"DDRx"是一個通用的術語，用于表示多種類型的動態隨機存取存儲器（DRAM）標準，包括DDR2、DDR3和DDR4等。這里的"x"可以是任意一個數字，了不同的DDR代數。每一代的DDR標準在速度、帶寬、電氣特性等方面都有所不同，以適應不斷增長的計算需求和技術發展。下面是一些常見的DDR標準：DDR2：DDR2是第二代DDR技術，相比于DDR，它具有更高的頻率和帶寬，以及更低的功耗。DDR2還引入了一些新的技術和功能，如多通道架構和前瞻性預充電（prefetch）。DDR3：DDR3是第三代DDR技術，進一步提高了頻率和帶寬，并降低了功耗。DDR3內存模塊具有更高的密度和容量，可以支持更多的內...

有其特殊含義的，也是DDR體系結構的具體體現。而遺憾的是，在筆者接觸過的很多高速電路設計人員中，很多人還不能夠說清楚這兩個圖的含義。在數據寫入(Write)時序圖中，所有信號都是DDR控制器輸出的，而DQS和DQ信號相差90°相位，因此DDR芯片才能夠在DQS信號的控制下，對DQ和DM信號進行雙沿采樣:而在數據讀出(Read)時序圖中，所有信號是DDR芯片輸出的，并且DQ和DQS信號是同步的，都是和時鐘沿對齊的!這時候為了要實現對DQ信號的雙沿采樣，DDR控制器就需要自己去調整DQS和DQ信號之間的相位延時!!!這也就是DDR系統中比較難以實現的地方。DDR規范這樣做的原因很簡單，是要把邏輯設...

常見的信號質量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等，DDRx 信號質量的每個參數JEDEC都給出了明確的規范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號幅值P?P值應該在-0.4-1.9V,但在實際應用中由于不適合信號 端接使DDR信號質量變差，通過仿真就可以找出合適端接，使信號質量滿足JEDEC規范。 下面以DDR3 1066Mbps信號為例，通過一個實際案例說明DDR3信號質量仿真。 在本案例中客戶反映實測CLK信號質量不好。CLK信號從CUP (U100)出來經過4片 DDR3 (...

DDR3一致性測試是一種用于檢查和驗證DDR3內存模塊在數據操作和傳輸方面一致性的測試方法。通過進行一致性測試，可以確保內存模塊在工作過程中能夠按照預期的方式讀取、寫入和傳輸數據。 一致性測試通常涵蓋以下方面： 電氣特性測試：對內存模塊的電壓、時鐘頻率、時序等電氣特性進行測試，以確保其符合規范要求。 讀寫測試：驗證內存模塊的讀取和寫入功能是否正常，并確保數據的正確性和一致性。 數據一致性檢查：通過檢查讀取的數據與預期的數據是否一致來驗證內存模塊的數據傳輸準確性。 時序一致性測試：確認內存模塊的時序設置是否正確，并檢查內存模塊對不同命令和操作的響應是否符合規范。...

在接下來的Setup NG Wizard窗口中選擇要參與仿真的信號網絡，為這些信號網絡分組并定義單個或者多個網絡組。選擇網絡DDR1_DMO.3、DDR1_DQO.31、DDR1_DQSO.3、 DDRl_NDQS0-3,并用鼠標右鍵單擊Assign interface菜單項，定義接口名稱為Data, 設置完成后，岀現Setup NG wizard: NG pre-view page窗口，顯示網絡組的信息，如圖 1-137所示。單擊Finish按鈕，網絡組設置完成。 單擊設置走線檢查參數(Setup Trace Check Parameters),在彈出的窗口中做以下設 置：勾...

瀏覽選擇控制器的IBIS模型，切換到Bus Definition選項卡，單擊Add按鈕添加一 組新的Buso選中新加的一行Bus使其高亮，將鼠標移動到Signal Names下方高亮處，單擊 出現的字母E,打開Signal列表。勾選組數據和DM信號，單擊0K按鈕確認。 同樣，在Timing Ref下方高亮處，單擊出現的字母E打開TimingRef列表。在這個列表 窗口左側，用鼠標左鍵點選DQS差分線的正端，用鼠標右鍵點選負端，單擊中間的“>>”按 鈕將選中信號加入TimingRefs,單擊OK按鈕確認。 很多其他工具都忽略選通Strobe信號和時鐘Clock信號之間的時序分析功...

"DDRx"是一個通用的術語，用于表示多種類型的動態隨機存取存儲器（DRAM）標準，包括DDR2、DDR3和DDR4等。這里的"x"可以是任意一個數字，了不同的DDR代數。每一代的DDR標準在速度、帶寬、電氣特性等方面都有所不同，以適應不斷增長的計算需求和技術發展。下面是一些常見的DDR標準：DDR2：DDR2是第二代DDR技術，相比于DDR，它具有更高的頻率和帶寬，以及更低的功耗。DDR2還引入了一些新的技術和功能，如多通道架構和前瞻性預充電（prefetch）。DDR3：DDR3是第三代DDR技術，進一步提高了頻率和帶寬，并降低了功耗。DDR3內存模塊具有更高的密度和容量，可以支持更多的內...

可以通過AllegroSigritySI仿真軟件來仿真CLK信號。 (1)產品選擇：從產品菜單中選擇AllegroSigritySI產品。 (2)在產品選擇界面選項中選擇AllegroSigritySI(forboard)。 (3)在AllegroSigritySI界面中打開DDR_case.brd文件。 (4)選擇菜單Setup-*Crosssection..,設置電路板層疊參數。 將DDRController和Memory器件的IBIS模型memorycontroller.ibs和memory.ibs文件放在當前DDR_case.brd文件的同一目錄下，這...

DDR3： DDR3釆用SSTL_15接口，I/O 口工作電壓為1.5V；時鐘信號頻率為400? 800MHz；數據信號速率為800?1600Mbps,通過差分選通信號雙沿釆樣；地址/命令/控制信 號在1T模式下速率為400?800Mbps,在2T模式下速率為200?400Mbps；數據和選通信號 仍然使用點對點或樹形拓撲，時鐘/地址/命令/控制信號則改用Fly-by的拓撲布線；數據和選 通信號有動態ODT功能；使用Write Leveling功能調整時鐘和選通信號間因不同拓撲引起的 延時偏移，以滿足時序要求。DDR3一致性測試需要運行多長時間？廣西DDR3測試銷售 DDR3一致性測試是一種...

那么在下面的仿真分析過程中，我們是不是可以就以這兩個圖中的時序要求作為衡量標準來進行系統設計呢?答案是否定的，因為雖然這個時序是規范中定義的標準，但是在系統實現中，我們所使用的是Micron的產品，而后面系統是否能夠正常工作要取決干我們對Micron芯片的時序控制程度。所以雖然我們通過閱讀DDR規范文件了解到基本設計要求，但是具體實現的參數指標要以Micron芯片的數據手冊為準。換句話說，DDR的工業規范是芯片制造商Micron所依據的標準，而我們設計系統時，既然使用了Micron的產品，那么系統的性能指標分析就要以Micron的產品為準。所以，接下來的任務就是我們要在Micron的DDR芯片...

有其特殊含義的，也是DDR體系結構的具體體現。而遺憾的是，在筆者接觸過的很多高速電路設計人員中，很多人還不能夠說清楚這兩個圖的含義。在數據寫入(Write)時序圖中，所有信號都是DDR控制器輸出的，而DQS和DQ信號相差90°相位，因此DDR芯片才能夠在DQS信號的控制下，對DQ和DM信號進行雙沿采樣:而在數據讀出(Read)時序圖中，所有信號是DDR芯片輸出的，并且DQ和DQS信號是同步的，都是和時鐘沿對齊的!這時候為了要實現對DQ信號的雙沿采樣，DDR控制器就需要自己去調整DQS和DQ信號之間的相位延時!!!這也就是DDR系統中比較難以實現的地方。DDR規范這樣做的原因很簡單，是要把邏輯設...

重復步驟6至步驟9,設置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 memory.ibs模型文件中的Generic器件。 在所要仿真的時鐘網絡中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個電阻，其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對這類模型統一進行設置, (12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕，在界面中設置電阻模型后，單擊OK按鈕賦上電阻模型。 同步驟11、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型。 ...

每個 DDR 芯片獨享 DQS，DM 信號；四片 DDR 芯片共享 RAS#，CAS#，CS#，WE#控制信號。·DDR 工作頻率為 133MHz。·DDR 控制器選用 Xilinx 公司的 FPGA，型號為 XC2VP30_6FF1152C。得到這個設計需求之后，我們首先要進行器件選型，然后根據所選的器件，準備相關的設計資料。一般來講，對于經過選型的器件，為了使用這個器件進行相關設計，需要有如下資料。 · 器件數據手冊 Datasheet：這個是必須要有的。如果沒有器件手冊，是沒有辦法進行設計的（一般經過選型的器件，設計工程師一定會有數據手冊）。 DDR3一致性測試是否對不同廠商的...