溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號并輸出。在一實施例中，測溫單元為一熱電阻傳感結構，其具體形成過程為：步驟s：在氧化硅薄膜上淀積一層金屬層，金屬層為金屬鉑層，金屬鉑層呈連續弓字形結構。參考圖所示，在氧化硅薄膜上淀積一層金屬層，該金屬層可為金屬鉑層，即熱電阻傳感結構選用鉑熱電阻。在另一實施例中，也可選用其他電阻溫度系數較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸，在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積，將鉑熱電阻做成連續弓字形結構(如圖所示)。步驟s：在所述金屬鉑層外側兩端各淀積一層第二金屬層，用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。繼續參見圖和圖，在金屬鉑層外側兩端淀積一層第二金屬...

使氧化硅薄膜結構更加穩定。步驟s130：在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元，所述測溫單元用于感測環境溫度。在溫度傳感器基作完成后，需要做基底上形成測溫單元，測溫單元是溫度傳感器的工作單元，溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號并輸出。在一實施例中，測溫單元為一熱電阻傳感結構，其具體形成過程為：步驟s131：在氧化硅薄膜上淀積一層金屬層，金屬層為金屬鉑層，金屬鉑層呈連續弓字形結構。參考圖3所示，在氧化硅薄膜23上淀積一層金屬層30，該金屬層30可為金屬鉑層，即熱電阻傳感結構選用鉑熱電阻。在另一實施例中，也可選用其他電阻溫度系數較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸，在小尺寸的基底...

會在半導體內部產生溫差電動勢，不同類型的半導體其溫差電動勢不同，將兩種半導體兩端連接形成閉合回路時，在回路中有電流產生，半導體兩端的溫差不同時，所產生的電動勢不同。在本方案中，采用n型半導體和p型半導體構成塞貝克結構且多個塞貝克結構串聯，可以增強溫度傳感器的靈敏度。在一實施例中，可以將溫度傳感器兩輸出端子作為冷端且保持冷端溫度恒定，將串聯的多晶硅層作為熱端感測實際環境溫度，當環境溫度發生變化時，冷端和熱端的溫差發生變化，因此冷端的電勢會發生變化，與顯示儀表連接后，顯示儀表會顯示熱電偶受當前環境溫度影響得到的電勢所對應的熱端溫度，即當前環境溫度。通常，形成測溫單元還包括鈍化步驟，即，步驟...

需要在對應溫度傳感器引出端子處開設通孔，通過通孔可引出輸出端子。在本實施例中，是在外側多晶硅端部的金屬鋁上方的鈍化層開設通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層，也可為疊設的氧化硅層和氮化硅層。上述溫度傳感器制備方法，可以得到氧化硅薄膜，且氧化硅薄膜與硅通過空腔隔離，空腔下方的硅不會影響上方氧化硅薄膜的隔離效果，因此無需通過深槽刻蝕工藝將多余的硅刻蝕掉。簡化了制備過程。節約制備時間，節省了制備成本。由于氧化硅薄膜導熱率低，將測溫單元制備在氧化硅薄膜上，具有較好的測溫效果。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發與銷售；...

基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔；和測溫單元，測溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上，所述測溫單元用于感測環境溫度。如圖c所示，基底包括硅片和氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔。測溫單元是溫度傳感器的工作單元，溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號并輸出，在本方案中，測溫單元形成于氧化硅薄膜上且位于空腔上方。在一實施例中，測溫單元為一熱電阻傳感結構，包括：金屬層，金屬層為金屬鉑層，金屬鉑層呈連續弓字形結構；和第二金屬層，位于金屬鉑層外側兩端，用于引出溫度傳感器的輸出端子。如圖和圖所示，氧化硅薄膜上淀積有一層金屬層，該金屬層為金屬鉑層...

圖為與圖對應的溫度傳感器俯視圖；圖為另一實施例中溫度傳感器側視圖；圖為與圖對應的溫度傳感器俯視圖。具體實施方式為了便于理解，下面將參照相關附圖對進行更的描述。附圖中給出了的實施例。但是，可以以許多不同的形式來實現，并不限于本文所描述的實施例。相反地。提供這些實施例的目的是使對的公開內容更加透徹。除非另有定義。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR。凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業控制...

涉及溫度傳感器領域，特別是涉及一種溫度傳感器制備方法及溫度傳感器。背景技術：溫度傳感器包括測溫單元和承載該測溫單元的基底。溫度傳感器通常以導熱率低的材料做基底，如在二氧化硅上淀積測溫材料形成溫度傳感器。在工藝制程中，通過氧化硅片以在硅片表面生產一層二氧化硅，其中，二氧化硅的導熱率較低，但是硅的導熱率較高，為避免通過基底下部的硅導熱，通常還需通過深槽刻蝕的方式對氧化硅層背面的硅進行刻蝕，如通過氫氧化鉀的刻蝕液進行濕法刻蝕，也可用深反應離子刻蝕(deepreactiveionetching)工藝進行干法刻蝕。無論是濕法刻蝕還是干法刻蝕，其工藝時間都會較長且成本較高。技術實現要素：基于此，有...

涉及溫度傳感器領域，特別是涉及一種溫度傳感器制備方法及溫度傳感器。背景技術：溫度傳感器包括測溫單元和承載該測溫單元的基底。溫度傳感器通常以導熱率低的材料做基底，如在二氧化硅上淀積測溫材料形成溫度傳感器。在工藝制程中，通過氧化硅片以在硅片表面生產一層二氧化硅，其中，二氧化硅的導熱率較低，但是硅的導熱率較高，為避免通過基底下部的硅導熱，通常還需通過深槽刻蝕的方式對氧化硅層背面的硅進行刻蝕，如通過氫氧化鉀的刻蝕液進行濕法刻蝕，也可用深反應離子刻蝕(deepreactiveionetching)工藝進行干法刻蝕。無論是濕法刻蝕還是干法刻蝕，其工藝時間都會較長且成本較高。技術實現要素：基于此，有...

空腔上方為殘留的未氧化的硅以及在硅上生成的氧化硅薄膜，通過刻蝕工藝去除上方的氧化硅薄膜，保留空腔上方的硅，此時硅的厚度減小，繼續通過上述熱氧化、刻蝕和熱氧化的循環工藝逐漸減小空腔上方硅的厚度，直至后一次熱氧化后空腔上方的硅全部生成氧化硅薄膜，由此實現上層氧化硅薄膜與下層硅通過空腔隔離。此時，溫度傳感器的基作完成。在一實施例中，在得到上述氧化硅薄膜后還可在氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜，由于氧化硅內部存在較大的應力，氧化硅薄膜容易斷裂。在氧化硅薄膜上面再淀積一層氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜，可以平衡氧化硅內部應力。使氧化硅薄膜結構更加穩定。步驟s：在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元...

再在高溫環境下進行退火，由于高溫環境下硅原子會發生遷移，硅原子發生遷移后硅片內部的結構會發生改變，之前的若干溝槽會相互連通以在硅片內部形成一空腔結構。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜，然后在氧化硅薄膜上淀積測溫材料形成測溫單元，測溫單元用于感測環境溫度，從而得到溫度傳感器。通過本方案得到的溫度傳感器，其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化硅薄膜和位于空腔下部的硅，即氧化硅薄膜和硅通過空腔隔開，基底下部的硅不會影響上部氧化硅的隔熱效果，因此無需通過刻蝕工藝將基底下部的硅刻蝕掉，從而縮短產品制備的時間，且節約了成本。在其中一個實施例中，所述溝槽的寬度范圍為μm～1μm，所述溝...

半導體兩端的溫差不同時，所產生的電動勢不同。在本方案中，采用n型半導體和p型半導體構成塞貝克結構且多個塞貝克結構串聯，可以增強溫度傳感器的靈敏度。在一實施例中，可以將溫度傳感器兩輸出端子作為冷端且保持冷端溫度恒定，將串聯的多晶硅層作為熱端感測實際環境溫度，當環境溫度發生變化時，冷端和熱端的溫差發生變化，因此冷端的電勢會發生變化，與顯示儀表連接后，顯示儀表會顯示熱電偶受當前環境溫度影響得到的電勢所對應的熱端溫度，即當前環境溫度。因上述熱電偶傳感器中上層有金屬結構，對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層，其上還需形成有一層鈍化層，可對金屬結構進行保護。同時，需要在對應溫度傳感器引出端子處開...

如圖所示)。步驟s：在所述金屬鉑層外側兩端各淀積一層第二金屬層，用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。繼續參見圖和圖，在金屬鉑層外側兩端淀積一層第二金屬層，該第二金屬層可為金屬鋁層，從金屬鋁處引出該溫度傳感器的輸出端子，即溫度傳感器的輸出導線與鋁層連接以通過鋁層與金屬鉑層連接。上述鉑熱電阻傳感器。利用金屬鉑在溫度變化時自身電阻值也會隨著溫度改變的特性來測量溫度，溫度傳感器的輸出端子與顯示儀表連接，顯示儀表會顯示受溫度影響得到的鉑電阻對應的溫度值。通常。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發與銷售；國內貿易等。本公司...

m需為偶數。第二金屬結構62淀積于多晶硅層外側的兩端，以便于引出溫度傳感器的輸出端子。在本實施例中，第三金屬層60為金屬鋁層。上述熱電偶傳感結構，利用兩不同類型的半導體兩端的溫度不同時，會在半導體內部產生溫差電動勢，不同類型的半導體其溫差電動勢不同，將兩種半導體兩端連接形成閉合回路時，在回路中有電流產生，半導體兩端的溫差不同時，所產生的電動勢不同。在本方案中，采用n型半導體和p型半導體構成塞貝克結構且多個塞貝克結構串聯，可以增強溫度傳感器的靈敏度。在一實施例中，可以將溫度傳感器兩輸出端子作為冷端且保持冷端溫度恒定，將串聯的多晶硅層作為熱端感測實際環境溫度，當環境溫度發生變化時，冷端和熱...

并在鈍化層上對應所述溫度傳感器引出輸出端子處設有通孔。因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結構如金屬鋁和金屬鉑，對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層，其上還形成一層鈍化層，可對金屬層進行保護。同時，需要在對應溫度傳感器引出端子處開設通孔，通過通孔可引出輸出端子。在本實施例中，是在兩端的金屬鋁上方的鈍化層開設通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層，也可為疊設的氧化硅層和氮化硅層。在一實施例中，測溫單元為一熱電偶傳感結構，其具體形成過程為：步驟s：在所述氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層，所述多晶硅層包括并排且間隔設置的n型多晶硅條和p型多晶硅條。如圖和圖所示，在氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層，該多晶硅層...

從硅片上方垂直向下開設若干并列的溝槽形成溝槽陣列。在一實施例中，先在硅片上形成具有陣列圖案的光刻膠層，再以光刻膠作為掩膜版對硅片進行刻蝕形成若干溝槽。在本實施例中，刻蝕可為常規的干法刻蝕，具體為深度離子刻蝕。干法刻蝕具有更高的刻蝕精度和更好的各向異性性能，其精度可達亞微米級別，通過干法刻蝕，可以得到形態較好的溝槽，尤其是溝槽尺寸較小時利用干法刻蝕效果更佳。可通過調節掩膜板圖案和控制刻蝕參數得到不同形態的溝槽，其中，溝槽的寬度可為～μm，溝槽的深度可為～μm，相鄰溝槽之間的間隔可為～μm。溝槽的俯視形貌可以為圓形、方形或其他形狀。溝槽的寬度為溝槽側壁的大距離。深圳市美信美科技有限公司于2...

熱退火在氫氣環境中進行。步驟s130：氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜。通過熱氧化工藝氧化空腔上部的硅片以形成氧化硅薄膜23(如圖2c所示)。在900℃～1200℃的高溫環境中，通過外部供給氧氣或者水蒸氣使之與硅發生化學反應，可以在空腔上方得到一層熱生長的氧化層。由于當氧化層達到一定厚度時，氧化反應幾乎停止，因此當難以通過一次氧化工藝將空腔上方的硅全部氧化成氧化硅時，需要通過多次氧化步驟實現將空腔上方的硅全部氧化，具體為，進行次熱氧化生成一層氧化硅薄膜后，空腔上方為殘留的未氧化的硅以及在硅上生成的氧化硅薄膜，通過刻蝕工藝去除上方的氧化硅薄膜，保留空腔上方的硅，此時硅的厚度減小，繼續...

在另一實施例中，也可選用其他電阻溫度系數較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸，在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積，鉑熱電阻呈連續弓字形結構(如圖4所示)。金屬鉑層30外側兩端淀積有一層第二金屬層40，該第二金屬層40可為金屬鋁層，用于從金屬鋁處引出該溫度傳感器的輸出端子，即溫度傳感器的輸出導線與鋁層連接以通過鋁層與金屬鉑層連接。上述鉑熱電阻傳感器，利用金屬鉑在溫度變化時自身電阻值也會隨著溫度改變的特性來測量溫度，溫度傳感器的輸出端子與顯示儀表連接，顯示儀表會顯示受溫度影響得到的鉑電阻對應的溫度值。在一實施例中，因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結構如金屬鋁和金屬鉑，對于直接暴露...

n型多晶硅可為在多晶硅內部摻雜ⅴ族元素形成導電類型為n型的多晶硅，且其內部摻雜均勻；p型多晶硅可為在多晶硅內部摻雜ⅲ族元素形成導電類型為p型的多晶硅，且其內部摻雜均勻。n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同，在本方案中，n型多晶硅條和p型多晶硅條為長條型，多晶硅條平行設置，具有相同的間距。在多晶硅層上淀積有第三金屬層，第三金屬層包括金屬結構和第二金屬結構。金屬結構位于相鄰多晶硅條之間，該多晶硅條通過金屬結構連接，金屬結構具體為位于相鄰多晶硅條端部位置，所有n型多晶硅條和p型多晶硅條通過該金屬結構形成一串聯結構，因此，當具有m個多晶硅條時，需要m-個金屬結構使多晶硅條串聯起來。一個n型多晶硅...

如圖所示)。步驟s：在所述金屬鉑層外側兩端各淀積一層第二金屬層，用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。繼續參見圖和圖，在金屬鉑層外側兩端淀積一層第二金屬層，該第二金屬層可為金屬鋁層，從金屬鋁處引出該溫度傳感器的輸出端子，即溫度傳感器的輸出導線與鋁層連接以通過鋁層與金屬鉑層連接。上述鉑熱電阻傳感器。利用金屬鉑在溫度變化時自身電阻值也會隨著溫度改變的特性來測量溫度，溫度傳感器的輸出端子與顯示儀表連接，顯示儀表會顯示受溫度影響得到的鉑電阻對應的溫度值。通常。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發與銷售；國內貿易等。本公司...

公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業控制、醫療器械、儀器儀表、安防監控等領域。本公司一直秉承優勢服務，誠信合作的原則，以現代化管理以及優勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關系，為廣大廠商和市場客戶提供優勢的產品服務。即溫度傳感器的輸出導線與鋁層連接以通過鋁層與金屬鉑層連接。上述鉑熱電阻傳感器，利用金屬鉑在溫度變化時自身電阻值也會隨著溫度改變的特性來測量溫度，溫度傳感器的輸出端子與顯...

深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業控制、醫療器械、儀器儀表、安防監控等領域。本發明涉及溫度傳感器領域，特別是涉及一種溫度傳感器制備方法及溫度傳感器。背景技術：溫度傳感器包括測溫單元和承載該測溫單元的基底。溫度傳感器通常以導熱率低的材料做基底，如在二氧化硅上淀積測溫材料形成溫度傳感器。在工藝制程中，通過氧化硅片以在硅片表面生產一層二氧化硅，其中...

p型多晶硅可為在多晶硅內部摻雜ⅲ族元素形成導電類型為p型的多晶硅，且其內部摻雜均勻。n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同，在本方案中，n型多晶硅條和p型多晶硅條為長條型，多晶硅條平行設置，具有相同的間距。步驟s135：在多晶硅層上淀積第三金屬層，第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結構，n型多晶硅條和p型多晶硅條通過金屬結構串聯，第三金屬層還包括位于多晶硅層外側兩端的第二金屬結構，用于引出溫度傳感器的輸出端子。繼續參見圖5和圖6，在多晶硅層50上淀積第三金屬層60，第三金屬層60包括金屬結構61和第二金屬結構62。金屬結構61位于相鄰多晶硅條之間以連接該多晶硅條，具體為位于相鄰多晶硅...

需要在對應溫度傳感器引出端子處開設通孔，通過通孔可引出輸出端子。在本實施例中，是在外側多晶硅端部的金屬鋁上方的鈍化層開設通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層，也可為疊設的氧化硅層和氮化硅層。上述溫度傳感器制備方法，可以得到氧化硅薄膜，且氧化硅薄膜與硅通過空腔隔離，空腔下方的硅不會影響上方氧化硅薄膜的隔離效果，因此無需通過深槽刻蝕工藝將多余的硅刻蝕掉，簡化了制備過程。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名...

使溫度傳感器性能更加穩定。還涉及一種溫度傳感器，包括：基底，基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔；和測溫單元，測溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上，所述測溫單元用于感測環境溫度。如圖c所示，基底包括硅片和氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔。測溫單元是溫度傳感器的工作單元，溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號并輸出，在本方案中，測溫單元形成于氧化硅薄膜上且位于空腔上方。在一實施例中，測溫單元為一熱電阻傳感結構，包括：金屬層，金屬層為金屬鉑層，金屬鉑層呈連續弓字形結構；和第二金屬層，位于金屬鉑層外側兩端，用于引出溫度傳感器的輸出端子。如...

隨著生活水平的提高，甲醛傳感器已經成為家居生活中不可缺少的，很多人都會選擇甲醛傳感器作為家中的必需品，然而對于怎樣去除甲醛和甲醛傳感器種類很多人其實并不了解，壓力傳感器運用于很多的行業之中，可以說用途很，關于壓力傳感器的使用可以說是在很多環節中都很重要的，接下來就由一起裝修網小編講講壓力傳感器品牌有哪些，有興趣的朋友可以看一下，希望能為大家提供幫助。門窗傳感器可以用在新型門窗上嗎傳統門窗的傳感器在智能門門窗上可以在智能門窗上看了。下面一起裝修網小編帶您去了解下吧。新型傳感器問世可檢測家中生活環境如果你生活的環境中有一款傳感器，可以時刻提醒你所居住環境或者辦公室的溫度、濕度、空氣質量、何...

n型多晶硅條和p型多晶硅條通過金屬結構串聯，第三金屬層還包括位于多晶硅層外側兩端的第二金屬結構，用于引出溫度傳感器的輸出端子。繼續參見圖和圖，在多晶硅層上淀積第三金屬層，第三金屬層包括金屬結構和第二金屬結構。金屬結構位于相鄰多晶硅條之間以連接該多晶硅條，具體為位于相鄰多晶硅條端部位置，所有n型多晶硅條和p型多晶硅條通過該金屬結構形成一串聯結構，因此，當具有m個多晶硅條時，需要m-個金屬結構使多晶硅條串聯起來。一個n型多晶硅條與一個p型多晶硅條串聯形成一個塞貝克(seebeck)結構，在本方案中，是多個塞貝克結構串聯形成一個測溫單元，因此，m需為偶數。第二金屬結構淀積于多晶硅層外側的兩端...

一種溫度傳感器制備方法，包括：在硅片形成若干溝槽；熱退火使所述若干溝槽變形后相互連通形成一空腔，且所述硅片在所述空腔上方連接起來，將所述空腔封閉；氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜；在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元，所述測溫單元用于感測環境溫度。上述溫度傳感器制備方法，先通過刻蝕在硅片上形成若干溝槽。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業控制、醫...

可以將溫度傳感器兩輸出端子作為冷端且保持冷端溫度恒定，將串聯的多晶硅層作為熱端感測實際環境溫度，當環境溫度發生變化時，冷端和熱端的溫差發生變化，因此冷端的電勢會發生變化，與顯示儀表連接后，顯示儀表會顯示熱電偶受當前環境溫度影響得到的電勢所對應的熱端溫度，即當前環境溫度。通常，形成測溫單元還包括鈍化步驟，即，步驟s：在金屬層上形成鈍化層，并在鈍化層上對應溫度傳感器引出輸出端子處設有通孔。因上述熱電偶傳感器中上層有金屬結構如金屬鋁層，對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層，其上還形成一層鈍化層，可對金屬結構進行保護。同時，需要在對應溫度傳感器引出端子處開設通孔，通過通孔可引出輸出端子。在本...

顯示儀表會顯示熱電偶受當前環境溫度影響得到的電勢所對應的熱端溫度，即當前環境溫度。因上述熱電偶傳感器中上層有金屬結構，對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層，其上還需形成有一層鈍化層，可對金屬結構進行保護。同時，需要在對應溫度傳感器引出端子處開設有通孔，通過通孔可引出輸出端子。在本實施例中，是在外側多晶硅端部的金屬鋁上方的鈍化層開設有通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層，也可為疊設的氧化硅層和氮化硅層。上述溫度傳感器，測溫單元設于氧化硅薄膜上，氧化硅薄膜具有較低的導熱率，因此不會影響測溫單元的測溫效果。且氧化硅薄膜與硅之間形成有空腔，空腔下方的硅不會影響空腔上方的氧化硅的隔離效果。深圳市...

即溫度傳感器的輸出導線與鋁層連接以通過鋁層與金屬鉑層連接。上述鉑熱電阻傳感器，利用金屬鉑在溫度變化時自身電阻值也會隨著溫度改變的特性來測量溫度，溫度傳感器的輸出端子與顯示儀表連接，顯示儀表會顯示受溫度影響得到的鉑電阻對應的溫度值。在一實施例中，因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結構如金屬鋁和金屬鉑，對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層，其上還形成有一層鈍化層，可對金屬層進行保護。同時，需要在對應溫度傳感器引出端子處開設有通孔，通過通孔可引出輸出端子。在本實施例中，是在兩端的金屬鋁上方的鈍化層開設有通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層，也可為疊設的氧化硅層和氮化硅層。在一實施例中，測溫單元為...