Ce: YAG 閃爍晶體的生長(zhǎng)參數(shù)：根據(jù)Ir坩堝的尺寸以及熱場(chǎng)條件，通過(guò)觀察YAP熔體對(duì)流狀態(tài)，本論文選擇晶體轉(zhuǎn)速為10-20RPM；考慮到Ce離子在YAP晶體中的分凝系數(shù)較大（約為0.5）和晶體的尺寸（Φ55mm），實(shí)驗(yàn)中選用了1-2mm/h的提拉速度。生長(zhǎng)流程：裝爐→抽真空→充氣→升溫化料→烤晶種→下種→縮頸→生長(zhǎng)→提拉→降溫→取出晶體進(jìn)行退火。在裝爐時(shí)，為了保證爐體內(nèi)徑向溫度軸對(duì)稱分布，線圈中心、石英管中心、坩堝中心及籽晶中心應(yīng)該保持一致。晶體吸收高能射線后，晶體內(nèi)部產(chǎn)生大量的熱化電子空穴對(duì)。遼寧高溫CeYAP晶體型號(hào)由于晶體放肩階段屬?gòu)?qiáng)迫限制晶體直徑增大的過(guò)程，晶體尺寸的變化率比較大，...

同濃度Ce: YAP的熒光光譜。在可見(jiàn)光(300納米)激發(fā)下，不同濃度Ce: YAP的熒光強(qiáng)度隨著濃度的增加而增加，直到0.5at%。當(dāng)濃度為1.0at%時(shí)，濃度淬滅，發(fā)光強(qiáng)度開(kāi)始降低。相同厚度(5mm)的Ce: YAP晶體在X射線激發(fā)下的發(fā)光強(qiáng)度隨著濃度的增加先增大后減小，峰值位置也有紅移，其中0.3at%處的發(fā)光強(qiáng)度比較高。自吸收對(duì)光致發(fā)光幾乎沒(méi)有影響，因?yàn)榧ぐl(fā)和發(fā)射過(guò)程都發(fā)生在樣品表面。在高能射線的激發(fā)下，經(jīng)過(guò)多次電離過(guò)程，晶體內(nèi)部產(chǎn)生大量的電子-空穴對(duì)，電子-空穴對(duì)將能量傳遞到發(fā)光中心，發(fā)光過(guò)程基本發(fā)生在晶體內(nèi)部。CeYAP晶體電子陷阱中捕獲的電子受環(huán)境影響較小。遼寧雙摻CeYAP晶體...

Mn: YAP 和Ce, Mn: YAP 的熒光激發(fā)發(fā)射譜，714nm 和685nm發(fā)射峰為Mn4+ 離子 2E - 4A2 躍遷[113]。332 nm, 373 nm 和 480 nm ( λem=714nm) 分別屬于Mn4+離子的4A2→4T1 (4F), 4A2→4T1 (4P), 4A2→4T2 躍遷。Ce, Mn: YAP 晶體的Ce3+ 的發(fā)射峰在397nm，比Ce: YAP 晶體紅移了近30 nm，主要是Mn4+ 離子的吸收造成的。圖 4-49 中，Mn: YAP 和Ce, Mn: YAP在480 nm的吸收峰屬于Mn4+ 離子的4A2→4T2 躍遷，另從透過(guò)譜可知，Mn離子...

鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體具有高光輸出和快速衰減等閃爍特性，是無(wú)機(jī)閃爍晶體的重要發(fā)展方向。Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體具有良好的物理化學(xué)性質(zhì)，在無(wú)機(jī)閃爍晶體中占有優(yōu)勢(shì)，在探測(cè)中低能粒子射線方面有很大的潛在應(yīng)用。隨著應(yīng)用要求的變化，閃爍晶體的尺寸越來(lái)越大，生長(zhǎng)大尺寸的閃爍晶體變得越來(lái)越重要。同時(shí)，國(guó)內(nèi)生長(zhǎng)的Ce:YAP晶體的自吸收問(wèn)題長(zhǎng)期存在，導(dǎo)致無(wú)法有效提高光產(chǎn)額。因此，解決自吸收問(wèn)題，生長(zhǎng)大尺寸Ce:YAP晶體對(duì)閃爍材料的研究和應(yīng)用具有重要意義。CeYAP高溫閃爍晶體具有優(yōu)異的閃爍性能和獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)。湖南雙摻CeYAP晶體生產(chǎn)YAP晶體的生長(zhǎng)過(guò)程：生長(zhǎng)氣氛：由于采用中頻加熱方式...

本文主要討論了大尺寸Ce:YAP晶體的生長(zhǎng)和自吸收以及用溫度梯度法生長(zhǎng)和退火大尺寸Ce:YAG晶體，以提高晶體的實(shí)用性能。釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶是一種優(yōu)良的激光基質(zhì)材料和光學(xué)襯底材料，其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體得到了普遍的應(yīng)用。Ce:YAG晶體作為閃爍材料在1992年引起了人們的注意。Moszynski和Ludziejewski分別于1994年和1997年系統(tǒng)地研究了Ce:YAG晶體的閃爍特性，指出Ce:YAG晶體具有優(yōu)異的閃爍特性。同時(shí)，國(guó)內(nèi)生長(zhǎng)的Ce:YAP晶體的自吸收問(wèn)題長(zhǎng)期存在，導(dǎo)致無(wú)法有效提高光產(chǎn)額。因此，解決自吸收問(wèn)題，生長(zhǎng)大尺寸Ce:YAP晶體對(duì)閃...

生長(zhǎng)CeYAP晶體批發(fā)價(jià)過(guò)渡金屬摻雜對(duì)YAP晶體透過(guò)邊有哪些影響？Ce: YAP晶體自吸收機(jī)制分析，從以上實(shí)驗(yàn)可以看出，存在自吸收的累積效應(yīng)，隨著厚度和濃度的增加而增加。在氧氣氛中退火后，自吸收增加，而在還原氣氛中，自吸收減少。自吸收隨ce離子濃度的增加而增加，與Ce離子有明顯的相關(guān)性，說(shuō)明雜質(zhì)離子引起自吸收有兩種可能：一種可能是Ce原料附帶的；另一種可能是其他原料中的雜質(zhì)可以與Ce離子相互作用形成吸收中心。如果Ce原料上有雜質(zhì)附著，CeO2原料純度為5N，Ce離子的熔體濃度小于0.6%，兩者之間的倍增為0.1ppm數(shù)量級(jí)，那么這種雜質(zhì)的可能性很小。我們生長(zhǎng)的Ce: YAP 在350nm到5...

比較了摻雜不同價(jià)離子對(duì)Ce: YAP晶體自吸收的影響。發(fā)現(xiàn)二價(jià)離子對(duì)Ce: YAP晶體的閃爍性能有很強(qiáng)的負(fù)面影響，而四價(jià)離子有助于提高晶體的閃爍性能。還研究了錳離子摻雜對(duì)Ce: YAP晶體性能的影響。利用溫度梯度法，生長(zhǎng)了直徑為110毫米的Ce: YAG閃爍晶體，該晶體具有良好的形狀和光學(xué)性質(zhì)。研究了不同溫度和氣氛等退火條件對(duì)Ce: YAG(TGT)閃爍晶體發(fā)光效率的影響，發(fā)現(xiàn)1100氧退火對(duì)提高晶體發(fā)光強(qiáng)度的效果比較好。在離子晶體中還觀察到了一種新的內(nèi)在發(fā)光：中心帶上部和價(jià)帶之間的躍遷，簡(jiǎn)稱為中心-價(jià)帶躍遷。這種發(fā)光躍遷衰減時(shí)間快(子納秒級(jí))，但光輸出低。CeYAP作為一種高溫閃爍晶體，具有...

在弱還原氣氛下生長(zhǎng)的Ce:YAP晶體，發(fā)現(xiàn)自吸收得到有效緩解，2mm厚度晶體透過(guò)邊藍(lán)移近30nm，熒光激發(fā)的發(fā)光強(qiáng)度提高了50%以上。同時(shí)研究了還原氣氛生長(zhǎng)對(duì)Ce:YAP晶體其他閃爍性能的影響。1．生長(zhǎng)了不同價(jià)態(tài)離子摻雜的Ce:YAP晶體，以研究電荷補(bǔ)償效應(yīng)對(duì)Ce4+離子的作用。結(jié)果發(fā)現(xiàn)兩價(jià)離子對(duì)Ce:YAP晶體閃爍性能有很強(qiáng)的負(fù)面影響，四價(jià)離子則有于助提高晶體的部分閃爍性能。2．研究了Mn離子摻雜對(duì)Ce:YAP晶體性能的影響。發(fā)現(xiàn)YAP基質(zhì)中Ce，Mn之間存在明顯的能量轉(zhuǎn)移過(guò)程。由于存在Ce3+離子的非輻射躍遷，Ce,Mn:YAP的衰減時(shí)間的快慢成分均變?yōu)樵瓉?lái)的一半，其中快成分為10ns左右...

從Ce3+ 離子2F7/2和2F5/2 態(tài)能級(jí)在YAP 晶體中的能級(jí)分裂看，2F7/2能級(jí)在晶體場(chǎng)中分裂的子能級(jí)寬度對(duì)應(yīng)波數(shù)范圍為3250 cm-1到2085cm-1, 2F5/2 態(tài)能級(jí)分裂的子能級(jí)寬度范圍為500 cm-1左右， 5d比較低能級(jí)的對(duì)應(yīng)波數(shù)為33000 cm-1。可以得到Ce3+ 在YAP基質(zhì)中激發(fā)譜(d-f 躍遷)的比較低能級(jí)躍遷的波長(zhǎng)為336.1nm（29750 cm-1），因此316nm的激發(fā)峰成分雖然發(fā)光波長(zhǎng)比較偏紅光方向，但仍在允許范圍內(nèi)。當(dāng)激發(fā)波長(zhǎng)從294nm（34013cm-1）到316nm（31645 cm-1）變化時(shí)，各子能級(jí)都有可能被激發(fā)，且不同能量激發(fā)時(shí)...

YAP晶體的生長(zhǎng)過(guò)程：(1)籽晶：的選擇籽晶的走向和質(zhì)量直接影響直拉晶體的質(zhì)量。對(duì)于YAP單晶，由于其嚴(yán)重的各向異性，B軸的熱膨脹系數(shù)遠(yuǎn)大于A軸和C軸(A:4.2 10-6 oc-1，B:11.7 10-6 oc-1，C:5.1 10-6 oc-1)，在生長(zhǎng)過(guò)程中容易產(chǎn)生結(jié)構(gòu)應(yīng)力和相應(yīng)的熱應(yīng)力。這些熱應(yīng)力也為了減少這種影響，我們選擇了《100〉中的YAP 籽晶，〈010〉中的〈001〉中的〈101〉中的〈籽晶尺寸為8 50mm(2)熱場(chǎng)的選擇：由于YAP晶體熱膨脹系數(shù)和熱導(dǎo)率的軸向差異，除了選擇合適的籽晶外，選擇合適的溫度場(chǎng)環(huán)境更為重要。由于鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的YAP晶體的孿晶習(xí)性很容易揭示...

Ce:YAP晶體在弱還原氣氛中生長(zhǎng)，發(fā)現(xiàn)晶體的自吸收被有效壓制。與在惰性氣氛中生長(zhǎng)的樣品相比，厚度為2mm的樣品的透射邊緣移動(dòng)了近30納米，發(fā)光強(qiáng)度提高了50%以上。同時(shí)，研究了還原氣氛生長(zhǎng)對(duì)Ce: YAP晶體其他閃爍性能的影響。比較了不同價(jià)離子摻雜對(duì)Ce: YAP晶體閃爍性能的影響。結(jié)果表明，二價(jià)離子摻雜對(duì)Ce: YAP晶體的閃爍性能有很強(qiáng)的負(fù)面影響，而四價(jià)離子摻雜有助于提高Ce:Yap晶體的部分閃爍性能。還研究了錳離子摻雜對(duì)Ce: YAP晶體性能的影響。發(fā)現(xiàn)YAP基體中Mn離子和Ce離子之間存在明顯的能量轉(zhuǎn)移過(guò)程，Ce和Mn: YAP的衰變時(shí)間明顯短于Ce、Mn : YAP，其快、慢成分...

Ce:YAP晶體生長(zhǎng)原料需要哪些？無(wú)機(jī)閃爍晶體在將高能射線或粒子轉(zhuǎn)化為低能光子的過(guò)程中，會(huì)發(fā)生一系列微觀過(guò)程，如一級(jí)和二級(jí)電離和激發(fā)、電子-空穴、光子和激子的遷移、電子與電子、電子與聲子(矩陣)之間的弛豫、電子-空穴對(duì)的俘獲、電子-空穴對(duì)與熒光中心之間的能量轉(zhuǎn)移等。當(dāng)經(jīng)歷電離事件時(shí)，閃爍體處于從非平衡狀態(tài)到平衡狀態(tài)的弛豫過(guò)程中。大量的熱化電子空穴對(duì)和這些電子產(chǎn)生的相當(dāng)一部分低能激子0終會(huì)轉(zhuǎn)化為發(fā)射光子，從高能輻射到紫外或可見(jiàn)光光子的過(guò)程就是閃爍過(guò)程。鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的YAP晶體的孿晶習(xí)性很容易揭示。江西國(guó)產(chǎn)CeYAP晶體參數(shù)一般來(lái)說(shuō)，閃爍體可以分為有機(jī)閃爍體(如萘和蒽)和無(wú)機(jī)閃爍體。Ce:YAP作為...

剛出爐的Ce:YAP單晶由于內(nèi)部熱應(yīng)力較大，在加工過(guò)程中容易開(kāi)裂，提拉法生長(zhǎng)的晶體明顯，同時(shí)由于鈰離子的價(jià)態(tài)(Ce2、Ce3、Ce4)不同，高溫閃爍晶體中只有三價(jià)鈰離子(Ce3)作為發(fā)光中心，因此不同的退火工藝條件對(duì)高溫閃爍晶體的閃爍性能有重要影響。對(duì)于空氣退火，退火溫度為1000 ~ 1600，恒溫時(shí)間為20 ~ 30小時(shí)，1200以下升溫/降溫速率為50 ~ 100，1200時(shí)升溫/降溫速率為30 ~ 50。使用的設(shè)備是硅碳或硅鉬棒馬弗爐流動(dòng)氫退火，退火溫度1200-1600，恒溫時(shí)間20-36小時(shí)，1200以下升溫/降溫速率50-100/小時(shí)，1200升溫/降溫速率30-50/小時(shí)。Ce...

摻鈰鋁酸釔(Ce: YAP)和釔鋁石榴石(Ce: YAG)高溫閃爍晶體不jin具有高光輸出和快速衰減的閃爍特性(表1-5)，而且具有優(yōu)異的物理化學(xué)性能(表1-6)。它們具有密度低、有效原子序數(shù)小的缺點(diǎn)，但可以廣泛應(yīng)用于中低能射線和粒子探測(cè)領(lǐng)域。Ce: YAP和Ce: YAG是兩種典型的高光輸出、快速衰減的高溫?zé)o機(jī)閃爍晶體，已經(jīng)在許多場(chǎng)合得到應(yīng)用。對(duì)它們的生長(zhǎng)特性、晶體缺陷和光學(xué)閃爍性能的研究，對(duì)其他鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體的研究和探索具有重要的參考意義。自20世紀(jì)80年代末和90年代初以來(lái)，國(guó)內(nèi)外對(duì)摻雜鈰離子的無(wú)機(jī)閃爍體進(jìn)行了大量的研究和探索。河北新型CeYAP晶體出廠價(jià)不同厚度Ce:YAP晶...

一般來(lái)說(shuō)，閃爍體可以分為有機(jī)閃爍體(如萘和蒽)和無(wú)機(jī)閃爍體。Ce:YAP作為閃爍晶體的真正研究始于T. Takada等人(1980)和R. Autrata等人(1983)的提議以及YAP晶體作為掃描電鏡電子射線和紫外光子檢測(cè)的研究。1991年，Baryshevky等人用水平區(qū)熔法生長(zhǎng)了Ce:YAP閃爍晶體，然后研究了不同方法生長(zhǎng)的Ce:YAP晶體的光學(xué)和閃爍性質(zhì)。1995年，Tetsuhiko等人總結(jié)并重新研究了Ce:YAP晶體的光學(xué)特性。此后，大量文獻(xiàn)報(bào)道了Ce:YAP晶體的閃爍性質(zhì)和應(yīng)用，并對(duì)其閃爍機(jī)理進(jìn)行了大量深入的研究工作。由于Ce:YAP高溫閃爍晶體具有優(yōu)異的閃爍性能和獨(dú)特的物理化學(xué)...

紫外線照射對(duì)Ce: YAP晶體自吸收的影響，我們用8W的紫外燈功率和255nm的波長(zhǎng)照射厚度為2mm、濃度為0.3%的Ce: YAP樣品。樣品輻照時(shí)間分別為15、30和60分鐘。從紫外輻射吸收光譜可以清楚地看出，隨著輻照時(shí)間的增加，Ce: YAP樣品的吸收邊發(fā)生紅移，樣品在254nm處的吸收系數(shù)也相應(yīng)增加。退火和輻照純度對(duì)YAP和Fe: YAP晶體吸收光譜的影響，據(jù)報(bào)道，F(xiàn)e3和Fe2離子分別在260納米和227納米附近有吸收[98，99]，純YAP在260納米附近也有吸收。為了了解255納米附近的吸收峰特性，我們生長(zhǎng)并研究了純YAP晶體和濃度為0.2%的YAP:鐵。通過(guò)透射率的比較，我們粗略...

無(wú)機(jī)閃爍晶體的閃爍機(jī)理閃爍體的本質(zhì)是在盡可能短的時(shí)間內(nèi)把高能射線或者粒子轉(zhuǎn)化成可探測(cè)的可見(jiàn)光。通常高能射線與無(wú)機(jī)閃爍晶體相互作用存在有三種方式，光電效應(yīng)，康普頓散射，正負(fù)電子對(duì)。光電效應(yīng)中，一個(gè)離子吸收光子后，會(huì)從它的一個(gè)殼層中發(fā)射出光電子，光電子能量為光子能量和電子結(jié)合能之差。當(dāng)該殼層的空位別外層較高能量的電子填充時(shí)，結(jié)合能會(huì)以X射線或者俄歇電子的形式釋放出來(lái)。產(chǎn)生的X射線將在二次光電過(guò)程中北吸收，入射光的全部能量則被閃爍體所吸收。Ce:YAP晶體的吸收光譜和熒光光譜受不同的生長(zhǎng)方法和不同的后熱處理工藝的影響很大。山東科研用CeYAP晶體批發(fā)廠家比較了摻雜不同價(jià)離子對(duì)Ce: YAP晶體自吸收...

隨著我們過(guò)經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展，脫貧致富，實(shí)現(xiàn)小康之路觸手可及。值得注意的是有限責(zé)任公司（自然）企業(yè)的發(fā)展，特別是近幾年，我國(guó)的電子企業(yè)實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。從電子元器件的外國(guó)采購(gòu)在出售。電子元器件加工是聯(lián)結(jié)上下游供求必不可少的紐帶，目前電子元器件企業(yè)商已承擔(dān)了終端應(yīng)用中的大量技術(shù)服務(wù)需求，保證了原廠產(chǎn)品在終端的應(yīng)用，提高了產(chǎn)業(yè)鏈的整體效率和價(jià)值。電子元器件行業(yè)規(guī)模不斷增長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)表現(xiàn)優(yōu)于國(guó)際市場(chǎng)，多個(gè)下游企業(yè)的應(yīng)用前景明朗，電子元器件行業(yè)具備廣闊的發(fā)展空間和增長(zhǎng)潛力。結(jié)果發(fā)現(xiàn)兩價(jià)離子對(duì)Ce:YAP晶體閃爍性能有很強(qiáng)的負(fù)面影響，四價(jià)離子則有于助提高晶體的部分閃爍性能。河北科研用CeYAP晶體直銷近年來(lái)，...

從Ce3+ 離子2F7/2和2F5/2 態(tài)能級(jí)在YAP 晶體中的能級(jí)分裂看，2F7/2能級(jí)在晶體場(chǎng)中分裂的子能級(jí)寬度對(duì)應(yīng)波數(shù)范圍為3250 cm-1到2085cm-1, 2F5/2 態(tài)能級(jí)分裂的子能級(jí)寬度范圍為500 cm-1左右， 5d比較低能級(jí)的對(duì)應(yīng)波數(shù)為33000 cm-1?？梢缘玫紺e3+ 在YAP基質(zhì)中激發(fā)譜(d-f 躍遷)的比較低能級(jí)躍遷的波長(zhǎng)為336.1nm（29750 cm-1），因此316nm的激發(fā)峰成分雖然發(fā)光波長(zhǎng)比較偏紅光方向，但仍在允許范圍內(nèi)。當(dāng)激發(fā)波長(zhǎng)從294nm（34013cm-1）到316nm（31645 cm-1）變化時(shí)，各子能級(jí)都有可能被激發(fā)，且不同能量激發(fā)時(shí)...

可以假設(shè)這種情況存在于NaI: Tl閃爍體中，因?yàn)槠渲蠽k中心的遷移時(shí)間小于10-7s。另一個(gè)模型假設(shè)空穴與Vk中心分離，從價(jià)帶向發(fā)光中心移動(dòng)。由于非局域空穴的高遷移率，這是一種將能量轉(zhuǎn)移到發(fā)光中心的快速方法。閃爍過(guò)程的后面一個(gè)階段，即發(fā)光中心的發(fā)射，已經(jīng)得到了徹底的研究。我們上面已經(jīng)提到了一些啟動(dòng)過(guò)程。目前發(fā)光中心一般分為內(nèi)在和外在兩類。鹵化物和氧化物的本征發(fā)光主要受自陷激子效應(yīng)的制約。非本征發(fā)光主要取決于激發(fā)劑本身的電子躍遷(NaI: Tl，CaF2: Eu)或基質(zhì)與激發(fā)劑之間的躍遷(znse3360te，zns:ag)。而一些所謂的自激閃爍晶體(CeF3，Bi4Ge3O12，CaWO4)...

近年來(lái)，出現(xiàn)了一些新的快速閃爍材料，如Zn0基閃爍體、摻鐠氧化物晶體[2，3]、Yb: YAG等。Zn0和Yb: YAG的衰減時(shí)間小于1ns，但出光率低，Zn0晶體的生長(zhǎng)非常困難。由于Pr3中d-f躍遷發(fā)光的存在，其氧化物晶體的衰變時(shí)間比摻鈰氧化物晶體快。比如Pr3360YAG是17ns，但是Pr的復(fù)雜能級(jí)對(duì)光產(chǎn)額影響很大。0近有報(bào)道稱，摻鎵Zn0的發(fā)光強(qiáng)度有了很大的提高，對(duì)時(shí)間特性影響不大。由于各種原因，這些新的閃爍材料在實(shí)際應(yīng)用之前還有很長(zhǎng)的路要走。閃爍材料會(huì)議也經(jīng)常舉行。CeYAP晶體在對(duì)閃爍晶體CeYAP的研究過(guò)程中 ，發(fā)現(xiàn)了YAP晶體的變色現(xiàn)象。湖南品質(zhì)CeYAP晶體過(guò)渡金屬離子摻雜...

在室溫下，陷激子的三線態(tài)-單線態(tài)躍遷只在某些基質(zhì)中有效。具有復(fù)雜陰離子的化合物如WO4和MoO4也顯示出固有的發(fā)光。發(fā)光來(lái)源于電荷數(shù)高的過(guò)渡金屬離子，0外層電子構(gòu)型為np6nd0。有些化合物，如CdWO4和CaWO4，光輸出很高。在離子晶體中還觀察到了一種新的內(nèi)在發(fā)光：中心帶上部和價(jià)帶之間的躍遷，簡(jiǎn)稱為中心-價(jià)帶躍遷。這種發(fā)光躍遷衰減時(shí)間快(子納秒級(jí))，但光輸出低。 品質(zhì)優(yōu)的CeYAP晶體成本價(jià)不同濃度Ce:YAP晶體自吸收比較。在本世紀(jì)，一些重要的閃爍材料因其商業(yè)應(yīng)用前景而得到廣泛應(yīng)用，或者因其優(yōu)異的性能而在科學(xué)研究中得到普遍關(guān)注和發(fā)展。CeYAP晶體具有優(yōu)良的閃爍性能，其主要特點(diǎn)是光產(chǎn)額大...

在弱還原氣氛下生長(zhǎng)的Ce:YAP晶體，發(fā)現(xiàn)自吸收得到有效緩解，2mm厚度晶體透過(guò)邊藍(lán)移近30nm，熒光激發(fā)的發(fā)光強(qiáng)度提高了50%以上。同時(shí)研究了還原氣氛生長(zhǎng)對(duì)Ce:YAP晶體其他閃爍性能的影響。1．生長(zhǎng)了不同價(jià)態(tài)離子摻雜的Ce:YAP晶體，以研究電荷補(bǔ)償效應(yīng)對(duì)Ce4+離子的作用。結(jié)果發(fā)現(xiàn)兩價(jià)離子對(duì)Ce:YAP晶體閃爍性能有很強(qiáng)的負(fù)面影響，四價(jià)離子則有于助提高晶體的部分閃爍性能。2．研究了Mn離子摻雜對(duì)Ce:YAP晶體性能的影響。發(fā)現(xiàn)YAP基質(zhì)中Ce，Mn之間存在明顯的能量轉(zhuǎn)移過(guò)程。由于存在Ce3+離子的非輻射躍遷，Ce,Mn:YAP的衰減時(shí)間的快慢成分均變?yōu)樵瓉?lái)的一半，其中快成分為10ns左右...

紫外輻照對(duì)Ce:YAP晶體自吸收有影響嗎？摻鈰高溫閃爍晶體是無(wú)機(jī)閃爍晶體的一個(gè)重要發(fā)展方向，其中鈰：YAP和鈰3360Yag是較好的晶體。隨著應(yīng)用要求的變化，閃爍晶體的尺寸越來(lái)越大，因此生長(zhǎng)大尺寸的閃爍晶體變得更加重要。同時(shí)，國(guó)內(nèi)生長(zhǎng)的Ce:YAP晶體自吸收現(xiàn)象普遍存在，導(dǎo)致無(wú)法有效提高出光量，其機(jī)理尚不清楚。為了有效提高Ce:YAP晶體的閃爍性能，解決其自吸收問(wèn)題，提高其發(fā)光強(qiáng)度，重點(diǎn)研究了Ce:YAP晶體的自吸收機(jī)制。同時(shí)，為了獲得高發(fā)光效率的大尺寸Ce:YAG晶體，嘗試用溫度梯度法生長(zhǎng)大尺寸Ce:YAG晶體，并探索了晶體的比較好熱處理?xiàng)l件。本文主要討論了大尺寸Ce:YAP晶體的生長(zhǎng)和自吸...

一個(gè)類似于輻射長(zhǎng)度的物理量叫做摩爾半徑(RM):RMX0 (Z 1.2)/37.74(1.13)，小摩爾半徑有利于減少其他粒子對(duì)能量測(cè)量的污染。吸收系數(shù)、輻射長(zhǎng)度和摩爾半徑與晶體密度直接或間接成反比。因此，尋找高密度閃爍晶體已成為未來(lái)閃爍晶體的一個(gè)重要研究方向。為了減小探測(cè)器的尺寸和成本，希望探測(cè)器越緊湊越好。因此，要求閃爍晶體在防止輻射方面盡可能強(qiáng)，表現(xiàn)為晶體的吸收系數(shù)大、輻射長(zhǎng)度短、摩爾半徑小。Ce:YAP晶體的吸收光譜和熒光光譜受不同的生長(zhǎng)方法和不同的后熱處理工藝的影響很大。我國(guó)生長(zhǎng)的Ce: YAP晶體存在嚴(yán)重的自吸收問(wèn)題，直接影響晶體的發(fā)光效率。北京新型CeYAP晶體哪家好Mn離子摻...

隨著激光晶體，閃爍晶體，光學(xué)晶體，光學(xué)元件及生產(chǎn)加工產(chǎn)業(yè)受到相關(guān)部門高度重視、下游企業(yè)與元器件產(chǎn)業(yè)的黏性增強(qiáng)、下游 5G 產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景明朗等利好因素的驅(qū)使下，我國(guó)電子元器件行業(yè)下半年形勢(shì)逐漸好轉(zhuǎn)。隨著我們過(guò)經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展，脫貧致富，實(shí)現(xiàn)小康之路觸手可及。值得注意的是有限責(zé)任公司（自然）企業(yè)的發(fā)展，特別是近幾年，我國(guó)的電子企業(yè)實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。從電子元器件的外國(guó)采購(gòu)在出售。電子元器件幾乎覆蓋了我們生活的各個(gè)方面，既包括電力、機(jī)械、交通、化工等傳統(tǒng)工業(yè)，也涵蓋航天、激光、通信、機(jī)器人、新能源等新興產(chǎn)業(yè)。由于晶體放肩階段屬?gòu)?qiáng)迫限制晶體直徑增大的過(guò)程，晶體尺寸的變化率比較大。河南白光LED用CeYAP晶...

目前，Ce:YAP閃爍晶體已有不同規(guī)格出售，主要采用直拉法和下降法生長(zhǎng)。ce:yap的1.5.1.2晶體結(jié)構(gòu)、生長(zhǎng)、能級(jí)和光譜性質(zhì)CeYAP晶體低濃度與高濃度如何區(qū)分？載流子也可以被晶格中的淺陷阱俘獲。這些俘獲的載流子可以被熱釋放并參與復(fù)合過(guò)程，從而增加晶體的發(fā)射持續(xù)時(shí)間。(Ce3離子5d態(tài)的能量較低，與4f態(tài)的高能級(jí)重疊。所以4f電子會(huì)被激發(fā)到5d態(tài)，從5d態(tài)回到4f態(tài)會(huì)發(fā)光。由于5d軌道位于5s5p之外，不像4f軌道那樣被屏蔽在內(nèi)層，所以很容易受到外場(chǎng)的影響，使得5d態(tài)成為能帶而不是離散能級(jí)。從這個(gè)能帶到4f能級(jí)的躍遷成為帶譜。CeYAP作為一種高溫閃爍晶體，具有良好的機(jī)械加工性能。山東高...

摻鈰高溫閃爍晶體是無(wú)機(jī)閃爍晶體的一個(gè)重要發(fā)展方向，其中鈰：YAP和鈰3360Yag是較好的晶體。隨著應(yīng)用要求的變化，閃爍晶體的尺寸越來(lái)越大，因此生長(zhǎng)大尺寸的閃爍晶體變得更加重要。同時(shí)，國(guó)內(nèi)生長(zhǎng)的Ce:YAP晶體自吸收現(xiàn)象普遍存在，導(dǎo)致無(wú)法有效提高出光量，其機(jī)理尚不清楚。為了有效提高Ce:YAP晶體的閃爍性能，解決其自吸收問(wèn)題，提高其發(fā)光強(qiáng)度，重點(diǎn)研究了Ce:YAP晶體的自吸收機(jī)制。同時(shí)，為了獲得高發(fā)光效率的大尺寸Ce:YAG晶體，嘗試用溫度梯度法生長(zhǎng)大尺寸Ce:YAG晶體，并探索了晶體的比較好熱處理?xiàng)l件。CeYAP晶體，摻鈰YAP晶體兼有高光輸出和快衰減時(shí)間的閃爍特征。北京新型CeYAP晶體好...

目前，Ce:YAP閃爍晶體已有不同規(guī)格出售，主要采用直拉法和下降法生長(zhǎng)。ce:yap的1.5.1.2晶體結(jié)構(gòu)、生長(zhǎng)、能級(jí)和光譜性質(zhì)，Ce: YAP晶體的紅外光譜在4.9 um、4.0 um、3.7 um和3.1 um處有吸收帶，這可歸因于Ce3離子從2F5/2躍遷到2 F7/2[40]。紫外-可見(jiàn)吸收光譜在303 nm、290 nm、275 nm、238 nm處有吸收峰，這可歸因于Ce3離子從2F5/2能級(jí)躍遷到5d能級(jí)。Ce: YAP晶體的d-f躍遷為寬帶發(fā)射，峰值在365 nm。Ce 3的光致發(fā)光強(qiáng)度呈單指數(shù)形式衰減，室溫下其衰減常數(shù)約為16-18n。由于YAP矩陣中的各種缺陷能級(jí)都能俘...

在吸收伽馬量子后的10-10s內(nèi)，離子晶體包含大量Vk中心和位于導(dǎo)帶中的自由電子。Vk心臟在閃爍過(guò)程中起著重要作用。軸向弛豫也受到價(jià)帶激子和(X22-)*分子中空穴組成的影響。對(duì)于高能激發(fā)，直接形成價(jià)帶激子的概率比較低，而囚禁的激子可以通過(guò)Vk中心俘獲自由電子形成。那么處于激發(fā)態(tài)的被囚禁的激子可以發(fā)射光子，這就是所謂的激子發(fā)光。這種發(fā)光源于導(dǎo)帶中的電子和Vk中心之間的相互作用，一個(gè)Vke配置的自陷激子。這種發(fā)光具有與由晶體中的光致激發(fā)形成的陰離子激子發(fā)光相同的特征。堿金屬鹵化物晶體的本征激子發(fā)光只在低溫下有效，此時(shí)空穴自陷形成的Vk中心是不動(dòng)的。CeYAP晶體穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)和良好的探測(cè)性能，在...