電力熔斷器是熔斷器（fuse）的其中一種，是指當電流超過規(guī)定值時，以本身產生的熱量使熔體熔斷，斷開電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過規(guī)定值一段時間后，以其自身產生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開；運用這種原理制成的一種電流保護器。熔斷器廣泛應用于高低壓配電系...

一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級，小功率鍺管在μA數(shù)量級。溫度升高時，半導體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。 [4]擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時，反向電流會突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿...

若U1與U2的電壓值相同，但與U的電壓值不同，則說明該雙向觸發(fā)二極管的導通性能對稱性良好。若U1與U2的電壓值相差較大時，則說明該雙向觸發(fā)二極管的導通性不對稱。若U1、U2電壓值均與市電U相同時，則說明該雙向觸發(fā)二極管內部已短路損壞。若U1、U2的電壓值均為0...

常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等。可控硅的主要參數(shù)有：1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓VPF...

（3）現(xiàn)今產品多具有智能特點，除保護功能外，還有電量測量、故障記錄，以及通信接口，實現(xiàn)配電裝置及系統(tǒng)集中監(jiān)控管理。2、主要問題（1）價格很高，因此只宜在配電線路首端和特別重要場所的分干線使用；（2）尺寸較大。信息技術設備(ITE)熔斷器標識要求依照GB4943...

在使用IGBT的場合，當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程...

全范圍熔斷器，由高分斷能力熔斷器和噴射式熔斷器串聯(lián)組成的熔斷器，把熔體分成比一般熔斷器多幾倍的并聯(lián)熔體的結構，分斷低過載電流至額定分斷電流的熔斷器。能可靠分斷低過載電流至額定分斷電流的熔斷器。全范圍熔斷器有3種結構形式:①由高分斷能力熔斷器和噴射式熔斷器串聯(lián)組...

正式商用的高壓大電流IGBT器件至今尚未出現(xiàn)，其電壓和電流容量還很有限，遠遠不能滿足電力電子應用技術發(fā)展的需求，特別是在高壓領域的許多應用中，要求器件的電壓等級達到10KV以上。目前只能通過IGBT高壓串聯(lián)等技術來實現(xiàn)高壓應用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司采...

由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。 因此使用中要注意以下幾點：1. 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子...

另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結...

高傳導點接觸型二極管它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差，但使正向電阻變得足夠小。對高傳導點接觸型二極管而言，有SD56、1N56A等等。對高傳導鍵型二極管而言，能夠得到更優(yōu)良的特性。這類二極管，在負荷電阻特別低的情況下，整流效率較高。 在開關電源中,所需...

（3）現(xiàn)今產品多具有智能特點，除保護功能外，還有電量測量、故障記錄，以及通信接口，實現(xiàn)配電裝置及系統(tǒng)集中監(jiān)控管理。2、主要問題（1）價格很高，因此只宜在配電線路首端和特別重要場所的分干線使用；（2）尺寸較大。信息技術設備(ITE)熔斷器標識要求依照GB4943...

路器一般由觸頭系統(tǒng)、滅弧系統(tǒng)、操作機構、脫扣器、外殼等構成。當短路時，大電流（一般10至12倍）產生的磁場克服反力彈簧，脫扣器拉動操作機構動作，開關瞬時跳閘。當過載時，電流變大，發(fā)熱量加劇，雙金屬片變形到一定程度推動機構動作（電流越大，動作時間越短）。有電子型...

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領域中已經(jīng)得到廣泛的應用，在實際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅動器的作用對整個換流系統(tǒng)來說同樣至關重要。驅動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導致 IGBT ...

安裝過程中，螺絲刀決不能對器件塑料體施加任何力量；和接頭片接觸的散熱器表面應處理，保證平坦，10mm上允許偏差0.02mm；安裝力矩（帶墊圈）應在0.55nm 和0.8nm 之間；應避免使用自攻絲螺釘，因為擠壓可能導致安裝孔周圍的隆起，影響器件和散熱器之間的熱...

噴射式熔斷器是將熔體裝在由固體產氣材料制成的絕緣管內。固體產氣材料可采用電工反白紙板或有機玻璃材料等。當短路電流通過熔體時，熔體隨即熔斷產生電弧，高溫電弧使固體產氣材料迅速分解產生大量高壓氣體，從而將電離的氣體帶電弧在管子兩端噴出，發(fā)出極大的聲光，并在交流電流...

實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這...

正式商用的高壓大電流IGBT器件至今尚未出現(xiàn)，其電壓和電流容量還很有限，遠遠不能滿足電力電子應用技術發(fā)展的需求，特別是在高壓領域的許多應用中，要求器件的電壓等級達到10KV以上。目前只能通過IGBT高壓串聯(lián)等技術來實現(xiàn)高壓應用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司采...

螺旋式熔斷器由瓷帽、熔斷管、瓷套、上接線座和下接線座及瓷底座等部分組成。熔斷管內裝有熔絲和石英砂和帶小紅點的熔斷指示器，指示器指示熔絲是否熔斷。石英用于增強滅弧性能。螺旋式熔斷器螺旋式熔斷器的作用與插入式熔斷器相同，用于電氣設備的過載及短路保護。分斷能力較高，...

平面型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過較大的電流，而且性能穩(wěn)定可靠，多用于開關、脈沖及高頻電路中。在半導體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上*選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調...

另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結...

至于型號后綴字母的觸發(fā)電流，各個廠家的**含義如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F(xiàn)=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA，型號沒有后綴字母之觸發(fā)電流，通常為25-35mA；PHILIPS公司的觸發(fā)電流**字母沒有統(tǒng)一的...

點接觸型二極管點接觸型二極管的PN結接觸面積小，不能通過較大的正向電流和承受較高的反向電壓，但它的高頻性能好，適宜在高頻檢波電路和開關電路中使用 [5]。面接觸型二極管面接觸型二極管的PN結接觸面積大，可以通過較大的電流，也能承受較高的反向電壓，適宜在整流電路...

為防止發(fā)生越級熔斷、擴大事故范圍，上、下級（即供電干、支線）線路的熔斷器間應有良好配合。選用時，應使上級（供電干線）熔斷器的熔體額定電流比下級（供電支線）的大1～2個級差。常用的熔斷器有管式熔斷器R1系列、螺旋式熔斷器RLl系列、填料封閉式熔斷器RT0系列及快...

（3）現(xiàn)今產品多具有智能特點，除保護功能外，還有電量測量、故障記錄，以及通信接口，實現(xiàn)配電裝置及系統(tǒng)集中監(jiān)控管理。2、主要問題（1）價格很高，因此只宜在配電線路首端和特別重要場所的分干線使用；（2）尺寸較大。信息技術設備(ITE)熔斷器標識要求依照GB4943...

雙向可控硅屬于NPNPN五層器件，三個電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向導通，故除門極G以外的兩個電極統(tǒng)稱為主端子，用T1、T2表示，不再劃分成陽極或陰極。其特點是，當G極和T2極相對于T1，的電壓均為正時，T2是陽極，T1是陰極。反之，當G極和T2極...

觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管（DIAC）屬三層結構，具有對稱性的二端半導體器件。常用來觸發(fā)雙向可控硅 ，在電路中作過壓保護等用途。圖1是它的構造示意圖。圖2、圖3分別是它的符號及等效電路，可等效于基極開路、發(fā)射極與集電極對稱的NPN型晶體管。因此完全可用二只N...

螺旋式熔斷器由瓷帽、熔斷管、瓷套、上接線座和下接線座及瓷底座等部分組成。熔斷管內裝有熔絲和石英砂和帶小紅點的熔斷指示器，指示器指示熔絲是否熔斷。石英用于增強滅弧性能。螺旋式熔斷器螺旋式熔斷器的作用與插入式熔斷器相同，用于電氣設備的過載及短路保護。分斷能力較高，...

通常為達到更好的驅動效果，IGBT開通和關斷可以采取不同的驅動速度，分別選取 Rgon和Rgoff（也稱 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的。IGBT驅動器有些是開通和關斷分別輸出控制，只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了。有些驅動器只有一個輸出端，這就...

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個，如表1一5所示。正反向重復蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級，1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志，如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示...