所述電阻r1與電容c1串聯(lián)連接,所述電阻r1的上端接場效應管q2的柵極,電容c1的下端接地,電阻r1、電容c1串聯(lián)接地的結(jié)構(gòu)設(shè)計保證了放大單元的穩(wěn)定性。所述電阻r1、電容c1之間連接有第二柵極偏置電路。所述輸入阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)包括依次串聯(lián)連接的隔直電容c2...
輸入可重構(gòu)匹配網(wǎng)絡(luò)模塊100包括輸入切換單元110、大功率輸入匹配單元120和低功率輸入匹配單元130。其中大功率輸入匹配單元120的輸入端與輸入切換單元110的輸出端連接,大功率輸入匹配單元120的輸出端連接至輸入可重構(gòu)匹配網(wǎng)絡(luò)模塊100的大功率匹配...
可以提升放大器的增益以及功率容量,同時實現(xiàn)電路輸出的高效率、高功率。進一步的,高增益三堆疊自適應放大網(wǎng)絡(luò)、第二高增益三堆疊自適應放大網(wǎng)絡(luò)、第三高增益三堆疊自適應放大網(wǎng)絡(luò)和第四高增益三堆疊自適應放大網(wǎng)絡(luò)組成四個放大網(wǎng)絡(luò),其中第j高增益三堆疊自適應放大網(wǎng)絡(luò)...
由于ATA-122D寬帶功率放大器具有極高的帶寬,因此可以實現(xiàn)高頻超短脈寬微細電解加工。相比于其他直流電源和低頻電源,采用ATA-122D寬帶功率放大器所構(gòu)成的高頻超短脈寬電源可以實現(xiàn)高精度的電解加工,具有的優(yōu)勢。2實驗過程:實驗使用ATA-122D寬帶功率放...
傳統(tǒng)的能滿足一定輸出動態(tài)范圍的功率放大器方案有doherty功率放大器、包絡(luò)跟蹤(et)功率放大器和多路放大器采用開關(guān)切換的方案。傳統(tǒng)的doherty和et方案基本無法實現(xiàn)10db以上的大動態(tài)范圍,工作帶寬和/或瞬時帶寬均受到一定限制。多路放大器開關(guān)切...
通過中間級匹配網(wǎng)絡(luò)210平均分為兩路分別輸入到第二級放大器的兩個場效應管放大后,每一路又通過一個第二中間級匹配網(wǎng)絡(luò)220平均分為四路分別輸入到第三級放大器的八個場效應管放大,共得到八路輸出信號,后續(xù)進入輸出可重構(gòu)匹配網(wǎng)絡(luò)模塊400進一步處理。本實施例中...
分別與輸出二維人工傳輸線網(wǎng)絡(luò)的、第二、第三、第四輸入端連接;漏極偏置及負載網(wǎng)絡(luò)的輸出端與輸出二維人工傳輸線網(wǎng)絡(luò)的第五輸入端連接;輸出二維人工傳輸線網(wǎng)絡(luò)的輸出端為整個二路分布式高增益寬帶功率放大器的輸出端。如圖2所示,輸入功分網(wǎng)絡(luò)輸入端連接微帶線tl1,...
大中小寬帶高頻功率放大器(短波通信發(fā)射機的三級寬帶高頻功放)2017-08-31共同成長8...展開全文T1、T2間,T2、T3間采用9:1的傳輸線變壓器進行阻抗變換,T3用4:1的傳輸線變壓器進行阻抗變換。在短波通信頻段內(nèi)功放各級可以實現(xiàn)不調(diào)諧轉(zhuǎn)換波...
微帶線tl12與微帶線tl13之間,微帶線tl13與微帶線tl14之間,微帶線tl14與微帶線tl15之間,微帶線tl15與微帶線tl16之間)為輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)的輸入端,分別連接7個放大單元中場效應管q2的漏極,所述電阻r3為標準輸出阻抗50歐姆。所...
圖10為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖。具體實施方式對于窄帶物聯(lián)網(wǎng)(narrowbandinternetofthings,nb-iot)的終端(userequipment,ue)來說,射頻前端系統(tǒng)中的射頻功率放大器電路一般要求發(fā)射...
功率放大器通過匹配網(wǎng)絡(luò)連接射頻輸出端rfout。自適應動態(tài)偏置電路的輸入端連接射頻輸入端rfin,自適應動態(tài)偏置電路的輸出端連接功率放大器中的共源共柵放大器。其中,自適應動態(tài)偏置電路至少由若干nmos管、若干pmos管、若干電容和電阻組成。可選的,自適...
射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值包括開啟狀態(tài)的電阻值與關(guān)閉狀態(tài)的電阻值。根據(jù)移動終端所切換的頻段,預設(shè)該頻段對應的射頻功率放大器的配置狀態(tài),由射頻功率放大器的配置狀態(tài)得知射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。(2)計算單元302計算單元302,用于計算所述射頻...
其中:串聯(lián)電感l(wèi)用于匹配并聯(lián)到地支路中的sw1在關(guān)閉狀態(tài)的寄生電容,減少對后級驅(qū)動放大電路的輸入匹配電路的影響。在負增益模式下,sw1處在導通狀態(tài),電阻r主要承擔對射頻輸入功率分流后的衰減,sw1主要負責射頻輸入支路端與接地端(gnd)的導通。若系統(tǒng)要...
單位為分貝),再根據(jù)鏈路預算lb確定終端的發(fā)射功率(transmittingpower,pt)(單位為分貝瓦或者分貝毫瓦)。終端在與基站通信后,確定天線的發(fā)射功率pt,根據(jù)天線的發(fā)射功率pt和天線的增益確定射頻功率放大器電路的輸出功率,根據(jù)射頻功率放大...
主次級線圈121的第二端與射頻功率放大器的輸出端output耦接;輔次級線圈122的端與主次級線圈121的第二端耦接,輔次級線圈122的第二端與匹配濾波電路中的輸出端匹配濾波電路耦接。也就是說,在本發(fā)明實施例中,次級線圈由主次級線圈121以及輔次級線圈...
PartNumberFrequencyGainOIP3P1dBSKY85004-1129SE2623L-RTBD—TBDSE2622LSKY65900-11TBD34SKY65174-2135——SKY65162-70LFSKY6513126—28SE...
較小的線圈自感和較大的寄生電容會額外影響變壓器的輸入輸出阻抗,需要增加或調(diào)節(jié)輸入輸出的匹配電容來調(diào)節(jié)阻抗,進而產(chǎn)生額外的阻抗變換),這會影響變壓器有效的阻抗變化比和轉(zhuǎn)換后的阻抗相位,也會降低能量傳輸效率。在本發(fā)明實施例中,增加輔次級線圈,可以在不影響初...
以便能保證它工作在一個線性工作區(qū),要具有足夠的電壓范圍以便隨著整個輸入信號幅度的變化在不被剪裁或壓縮的情況下復制它。A類放大器的優(yōu)點:A類設(shè)計相比其他類設(shè)計要簡單,輸出部分可以有一個器件。當器件通過偏置設(shè)置工作在其傳輸特性的線性部分時,放大器可以非常精...
搶占基于硅LDMOS技術(shù)的基站PA市場。對于既定功率水平,GaN具有體積小的優(yōu)勢。有了更小的器件,則可以減小器件電容,從而使得較高帶寬系統(tǒng)的設(shè)計變得更加輕松。氮化鎵基MIMO天線功耗可降低40%。下圖展示的是鍺化硅和氮化鎵的毫米波5G基站MIMO天線方案,左側(cè)...
控制信號vgg通過電阻與開關(guān)連接,同時通過備用電阻與備用開關(guān)連接。備用電阻的參數(shù)與電阻的參數(shù)相同,二者都是作為上拉電阻給開關(guān)供電。備用開關(guān)的參數(shù)與開關(guān)的參數(shù)相同,開關(guān)和備用開關(guān)的寄生電阻皆為單開關(guān)的寄生電阻值ron的一半,因此雙開關(guān)的整體寄生電阻值與單...
驅(qū)動放大電路和功率放大電路的電路結(jié)構(gòu)一樣,但二者對應的各個器件的尺寸差異很大。相比較而言,功率放大電路更加注重輸出放大信號的效率,驅(qū)動放大電路更加注重放大信號的增益控制。射頻功率放大器電路的高、中、低功率模式下,電路結(jié)構(gòu)和dc偏置都需要進行切換,即,通...
本發(fā)明實施例的技術(shù)方案具有以下有益效果:增加輔次級線圈可以在不影響初級線圈和主次級線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑,減小耦合系數(shù)k值較小對阻抗變換的影響。根據(jù)初級線圈和主次級線圈的k值等參數(shù),選擇合適的輔次級線圈的大小和k值可以有效提高功率合成...
射頻功率放大器的關(guān)閉狀態(tài)的電阻值即射頻功率放大器自身的電阻值;檢測到射頻功率放大器開啟時,其匹配電阻生效,射頻功率放大器的開啟狀態(tài)的電阻值即匹配電阻的電阻值。匹配電阻跟射頻功率放大器可以連接,將射頻功率放大器的控制端接入匹配電阻的控制端;匹配電阻跟射頻...
將從2019年開始為GaN器件帶來巨大的市場機遇。相比現(xiàn)有的硅LDMOS(橫向雙擴散金屬氧化物半導體技術(shù))和GaAs(砷化鎵)解決方案,GaN器件能夠提供下一代高頻電信網(wǎng)絡(luò)所需要的功率和效能。而且,GaN的寬帶性能也是實現(xiàn)多頻帶載波聚合等重要新技術(shù)的關(guān)鍵因素之...
PA)用量翻倍增長:PA是一部手機關(guān)鍵的器件之一,它直接決定了手機無線通信的距離、信號質(zhì)量,甚至待機時間,是整個射頻系統(tǒng)中除基帶外重要的部分。手機里面PA的數(shù)量隨著2G、3G、4G、5G逐漸增加。以PA模組為例,4G多模多頻手機所需的PA芯片為5-7顆,預測5...
RF)微波和毫米波應用,設(shè)計和開發(fā)高性能集成電路、模塊和子系統(tǒng)。這些應用包括蜂窩、光纖和衛(wèi)星通信,以及醫(yī)學及科學成像、工業(yè)儀表、航空航天和防務電子。憑借近30年的經(jīng)驗和創(chuàng)新實踐,Hittite在模擬、數(shù)字和混合信號半導體技術(shù)領(lǐng)域有著深厚的積淀,從器件級...
微處理器通過控制vgg=,使得開關(guān)導通,可控衰減電路處于衰減狀態(tài),此時,一部分射頻傳導功率進入可控衰減電路變成熱能消耗掉,另一部分射頻傳導功率進入可控衰減電路之后的電路,輸入信號衰減,射頻功率放大器電路實現(xiàn)非負增益模式。當開關(guān)關(guān)斷時,電感用于匹配寄生電...
以對輸入至功率合成變壓器的信號進行對應的匹配濾波處理。在具體實施中,子濾波電路可以包括電容c1,電容c1的端可以與功率合成變壓器的輸入端以及功率放大單元的輸入端耦接,第二端可以接地。在本發(fā)明實施例中,為提高諧波濾波性能,子濾波電路還可以包括電感l(wèi)1,電...
是為了便于描述本申請和簡化描述,而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作,因此不能理解為對本申請的限制。此外,術(shù)語“”、“第二”、“第三”用于描述目的,而不能理解為指示或暗示相對重要性。在本申請的描述中,需要說明的是,...
自適應動態(tài)偏置電路的輸入端通過匹配網(wǎng)絡(luò)連接射頻輸入端;自適應動態(tài)偏置電路的輸出端連接功率放大器源放大器的柵極和共柵放大器的柵極。可選的,在自適應動態(tài)偏置電路中,nmos管的柵極為自適應動態(tài)偏置電路的輸入端,nmos管的漏極連接pmos管的源極,nmos...