寬帶pa通常采用cllc、lccl、兩級或多級lc匹配。cllc結構，采用串聯電容到地電感級聯串聯電感到地電容；lccl采用串聯電感到地電容級聯串聯電容到地電感。這兩種結構優點是結構較簡單，插損較小；缺點是寬帶性能一致性不好，在不同的頻率性能不一致，而且...

5G時代，智能手機將采用2發射4接收方案，未來有望演進為8接收方案。功率放大器（PA）是一部手機關鍵的器件之一，它直接決定了手機無線通信的距離、信號質量，甚至待機時間，是整個射頻系統中除基帶外重要的部分。5G將帶動智能移動終端、基站端及IOT設備射頻PA穩健增...

第二端接地。可選的，所述子濾波電路包括：電容；所述電容的端與所述功率合成變壓器的輸入端以及所述功率放大單元的輸出端耦接，第二端接地。可選的，所述子濾波電路還包括：電感；所述電感串聯在所述電容的第二端與地之間。可選的，所述第二子濾波電路包括：第二電容；所述...

當射頻功率放大器電路處于非負增益模式時，可控衰減電路處于無衰減狀態，需要減少對射頻功率傳導的影響，在應用中需要將輸入匹配電路和可控衰減電路隔離。當射頻功率放大器電路處于負增益模式時，可控衰減電路處于衰減狀態，一部分射頻傳導能量進入可控衰減電路變成熱能消...

用于放大所述級間匹配電路輸出的信號；所述輸出匹配電路，用于使所述射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。本申請實施例中，通過射頻功率放大器電路中的可控衰減電路、反饋電路、驅動放大電路、功率放大電路等電路對輸入信號進行處理，實現射頻功率放大器電路的負增...

下面將對具體實施方式或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請的一些實施方式，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本申請一實施例提供的高線性射頻功率放大...

以對輸入至功率合成變壓器的信號進行對應的匹配濾波處理。在具體實施中，子濾波電路可以包括電容c1，電容c1的端可以與功率合成變壓器的輸入端以及功率放大單元的輸入端耦接，第二端可以接地。在本發明實施例中，為提高諧波濾波性能，子濾波電路還可以包括電感l1，電...

氮化鎵集更高功率、更高效率和更寬帶寬的特性于一身，能夠實現比GaAsMESFET器件高10倍的功率密度，擊穿電壓達300伏，可工作在更高的工作電壓，簡化了設計寬帶高功率放大器的難度。目前氮化鎵（GaN）HEMT器件的成本是LDMOS的5倍左右，已經開始...

RF)微波和毫米波應用，設計和開發高性能集成電路、模塊和子系統。這些應用包括蜂窩、光纖和衛星通信，以及醫學及科學成像、工業儀表、航空航天和防務電子。憑借近30年的經驗和創新實踐，Hittite在模擬、數字和混合信號半導體技術領域有著深厚的積淀，從器件級...

因此在寬帶應用中的使用并不。新興GaN技術的工作電壓為28V至50V，優勢在于更高功率密度及更高截止頻率(CutoffFrequency，輸出訊號功率超出或低于傳導頻率時輸出訊號功率的頻率)，擁有低損耗、高熱傳導基板，開啟了一系列全新的可能應用，尤其在5G多輸...

用于放大所述級間匹配電路輸出的信號；所述輸出匹配電路，用于使所述射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。本申請實施例中，通過射頻功率放大器電路中的可控衰減電路、反饋電路、驅動放大電路、功率放大電路等電路對輸入信號進行處理，實現射頻功率放大器電路的負增...

射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與配置狀態的電阻值相同，則表示射頻功率放大器配置完成。相應的，本發明實施例還提供一種移動終端，如圖4所示，該移動終端可以包括射頻(rf，radiofrequency)電路401、包括有一個或一個以上計算機可讀存儲介質的存儲...

其次是低端智能手機（35%）和奢華智能手機（13%）。25G基站，PA數倍增長，GaN大有可為5G基站，射頻PA需求大幅增長5G基站PA數量有望增長16倍。4G基站采用4T4R方案，按照三個扇區，對應的PA需求量為12個，5G基站，預計64T64R將成為主流方...

此時信號將產生非線性，其功率需要小于-10dbm才能實現線性輸出，此時射頻功率放大器電路的線性增益為-10db，因此，其線性輸出功率范圍為：-45dbm～-10dbm。上述高、中、低功率模式中有功率等級的交疊，這是窄帶物聯網技術平臺的要求，這樣可保證應...

本發明涉及通信技術領域，尤其涉及一種射頻功率放大器及通信設備。背景技術：在無線通信中，用戶設備需要支持的工作頻段很多。尤其是第四代蜂窩移動通信(lte)中，用戶設備需要支持40多個工作頻帶(band)。而寬帶功率放大器(poweramplifier，p...

第九電容、第十五電感和第十六電感，以及并聯的電阻和第十一電容一起依次串聯在所述大功率輸入匹配單元的輸入端和輸出端之間；且第十五電感和第十六電感之間的節點通過第十電容接地，第十七電感連接在第十六電感和電阻之間的節點與地之間。在根據本發明所述的寬帶可重構功...

功率放大電路105，用于放大級間匹配電路輸出的信號；輸出匹配電路106，用于使射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。其中，射頻功率放大器電路應用于終端中，可以根據終端與基站的距離選取對應的模式。當終端與基站的距離較近時，路徑損耗較小，終端與基站的通...

顯然，所描述的實施例是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本申請中的實施例，本領域技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本申請保護的范圍。本申請實施例提供一種移動終端射頻功率放大器檢測方法及裝置。本申請實施例的移動終端...

第三變壓器t02、第四變壓器t04和電容c16構成一個匹配網絡。第三變壓器t02的原邊連接有電容c07，第四變壓器t04的原邊連接有電容c14。第三變壓器t02的副邊連接射頻輸出端rfout，第四變壓器t04的副邊接地。每個主體電路中的激勵放大器包括2...

本申請實施例涉及但不限于射頻前端電路，尤其涉及一種射頻功率放大器電路及增益控制方法。背景技術：射頻前端系統中的功率放大器(poweramplifier，pa)一般要求發射功率可調，當pa之前射頻收發器的輸出動態范圍有限時，就要求功率放大器增益高低可調節...

其中：串聯電感l用于匹配并聯到地支路中的sw1在關閉狀態的寄生電容，減少對后級驅動放大電路的輸入匹配電路的影響。在負增益模式下，sw1處在導通狀態，電阻r主要承擔對射頻輸入功率分流后的衰減，sw1主要負責射頻輸入支路端與接地端(gnd)的導通。若系統要...

第三子濾波電路的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三子濾波電路的第二端可以接地。在本發明實施例中，第三子濾波電路可以包括第三電容c3；第三電容c3的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三電容c3的第二端可以接地。在具體實施中，第三子濾波電路還...

寬帶pa通常采用cllc、lccl、兩級或多級lc匹配。cllc結構，采用串聯電容到地電感級聯串聯電感到地電容；lccl采用串聯電感到地電容級聯串聯電容到地電感。這兩種結構優點是結構較簡單，插損較小；缺點是寬帶性能一致性不好，在不同的頻率性能不一致，而...

1.射頻微波功率放大器及其應用放大器是用來以更大的功率、更大的電流，更大的電壓再現信號的部件。在信號處理過程中不可或缺的放大器，既可以做成用在助聽器里的微晶片，也可以做成像多層建筑那么大以便向水下潛艇或外層空間傳輸無線電信號。功率放大器可以被認為是將直...

70年代末研制出了具有垂直溝道的絕緣柵型場效應管，即VMOS管，其全稱為V型槽MOS場效應管，它是繼MOSFET之后新發展起來的高效功率器件，具有耐壓高，工作電流大，輸出功率高等優良特性。垂直MOS場效應晶體管（VMOSFET）的溝道長度是由外延層的厚...

通過可控衰減電路中的電阻吸收和衰減射頻功率，使得進入后續電路的射頻功率減小，輸入信號衰減，從而實現負增益。在一個可能的示例中，可控衰減電路包括電阻r1、第二電阻r2、電感l1和開關t1，開關的柵級與電阻的端連接，電阻的第二端連接電壓信號，開關的漏級與第...

LDMOS增益曲線較平滑并且允許多載波射頻信號放大且失真較小。LDMOS管有一個低且無變化的互調電平到飽和區，不像雙極型晶體管那樣互調電平高且隨著功率電平的增加而變化，這種主要特性因此允許LDMOS晶體管執行高于雙極型晶體管的功率，且線性較好。LDMO...

第六電容的第二端連接第二開關的端，第二開關的第二端連接第五電阻的端，第五電阻的第二端連接第五電容的端，第五電容的第二端和第三電容的第二端連接第二電感的第二端；其中，第二開關，用于響應微處理器發出的第七控制信號使自身處于關斷狀態，以降低反饋深度，實現射頻...

執行移動終端的各種功能和處理數據，從而對手機進行整體監控。可選的，處理器408可包括一個或多個處理；推薦的，處理器408可集成應用處理器和調制解調處理器，其中，應用處理器主要處理操作系統、用戶界面和應用程序等，調制解調處理器主要處理無線通信。可以理解的...

每個主體電路中的功率放大器包括2個共源共柵放大器；在每個主體電路率放大器源放大器的柵極連接自適應動態偏置電路的輸出端，功率放大器柵放大器的柵極連接自適應動態偏置電路的第二輸出端；在主體電路，功率放大器源放大器的柵極與激勵放大器的輸出端連接，功率放大器柵...