每個系統板具有在雙列直插式存儲模塊之間交錯的冷卻管。當這些系統板相對地放置在一起時，每個系統板上的雙列直插式存儲模塊由在另一個系統板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲模塊，同時仍然提供必要的冷卻。這種方法也是安靜的，并且由此可以靠近辦公室員工放置。這種方法也允許容易的維護，而沒有與液體浸入式冷卻系統相關的溢出。盡管參考雙列直插式存儲模塊描述了不同實施例，應當認識到的是，所公開的技術可以用于冷卻任何集成電路或類似的一個或多個系統和系統中的一個或多個元素/部件。圖1是系統100的關系圖，在該系統中可以實施不同實施例。系統100包括計算部件120，所述計算...

滿足短聯結線路要求，滿足佳導熱要求。上層基板可選的可以只有一層金屬層，此金屬層通過聯結pad與元件聯結。上層基板可選的可以只有一層金屬層，此金屬層直接暴露在外，加強導熱。上層基板可選的可以有上下兩層金屬層，內層金屬層通過聯結pad與元件聯結，外層金屬層直接暴露在外，加強導熱。上層基板可選的可以有多層金屬層，除了上下兩層金屬層的內層金屬層通過聯接pad與元件聯結，外層金屬層直接暴露在外，加強導熱以外，上層基板內部還有一層或者多層金屬層，并通過開孔沉金，以完成復雜的集成電路互聯。下層基板可選的一定有一層金屬層，此金屬層上的聯結pad就是此集成電路的聯結pad，留待pcb應用。下層基板可選的...

在互連層a的上表面上方形成多個底電極通孔。多個底電極通孔由介電層圍繞。在一些實施例中，介電層可以沉積在互連層a上方，并且然后選擇性地被圖案化以限定底電極通孔開口。然后通過在底電極通孔開口內的沉積工藝形成多個底電極通孔。在各個實施例中，介電層可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一種或多種。在各個實施例中，多個底電極通孔可以包括導電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個底電極通孔上方形成多個mtj器件、和。多個mtj器件、和分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實施例中，固定層可以形成為接觸底電極通孔。在其它實施例中。自由層可以形成為接觸底...

另一種方法使用將雙列直插式存儲模塊封裝在散熱器中的雙列直插式存儲模塊組件，所述散熱器熱耦聯至循環制冷液體的冷卻管。所公開的實施例以兩個系統板為一對。每個系統板具有在雙列直插式存儲模塊之間交錯的冷卻管。當這些系統板相對地放置在一起時，每個系統板上的雙列直插式存儲模塊由在另一個系統板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲模塊，同時仍然提供必要的冷卻。這種方法也是安靜的，并且由此可以靠近辦公室員工放置。這種方法也允許容易的維護，而沒有與液體浸入式冷卻系統相關的溢出。盡管參考雙列直插式存儲模塊描述了不同實施例，應當認識到的是，所公開的技術可以用于冷卻任何集成電路...

在一些實施例中，集成芯片還包括布置在位于工作mtj器件正上方的存儲單元內的工作mtj器件，工作mtj器件被配置為存儲數據狀態。在一些實施例中，工作mtj器件通過不延伸穿過襯底的連續導電路徑連接在位線和字線之間。在其它實施例中，涉及集成電路。集成電路包括布置在襯底上方的介電結構內的互連層，互連層通過介電結構與襯底分隔開；以及調節mtj器件，布置在互連層正上方并且被配置為存儲數據狀態，工作mtj器件通過包括多個互連層并且不延伸穿過襯底的連續導電路徑電連接在位線和字線之間。在一些實施例中，集成電路還包括調節訪問裝置，其具有連接在字線和工作mtj器件之間的調節mtj器件，調節mtj器件具有通過...

內的工作mtj器件不受寫入操作的步驟的影響，因為非零偏置電壓v(例如。v)和第四非零偏置電壓v(例如，v)之間的差異使得電流i流過存儲單元a,內的調節mtj器件。然而，電流i的兩倍小于切換電流isw，因此沒有將數據狀態寫入至存儲單元a,內的工作mtj器件。類似地，連接至字線wl和wl的工作mtj器件也不受寫入操作的步驟的影響。b的示意圖所示，通過將數據狀態寫入存儲器陣列的行中的存儲單元a,內的工作mtj器件來實施寫入操作的步驟。通過將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl和wl，將非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl和bl并且將第三偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl來實施寫入操...

凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業控制、醫療器械、儀器儀表、安防監控等領域。本公司一直秉承優勢服務，誠信合作的原則，以現代化管理以及優勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關系，為廣大廠商和市場客戶提供優勢的產品服務。在一些實施例中，調節訪問裝置可以包括與工作mtj器件并聯連接的薄膜電阻器和薄膜電阻器。在各個實施例中，調節訪問裝置可以包括具有基本類似的尺寸或具有不同的尺寸的電阻器。存儲器陣列通過多條位線bl至bl和多條字線wl至wl連接至控制電路。在一些實施例中。控制電路包括連接至多條位線bl至bl的位線解碼...

所述調節訪問裝置包括被配置為控制提供給所述工作磁隧道結器件的電流的一個或多個調節磁隧道結器件。根據的另一個方面，提供了一種集成電路，包括：互連層，布置在襯底上方的介電結構內，其中，所述互連層通過所述介電結構與所述襯底分隔開；以及工作mtj器件，布置在所述互連層正上方并且被配置為存儲數據狀態，其中，所述工作mtj器件通過包括多個互連層且不延伸穿過所述襯底的連續導電路徑電連接在位線和字線之間。根據的又一個方面，提供了一種形成集成電路的方法。包括：在襯底上方形成互連層。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發與銷售；國...

所述方法包括：提供兩個印刷電路裝配件，每個所述印刷電路裝配件包括：系統板，在所述系統板上的多個印刷電路板插座，多個液體冷卻管，每個所述液體冷卻管鄰接于所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座地耦聯至所述系統板，連接至所述印刷電路板插座的多個集成電路模塊，和多個散熱器，每個所述散熱器與所述集成電路模塊中的一個集成電路模塊熱耦聯；以及將所述印刷電路裝配件彼此相對地布置，使得所述兩個印刷電路裝配件的集成電路模塊彼此交錯，并且所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件的液體冷卻管熱耦聯。附圖說明參考下列附圖，根據一個或多個不同實施例詳細描述了本公開。附圖出于...

產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業控制、醫療器械、儀器儀表、安防監控等領域。所述頂表面由越過印刷電路板的與連接側相對的側延伸的一個或多個側板形成。這些特征將在下面更詳細地討論。圖a示出了根據一個實施例的兩個相同的印刷電路裝配件a和b。印刷電路裝配件a和b中的每個包括系統板，多個印刷電路板插座平行地安裝在系統板上，所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座標記為。冷卻管6鄰接地且平行于每個印刷電路板插座地安裝。熱接口材料層在冷卻管的與系統板相對的一側布置在每個冷卻管6上，并且熱耦聯至該冷卻管6。多個雙列直插式存儲模塊組件電耦聯至系統板，所述雙列直插式存儲模塊組件中的一個雙列直插式存...

圖a至圖b示出了包括存儲器電路的集成芯片的一些額外實施例，該存儲器電路具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調節訪問裝置。圖a示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例的示意圖，調節訪問裝置包括調節mtj器件、調節mtj器件和第三調節mtj器件。調節mtj器件連接在字線(例如，wl)和偏置電壓線(例如，bvl)之間，調節mtj器件連接在字線(例如，wl)和偏置電壓線(例如，bvl)之間，第三調節mtj器件連接在偏置電壓線(例如，bvl)和工作mtj器件之間。工作mtj器件連接在第三調節mtj器件和位線(例如，bl)之間。包含第三調節mtj器件在產生不同的電阻來控制相關的...

字線解碼器被配置為選擇性地將信號施加至連接至存儲器陣列的一條或多條字線wl至wl，并且位線解碼器被配置成選擇性地將信號施加至連接至存儲器陣列的一條或多條位線bl至bl。通過選擇性地將信號施加至一條或多條字線wl至wl和一條或多條位線bl至bl，可以在相互排斥的情況下選擇性地訪問多個工作mtj器件中的不同工作mtj器件。例如，圖a至圖b示出了圖的存儲器電路的寫入操作的一些實施例的示意圖和。示意圖和所示的寫入操作是實施寫入操作的方法的非限制性實例。在其它實施例中，可以可選地使用實施寫入操作的其它方法。圖a至圖b中示出的寫入操作在步驟。圖a所示)期間將數據狀態寫入至存儲器陣列的一行中的一個或...

介電結構還圍繞多個導電互連層a至c。在一些實施例中，介電結構可以包括多個堆疊的ild層。在各個實施例中，多個堆疊的ild層可以包括氧化硅、氟摻雜的氧化硅、碳摻雜的氧化硅等的一種或多種。在各個實施例中，多個導電互連層a至c可以包括銅、鋁、鎢、碳納米管等。存儲單元a,和存儲單元b,分別包括調節訪問裝置和工作mtj器件。調節訪問裝置連接至限定多條字線wl至wl的互連層a。多條字線wl至wl中的兩個連接至圖的存儲器陣列的一行內的相應存儲單元。例如，字線wl至wl可以連接至行中的存儲單元a,，并且字線wl至wl可以連接至行中的存儲單元b,。在一些實施例中，多條字線wl至wl可以與襯底分隔開非零距...

在互連層a的上表面上方形成多個底電極通孔。多個底電極通孔由介電層圍繞。在一些實施例中，介電層可以沉積在互連層a上方，并且然后選擇性地被圖案化以限定底電極通孔開口。然后通過在底電極通孔開口內的沉積工藝形成多個底電極通孔。在各個實施例中，介電層可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一種或多種。在各個實施例中，多個底電極通孔可以包括導電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個底電極通孔上方形成多個mtj器件、和。多個mtj器件、和分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實施例中，固定層可以形成為接觸底電極通孔。在其它實施例中。自由層可以形成為接觸底...

下基板上的上層金屬層、下層金屬層以及上層金屬層上聯結pad、，下層金屬層上的聯結pad、、、6。上基板與下基板聯結用的沉金、。深圳市美信美科技有限公司于年月日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業控制、醫療器械、儀器儀表、安防監控等領域。下基板的上層金屬層、下層金屬層通孔沉金、，用于中間填充層的，上基板中間層、下基板中間層。圖示出依據本申請一實施例的雙芯片集成電路封裝結構，包括上基板、元件、元...

所述調節訪問裝置包括被配置為控制提供給所述工作磁隧道結器件的電流的一個或多個調節磁隧道結器件。根據的另一個方面，提供了一種集成電路，包括：互連層，布置在襯底上方的介電結構內，其中，所述互連層通過所述介電結構與所述襯底分隔開；以及工作mtj器件，布置在所述互連層正上方并且被配置為存儲數據狀態，其中，所述工作mtj器件通過包括多個互連層且不延伸穿過所述襯底的連續導電路徑電連接在位線和字線之間。根據的又一個方面，提供了一種形成集成電路的方法。包括：在襯底上方形成互連層。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發與銷售；國...

連接至字線wl和wl的工作mtj器件也不受寫入操作的步驟的影響。b的示意圖所示，通過將數據狀態寫入存儲器陣列的行中的存儲單元a,內的工作mtj器件來實施寫入操作的步驟。通過將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl和wl，將非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl和bl并且將第三偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl來實施寫入操作的步驟。非零偏置電壓v(例如，v)和第三偏置電壓v(例如，v)之間的差異使得電流i流過存儲單元a,內的調節mtj器件。電流i小于切換電流isw，使得存儲單元a,內的調節mtj器件的狀態不變。然而，電流i(其流過存儲單元a。內的工作mtj器件)的兩倍大于切換電流i...

調節訪問裝置包括調節mtj器件和調節mtj器件。調節mtj器件、調節mtj器件和工作mtj器件分別包括垂直布置在底電極通孔和頂電極通孔之間的mtj。在一些實施例中，頂電極通孔可以通過通孔(例如，銅通孔)連接至上面的互連層。在一些實施例中，底電極通孔和頂電極通孔可以包括金屬，諸如氮化鈦(tin)、氮化鉭(tan)、鈦(ti)、鉭(ta)等。在一些實施例中，互連層b從調節mtj器件正上方連續延伸至調節mtj器件正上方。調節mtj器件、調節mtj器件和工作mtj器件分別包括由介電遂穿阻擋層分隔開的自由層和固定層。自由層具有被配置為響應于電信號(例如，電流)而改變的磁矩。固定層具有固定的磁取向...

本申請涉及一種集成電路封裝結構，尤其是集成電路的小型化與高功率密度化的封裝結構。背景技術：集成電路在滿足摩爾定律的基礎上尺寸越做越小。尺寸越小，技術進步越困難。而設備的智能化，小型化，功率密度的程度越來越高，為解決設備小型化，智能化，超高功率密度這些問題，不但需要提升各種功能的管芯的功能，效率，縮小其面積，體積；還需要在封裝技術層面上完成小型化，集成化，高功率密度化等技術要求，并解決由此帶來的集成電路的散熱問題，生產工藝復雜，生產周期長，生產成本高等問題。現有很多集成電路封裝結構，有沿用常規的封裝方式，采用框架安裝各種管芯，采用線材鍵合作電氣聯結，在功率較大時，常常采用較粗的鍵合線和較...

所述方法包括：提供兩個印刷電路裝配件，每個所述印刷電路裝配件包括：系統板，在所述系統板上的多個印刷電路板插座，多個液體冷卻管，每個所述液體冷卻管鄰接于所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座地耦聯至所述系統板，連接至所述印刷電路板插座的多個集成電路模塊，和多個散熱器，每個所述散熱器與所述集成電路模塊中的一個集成電路模塊熱耦聯；以及將所述印刷電路裝配件彼此相對地布置，使得所述兩個印刷電路裝配件的集成電路模塊彼此交錯，并且所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件的液體冷卻管熱耦聯。附圖說明參考下列附圖，根據一個或多個不同實施例詳細描述了本公開。附圖出于...

與集成電路204熱耦聯的第二熱接口材料層206；以及與第二熱接口材料層206熱耦聯的能夠移除的散熱器208，所述散熱器208具有越過印刷電路板202的與連接側304相對的側延伸的頂表面302。在906處，將兩個印刷電路裝配件相對地放置在一起，使得所述印刷電路裝配件400中的每個印刷電路裝配件上的散熱器208的頂表面302與另一個印刷電路裝配件400上的熱接口材料層408接觸，并且與該熱接口材料層408熱耦聯。在908處，流程900包括將每個冷卻管406的端部耦聯至分流管606a，以及將每個冷卻管406的第二端部耦聯至第二分流管606b。在910處，流程900包括將泵110、熱交換器11...

化學機械平坦化工藝)以形成互連層b。的截面圖所示，可以在存儲單元a,上方形成存儲單元b,。存儲單元b。可以包括工作mtj器件和調節訪問裝置，調節訪問裝置具有形成在第三互連層c和第四互連層d之間的調節mtj器件和。存儲單元b,可以根據與關于圖至圖描述的那些類似的步驟形成。出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法的一些實施例的流程圖，該存儲器電路包括具有調節訪問裝置的存儲單元(例如，mram單元)，該調節訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。雖然方法示出和描述為一系列步驟或事件，但是應該理解，這些步驟或事件的示出的順序不被解釋為限制意義。例如。一些步驟可以以不同的順序發生和/或與...

提供的通過mtj器件的電流必須大于切換電流(即，臨界切換電流)。不大于切換電流的電流將不會導致電阻狀態之間的切換，并且因此不會將數據寫入存儲器陣列內的mtj器件。在一些實施例中。公開的寫入操作可以在調節mtj器件(例如，圖中的至)處于高電阻狀態來實施，以在選擇和未選擇的單元之間提供隔離。a的示意圖所示，寫入操作的步驟通過將數據狀態寫入存儲器陣列的行中的存儲單元a,和第三存儲單元a,內的工作mtj器件來實施。通過將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl和wl，將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl，將第三非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl和bl，并且將第四非零偏置電壓v(例如...

集成電路還包括連接在調節mtj器件和工作mtj器件之間的偏置電壓線，偏置電壓線連接至偏置電路，偏置電路被配置為選擇性地將偏置電壓施加至偏置電壓線。在又一些其它實施例中，涉及一種形成集成電路的方法。該方法包括在襯底上方形成互連層；在互連層正上方形成多個mtj器件，多個mtj器件包括工作mtj器件和一個或多個調節mtj器件，調節mtj器件被配置為選擇性地控制流至工作mtj器件的電流；以及在多個mtj器件上方形成互連層，互連層和互連層中的一個或兩個限定位線和一條或多條字線。在一些實施例中，一個或多個調節mtj器件分別包括固定層、自由層和設置在固定層和自由層之間的介電阻擋層。在一些實施例中，該...

在互連層的連續上表面正上方形成多個底電極通孔。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。在步驟中。在多個底電極通孔正上方形成多個mtj器件。多個mtj器件包括工作mtj器件和一個或多個調節mtj器件。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。在步驟中，在多個mtj器件正上方形成多個頂電極通孔。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。在步驟中，在多個頂電極通孔上方形成具有多個互連結構的互連層。多個互連結構限定位線和一條或多條字線。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。步驟至在襯底上方形成存儲單元。在一些實施例中，可以重復步驟至(如步驟所示)以在存儲單元上方形成存儲單元。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。...

另一種方法使用將雙列直插式存儲模塊封裝在散熱器中的雙列直插式存儲模塊組件，所述散熱器熱耦聯至循環制冷液體的冷卻管。所公開的實施例以兩個系統板為一對。每個系統板具有在雙列直插式存儲模塊之間交錯的冷卻管。當這些系統板相對地放置在一起時，每個系統板上的雙列直插式存儲模塊由在另一個系統板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲模塊，同時仍然提供必要的冷卻。這種方法也是安靜的，并且由此可以靠近辦公室員工放置。這種方法也允許容易的維護，而沒有與液體浸入式冷卻系統相關的溢出。盡管參考雙列直插式存儲模塊描述了不同實施例，應當認識到的是，所公開的技術可以用于冷卻任何集成電路...

公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業控制、醫療器械、儀器儀表、安防監控等領域。本公司一直秉承優勢服務，誠信合作的原則，以現代化管理以及優勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關系，為廣大廠商和市場客戶提供優勢的產品服務。的實施例總體涉及半導體領域，更具體地，涉及集成電路及其形成方法。背景技術：許多現代電子器件包含配置為存儲數據的電子存儲器。電子存儲器可以是易失性存儲器或非易失性存儲器。...

以在選擇和未選擇的單元之間提供隔離。a的示意圖所示，寫入操作的步驟通過將數據狀態寫入存儲器陣列的行中的存儲單元a,和第三存儲單元a,內的工作mtj器件來實施。通過將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl和wl，將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl，將第三非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl和bl，并且將第四非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl來實施寫入操作的步驟。非零偏置電壓v(例如，v)和第三非零偏置電壓v(例如，v)之間的差異使得電流i流過存儲單元a,和第三存儲單元a,內的調節mtj器件。電流i小于切換電流isw，使得存儲單元a,和第三存儲單元a。內的調節mtj器件...

與集成電路204熱耦聯的第二熱接口材料層206；以及與第二熱接口材料層206熱耦聯的能夠移除的散熱器208，所述散熱器208具有越過印刷電路板202的與連接側304相對的側延伸的頂表面302。在906處，將兩個印刷電路裝配件相對地放置在一起，使得所述印刷電路裝配件400中的每個印刷電路裝配件上的散熱器208的頂表面302與另一個印刷電路裝配件400上的熱接口材料層408接觸，并且與該熱接口材料層408熱耦聯。在908處，流程900包括將每個冷卻管406的端部耦聯至分流管606a，以及將每個冷卻管406的第二端部耦聯至第二分流管606b。在910處，流程900包括將泵110、熱交換器11...

調節訪問裝置被配置為通過控制提供給工作mtj器件的電流來選擇性地對存儲器陣列內的一個或多個工作mtj器件提供訪問。在一些實施例中，調節訪問裝置可以包括一個或多個調節mtj器件，一個或多個調節mtj器件分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層b與自由層b分隔開的固定層b。例如，在一些實施例中，調節訪問裝置可以包括與相關的工作mtj器件連接的并聯連接的調節mtj器件和調節mtj器件。在一些實施例中。調節mtj器件、調節mtj器件和工作mtj器件分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實施例中，固定層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、...