在晶閘管導通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時，由于a1和a1迅速下降，當1-（a1+a2）≈0時，晶閘管恢復阻斷狀態。普通可控硅**基本的用途就是可控整流。二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成可控硅...

電力熔斷器的結構與熔斷器的結構大致相同。它主要由熔體、外殼和支座3部分組成，其中熔體是控制熔斷特性的關鍵元件。熔體的材料、尺寸和形狀決定了熔斷特性。熔體材料分為低熔點和高熔點兩類。低熔點材料如鉛和鉛合金，其熔點低容易熔斷，由于其電阻率較大，故制成熔體的截面尺寸...

額定速態平均屯成系列共分為14個，如表1一5所示。正反向重復蜂值屯壓級別規定1000V以下的管子每100V為一級，1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志，如表1-6所示。通態平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示...

當晶閘管全部導通時，靜態閂鎖出現。只在關斷時才會出現動態閂鎖。這一特殊現象嚴重地限制了安全操作區。為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現象，有必要采取以下措施：一是防止NPN部分接通，分別改變布局和摻雜級別。二是降低NPN和PNP晶體管的總電流增益。此外，閂鎖...

快速熔斷器是一種熔斷器的一種，快速熔斷器主要用于半導體整流元件或整流裝置的短路保護。由于半導體元件的過載能力很低。只能在極短時間內承受較大的過載電流，因此要求短路保護具有快速熔斷的能力。快速熔斷器的結構和有填料封閉式熔斷器基本相同，但熔體材料和形狀不同，它是以...

3、調節功率開關器件的通斷速度柵極電阻小，開關器件通斷快，開關損耗??；反之則慢，同時開關損耗大。但驅動速度過快將使開關器件的電壓和電流變化率**提高，從而產生較大的干擾，嚴重的將使整個裝置無法工作，因此必須統籌兼顧。二、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種...

可控硅元件的結構不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個PN結（J1、J2、J3），從J1結構的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導體器件。結構原件可...

敞開式熔斷器結構簡單，熔體完全暴露于空氣中，由瓷柱作支撐，沒有支座，適于低壓戶外使用。分斷電流時在大氣中產生較大的聲光。半封閉式熔斷器的熔體裝在瓷架上，插入兩端帶有金屬插座的瓷盒中，適于低壓戶內使用。分斷電流時，所產生的聲光被瓷盒擋住。管式熔斷器的熔體裝在熔斷...

4、法標熔斷器法標熔斷器具有循環性能強、體積小、構造獨特等特點，適用于占用空間小的小型UPS、小型交流驅動器以及其它小功率應用。 [2]對于高電流保護區，所選熔斷器應具備以下性能： ①容量大，通常在幾十到幾百A； ②能夠承受瞬間高電流、高脈沖； ③安全可靠性高...

IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ，...

電力熔斷器的結構與熔斷器的結構大致相同。它主要由熔體、外殼和支座3部分組成，其中熔體是控制熔斷特性的關鍵元件。熔體的材料、尺寸和形狀決定了熔斷特性。熔體材料分為低熔點和高熔點兩類。低熔點材料如鉛和鉛合金，其熔點低容易熔斷，由于其電阻率較大，故制成熔體的截面尺寸...

低壓熔斷器（low voltage fuse）是2020年公布的電力名詞。低壓熔斷器***用于低壓供配電系統和控制系統中，主要用于短路保護，有時也可用于過載保護。熔斷器串聯在電路中，當電路發生短路或嚴重過載時，熔斷器中的熔體將自動熔斷，從而切斷電路，起到保護作...

5、 維持電流IH 在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。可控...

90年代中期，溝槽柵結構又返回到一種新概念的IGBT，它是采用從大規模集成(LSI)工藝借鑒來的硅干法刻蝕技術實現的新刻蝕工藝，但仍然是穿通(PT)型芯片結構。[4]在這種溝槽結構中，實現了在通態電壓和關斷時間之間折衷的更重要的改進。硅芯片的重直結構也得到了急...

因此，每一熔體都有一**小熔化電流。相應于不同的溫度，**小熔化電流也不同。雖然該電流受外界環境的影響，但在實際應用中可以不加考慮。一般定義熔體的**小熔斷電流與熔體的額定電流之比為**小熔化系數，常用熔體的熔化系數大于1.25，也就是說額定電流為10A的熔體...

光敏二極管是將光信號變成電信號的半導體器件。它的**部分也是一個PN結，和普通二極管相比，在結構上不同的是，為了便于接受入射光照，PN結面積盡量做的大一些，電極面積盡量小些，而且PN結的結深很淺，一般小于1微米。光敏二極管是在反向電壓作用之下工作的。沒有光照時...

表1 IGBT門極驅動條件與器件特性的關系由于IGBT的開關特性和安全工作區隨著柵極驅動電路的變化而變化，因而驅動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當的正向柵壓。并且在...

面接觸型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過較大的電流，而且性能穩定可靠，多用于開關、脈沖及低頻電路中。面接觸型二極管是二極管中的一種。二極管種類有很多，按照所用的半導體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。根據其不同用途，可分為檢波二極管、...

電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數的***、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。當在陽極和陰極之間加上...

這種方法雖然準確但太繁瑣，一般情況下我們可以簡單地利用IGBT數據手冊中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷：如果IGBT數據表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認為Cin=4.5Ci...

表1 IGBT門極驅動條件與器件特性的關系由于IGBT的開關特性和安全工作區隨著柵極驅動電路的變化而變化，因而驅動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當的正向柵壓。并且在...

觸發二極管又稱雙向觸發二極管（DIAC）屬三層結構，具有對稱性的二端半導體器件。常用來觸發雙向可控硅 ，在電路中作過壓保護等用途。圖1是它的構造示意圖。圖2、圖3分別是它的符號及等效電路，可等效于基極開路、發射極與集電極對稱的NPN型晶體管。因此完全可用二只N...

4、法標熔斷器法標熔斷器具有循環性能強、體積小、構造獨特等特點，適用于占用空間小的小型UPS、小型交流驅動器以及其它小功率應用。 [2]對于高電流保護區，所選熔斷器應具備以下性能： ①容量大，通常在幾十到幾百A； ②能夠承受瞬間高電流、高脈沖； ③安全可靠性高...

當正向電壓大于死區電壓以后，PN結內電場被克服，二極管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內，導通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。 [4]當二極管兩端的正向電壓超過一定數值 ，內電場很快被削弱，特性電流迅速增長，...

（3）煤礦中的應用由于發光二極管較普通發光器件具有效率高、能耗小、壽命長、光度強等特點，因此礦工燈以及井下照明等設備使用了發光二極管。雖然還未完全普及，但在不久將得到普遍應用，發光二極管將在煤礦應用中取代普通發光器件。 [6]（4）城市的裝飾燈在當今繁華的商業...

在正常工作情況下，電流可以從引線端子A進入，通過瓷心細孔內的金屬鈉，傳導到不銹鋼外殼，并由出線端子B引出。當短路電流通過熔斷器時，短路電流將瓷心細孔部分的金屬鈉迅速加熱，使之由固體變成高溫高壓狀態的等離子體蒸氣，電阻率迅速增加，從而對短路電流起強烈的限流作用，...

大電流高電壓的IGBT已模塊化，它的驅動電路除上面介紹的由分立元件構成之外，已制造出集成化的IGBT**驅動電路。其性能更好，整機的可靠性更高及體積更小。選擇IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT...

晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結構與符號。它屬于NPNP四層器件，三個電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向導通，故除門極G以外的...

這種方法雖然準確但太繁瑣，一般情況下我們可以簡單地利用IGBT數據手冊中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷：如果IGBT數據表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認為Cin=4.5Ci...

因此，在本征半導體的兩個不同區域摻入三價和五價雜質元素，便形成了P型區和N型區，根據N型半導體和P型半導體的特性，可知在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區域向濃度低的區域擴散，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。 [6]PN...