Soft Bake): ...
生產設備與工藝:從設計到制造的“木桶效應” 前端設備的進口依賴 光刻膠生產所需的超臨界流體萃取設備、納米砂磨機等關鍵裝備被德國耐馳、日本光洋等企業壟斷。國內企業如拓帕實業雖推出砂磨機產品,但在研磨精度(如納米...
耐腐蝕性的優化與影響因素 1. 純度與合金成分的影響 ? 純錫:耐腐蝕性好,尤其適合食品接觸或高純度要求場景。 ? 錫合金:添加鉛、銅、銀等元素可能輕微影響耐腐蝕性(如Sn-Pb焊錫在潮濕環境中腐...
主要應用場景 印刷電路板(PCB): ? 通孔/線路加工:負性膠厚度可達20-50μm,耐堿性蝕刻液(如氯化鐵、堿性氯化銅),適合制作大尺寸線路(線寬/線距≥50μm),如雙面板、多層板的外層電路。 ...
國家大基金三期:注冊資本3440億元,明確將光刻膠列為重點投資領域,計劃投入超500億元支持樹脂、光引發劑等原料研發,相當于前兩期投入總和的3倍。 地方專項政策:湖北省對通過驗證的光刻膠企業給予設備采購補貼+稅收減免,武漢太紫微憑借全流程...
耐腐蝕性在不同場景中的體現 1. 食品與醫藥包裝領域 ? 抗有機酸與弱堿腐蝕: 錫對食品中的有機酸(如檸檬酸、醋酸)、弱堿及中性溶液有極強抗性,不會發生明顯腐蝕或溶出有害物質。例如: ? 鍍錫鋼板(馬口...
吉田半導體納米壓印光刻膠 JT-2000:國產技術突破耐高溫極限 自主研發 JT-2000 納米壓印光刻膠耐受 250℃高溫,為國產納米器件制造提供關鍵材料。吉田半導體 JT-2000 納米壓印光刻膠采用國產交聯樹脂,在 250℃高溫下仍保持圖形保...
半導體集成電路 ? 應用場景: ? 晶圓制造:正性膠為主(如ArF/EUV膠),實現20nm以下線寬,用于晶體管柵極、接觸孔等精細結構; ? 封裝工藝:負性膠用于凸點(Bump)制造,厚膠(5-50μm)耐...
現代科技的「焊接使命」:20世紀80年的時候,貼裝技術(SMT)推動錫片向微米級進化,0.4mm引腳間距的QFP芯片焊接成為可能;21世紀初,無鉛化浪潮促使錫片合金配方從「經驗試錯」轉向「分子模擬設計」,通過原理計算優化Ag、Cu原子排列,焊點可靠性提升5...
依托自主研發與國產供應鏈,吉田半導體 LCD 光刻膠市占率達 15%,躋身國內前段企業。吉田半導體 YK-200 LCD 正性光刻膠采用國產樹脂與單體,實現 100% 國產化替代。其分辨率 0.35μm,附著力 > 3N/cm,性能優于 JSR 的 AR-...
工業制造與材料加工 襯墊與密封材料 ? 錫片因延展性強、耐低溫,可作為高溫或高壓環境下的密封墊片(如管道連接、機械部件密封),尤其適合需要無火花、低摩擦的場景(如易燃易爆環境)。 合金基材與鍍層 ...
正性光刻膠 半導體分立器件制造:對于二極管、三極管等半導體分立器件,正性光刻膠可實現精細的圖形化加工,滿足不同功能需求。比如在制作高精度的小尺寸分立器件時,正性光刻膠憑借其高分辨率和良好對比度,能精確刻畫器件的結構,提高器件性能。 ...
國家大基金三期:注冊資本3440億元,明確將光刻膠列為重點投資領域,計劃投入超500億元支持樹脂、光引發劑等原料研發,相當于前兩期投入總和的3倍。 地方專項政策:湖北省對通過驗證的光刻膠企業給予設備采購補貼+稅收減免,武漢太紫微憑借全流程...
晶圓制造(前道工藝) ? 功能:在硅片表面形成高精度電路圖形,是光刻工藝的主要材料。 ? 細分場景: ? 邏輯/存儲芯片:用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠(分辨率0.25-1μm)、14n...
研發投入的“高門檻” 一款KrF光刻膠的研發費用約2億元,而國際巨頭年研發投入超10億美元。國內企業如彤程新材2024年半導體光刻膠業務營收只5.4億元,研發投入占比不足15%,難以支撐長期技術攻關。 2. 價格競爭的“雙重擠壓...
社會學:錫片見證的「生活變遷」 從古代貴族用的錫制酒具,到現代人人可及的馬口鐵飲料罐,錫片的普及史反映了材料民主化進程;而無鉛錫片的推廣,更體現了社會對「科技倫理」的重視——在追求效率的同時,不忘守護人類與環境的長遠健康。 哲...
關鍵應用領域 半導體制造: ? 在晶圓表面涂覆光刻膠,通過掩膜曝光、顯影,刻蝕出晶體管、電路等納米級結構(如EUV光刻膠用于7nm以下制程)。 印刷電路板(PCB): ? 保護電路圖形或作為...
人才與生態:跨學科團隊的“青黃不接” 前段人才的結構性短缺 光刻膠研發需材料化學、半導體工藝、分析檢測等多領域。國內高校相關專業畢業生30%進入光刻膠行業,且缺乏具有10年以上經驗的工程師。日本企業通過“技術導師制”培養人才,...
其他參數規格 純度: ? 純錫片純度通常≥99.95%,電子級可達99.99%以上;合金錫片(如錫銅、錫鋅鎳)根據用途調整成分(如焊料中錫含量常為63%Sn-37%Pb,或無鉛化的99.3Sn-0.7Cu)。 ...