壓電效應可分為正壓電效應和逆壓電效應。正壓電壓電效應是指：當晶體受到某固定方向外力的作用時,內部就產生電極化現象,同時在某兩個表面上產生符號相反的電荷；當外力撤去后，晶體又恢復到不帶電的狀態；當外力作用方向改變時，電荷的極性也隨之改變；晶體受力所產生的電荷量與...

傳統的壓電陶瓷較其它類型的壓電材料壓電效應要強，從而得到了廣泛應用。但作為大應邊，高能換能材料，傳統壓電陶瓷的壓電效應仍不能滿足要求。于是近幾年來，人們為了研究出具有更優異壓電性的新壓電材料，做了大量工作，現已發現并研制出了Pb(A1/3B2/3)PbTiO3...

檢測方法播報編輯（1）阻值測量法：拆下激光二極管，用萬用表R×1k或R×10k檔測量其正、反向電阻值。正常時，正向電阻值為20~40kΩ之間，反向電阻值為∞（無窮大）。若測得正向電阻值已超過50kΩ，則說明激光二極管的性能已下降。若測得的正向電阻值大于90kΩ...

產生激光的三個條件是：實現粒子數反轉、滿足閾值條件和諧振條件。產生光的受激發射的首要條件是粒子數反轉，在半導體中就是要把價帶內的電子抽運到導帶。為了獲得粒子數反轉，通常采用重摻雜的P型和N型材料構成PN結，這樣，在外加電壓作用下，在結區附近就出現了粒子數反轉—...

試管嬰兒技術給不孕夫婦帶來了希望，越來越多無法自然受孕的夫婦選擇試管嬰兒技術成功迎來自己的寶寶。科學研究表明，健康的胚胎是成功懷孕的關鍵。然而，通過試管嬰兒獲得的胚胎中有40-60%存在染色體異常，胚胎染色體異常的風險隨著孕婦年齡的增長而增加。染色體異常是...

***代試管嬰兒（invitrofertilization,IVF體外受精）解決的是因女性因素引致的不孕第二代試管嬰兒（intracytoplasmicsperminjection,ICSI單精子卵細胞漿內注射）解決因男性因素引致的不育問題第三代試管嬰兒（pr...

簡介播報編輯體細胞核移植（Somatic Cell nuclear transfer）:又稱體細胞克隆，作為動物細胞工程技術的常用技術手段，即把體細胞核移入去核卵母細胞中，使其發生再程序化并發育為新的胚胎，這個胚胎**終發育為動物個體。用核移植方法獲得的動物稱...

胚胎激光破膜儀的應用領域 胚胎激光破膜儀主要用于胚胎活檢（EB）、產前遺傳診斷（PGD）和輔助孵化（AH）等實驗和研究方面。其中，胚胎活檢是指通過對胚胎進行活檢，獲取胚胎內部細胞團（ICM）和外部細胞團（TE）等細胞，以進行基因組學、轉錄組學、蛋白質...

CASA，即計算機輔助精子分析，是一種利用技術手段對精子活力、濃度和形態進行精確評估的方法。WHO第五版指南強調，相比人工檢測，CASA提供更準確的數據和精子動力學參數，如前向運動和超活化運動，以及獲能精子特征參數。研究顯示，CASA檢測的精子參數與體內外受精...

囊胚注射概念囊胚注射（Blastocystinjection）是一種生物技術方法，用于將特定基因或DNA序列導入到胚胎的囊胚階段。這種技術通常用于轉基因研究和基因編輯領域。囊胚是胚胎發育的一個早期階段，特點是胚胎形成囊狀結構，并且內部有胚冠細胞和內細胞群（IC...

基因檢測減少流產和胚胎發育異常風險染色體異常是導致流產和胚胎發育不良的主要原因之一。通過基因檢測，醫生可以篩查出攜帶染色體異常的受精卵，并選擇正常的受精卵進行移植，減少流產和胚胎發育異常的風險。在試管胚胎移植前進行染色體篩查可以有效預防常見染色體異常疾病，如唐...

什么是激光破膜儀 激光破膜儀是一種先進的科學儀器，通過發射激光作用于胚胎，利用其穿透性破壞胚胎的某些結構，從而協助胚胎完成特定的生長發育階段或便于胚胎師對胚胎進行精細操作。這種設備在輔助生殖技術中扮演著重要角色，特別是在處理高齡女性卵子透明帶過硬的問...

物理結構是在發光二極管的結間安置一層具有光活性的半導體，其端面經過拋光后具有部分反射功能，因而形成一光諧振腔。在正向偏置的情況下，LED結發射出光來并與光諧振腔相互作用，從而進一步激勵從結上發射出單波長的光，這種光的物理性質與材料有關。在VCD機中，半導體激光...

20年前，我國育齡人群中的不孕不育率*為3%，處于全世界較低水平。2009中國不孕不育高峰論壇公布的《中國不孕不育現狀調研報告》顯示，全國不孕不育患者人數已超過5000萬，以25歲至30歲人數**多，呈年輕化趨勢。平均每8對育齡夫婦中就有1對面臨生育方面的困難...

在移植前對胚胎的遺傳病和缺陷進行篩查和診斷，將會提高植入率，降低晚期流產的風險和嬰兒的健康。PGS和PGD有什么不同？PGS和PGD都是在移植前檢測胚胎的健康狀況，但**重要的區別是PGS是基因篩查，PGD是基因診斷。PGS是一種基因篩選測試，用于篩選胚胎的所...

試管嬰兒技術給不孕夫婦帶來了希望，越來越多無法自然受孕的夫婦選擇試管嬰兒技術成功迎來自己的寶寶。科學研究表明，健康的胚胎是成功懷孕的關鍵。然而，通過試管嬰兒獲得的胚胎中有40-60%存在染色體異常，胚胎染色體異常的風險隨著孕婦年齡的增長而增加。染色體異常是...

PGS適用人群播報編輯高齡孕婦(年齡≥35歲)反復自然流產史的孕婦（自然流產≥3次）反復胚胎種植失敗的孕婦（失敗≥3次）生育過染色體異常疾病患兒的夫婦染色體數目及結構異常的夫婦注意事項播報編輯選擇了PGS，常規產前檢查仍不可忽視。因為全世界各種遺傳性疾病有40...

工作原理播報編輯圖6 激光二極管晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏...

二、激光打孔技術在薄膜材料中的應用1.微孔加工在薄膜材料中，微孔加工是一種常見的應用場景。利用激光打孔技術，可以在薄膜材料上形成微米級的孔洞，滿足各種不同的應用需求。例如，在太陽能電池板的生產中，利用激光打孔技術可以在硅片表面形成微孔，提高太陽能的吸收效率。在...

1989年Handyside AH首先將PGD成功應用于臨床，用PCR技術行Y染色體特異基因體外擴增，將診斷為女性的胚胎移植入子宮獲妊娠成功。開初的PGD都是用PCR或FISH檢測性別，選女性胚胎移植，幫助有風險生育血友病A、進行性肌營養不良等X連鎖遺傳病后代...

半導體激光二極管的基本結構：垂直于PN結面的一對平行平面構成法布里——珀羅諧振腔，它們可以是半導體晶體的解理面，也可以是經過拋光的平面。其余兩側面則相對粗糙，用以消除主方向外其它方向的激光作用。半導體中的光發射通常起因于載流子的復合。當半導體的PN結加有正向電...

有哪些疾病與染色體有關？染色體/基因異常導致的常見疾病:1.染色體數目丟失(非整倍體):定義:一個健康人有23對染色體，每對都是二倍體，也就是兩對。如果有1，3或更多的染色體，這是染色體數目錯誤的跡象。遺傳性疾病:由異常數字引起的遺傳病有上百種，如21三體即先...

試管嬰兒技術給不孕夫婦帶來了希望，越來越多無法自然受孕的夫婦選擇試管嬰兒技術成功迎來自己的寶寶。科學研究表明，健康的胚胎是成功懷孕的關鍵。然而，通過試管嬰兒獲得的胚胎中有40-60%存在染色體異常，胚胎染色體異常的風險隨著孕婦年齡的增長而增加。染色體異常是...

DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素組成的三元化合物、四元化合物，在1550nm波段內，**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研發日趨成熟，國際上*少數幾家廠商可提供商用產品。優化器件結構，有源區為應變超晶格QW。有源區周邊一般為...

基因檢測減少流產和胚胎發育異常風險染色體異常是導致流產和胚胎發育不良的主要原因之一。通過基因檢測，醫生可以篩查出攜帶染色體異常的受精卵，并選擇正常的受精卵進行移植，減少流產和胚胎發育異常的風險。在試管胚胎移植前進行染色體篩查可以有效預防常見染色體異常疾病，如唐...

基因檢測減少流產和胚胎發育異常風險染色體異常是導致流產和胚胎發育不良的主要原因之一。通過基因檢測，醫生可以篩查出攜帶染色體異常的受精卵，并選擇正常的受精卵進行移植，減少流產和胚胎發育異常的風險。在試管胚胎移植前進行染色體篩查可以有效預防常見染色體異常疾病，如唐...

其它類型LD光模塊激光二極管內置MQWF-P腔LD或DFB-LD、控制電路、驅動電路，輸出光信號。其體積小，可靠性高，使用方便，在城域網、同步傳輸系統、同步光纖網絡中都大量采用2.5Gb/s光發射模塊，10Gb/s、40Gb/s處于初期試用階段，向高速化、低成...

檢測方法播報編輯（1）阻值測量法：拆下激光二極管，用萬用表R×1k或R×10k檔測量其正、反向電阻值。正常時，正向電阻值為20~40kΩ之間，反向電阻值為∞（無窮大）。若測得正向電阻值已超過50kΩ，則說明激光二極管的性能已下降。若測得的正向電阻值大于90kΩ...

激光破膜儀在醫學領域的其他應用 除了在輔助生殖技術中的應用，激光破膜儀還具有以下醫學應用：?***殺菌?：激光可以加快局部血液循環，****防御，抑制細菌等病原體繁殖?34。?促進傷口愈合?：刺激細胞活性，改善微循環，降低***風險?34。?緩解疼痛...

基因檢測減少流產和胚胎發育異常風險染色體異常是導致流產和胚胎發育不良的主要原因之一。通過基因檢測，醫生可以篩查出攜帶染色體異常的受精卵，并選擇正常的受精卵進行移植，減少流產和胚胎發育異常的風險。在試管胚胎移植前進行染色體篩查可以有效預防常見染色體異常疾病，如唐...