參考圖7)，這種殘余物在覆蓋一系列柵極堆棧薄膜之后會被增強呈現，傳遞到柵極成型工序時會對柵極圖形產生嚴重的影響，即在柵極曝光圖形成型之后形成埋層缺陷，在柵極刻蝕圖形成型之后造成柵極斷開或橋接，直接降低了產品良率。另外，在氧氣灰化階段，由于等離子氧可以穿透襯底表面上的氧化層到達襯底硅區，直接與硅反應產生二氧化硅，增加了硅損失，會影響器件閾值電壓及漏電流，也會影響產品良率。技術實現要素：在發明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念,該簡化形式的概念均為本領域現有技術簡化，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發明的發明內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術...

若所述過濾器被所述薄膜碎屑阻塞，則關閉連接被阻塞的所述過濾器的管道上的閥門開關；取出被阻塞的所述過濾器。在一些實施例中，所述若所述過濾器被所述薄膜碎屑阻塞，則關閉連接被阻塞的所述過濾器的管道上的閥門開關包括：若所述過濾器包括多個并列排布的子過濾器，則關閉連接被阻塞的所述子過濾器的管道上的閥門開關。本申請實施例還提供一種剝離液機臺，包括：依次順序排列的多級腔室、每一級所述腔室對應連接一存儲箱；過濾器，所述過濾器的一端設置通過管道與當前級腔室對應的存儲箱連接，所述過濾器的另一端通過第二管道與下一級腔室連接；其中，至少在所述管道或所述第二管道上設置有閥門開關開關。通過閥門開關控制連接每一級腔...

從而可以在閥門開關60關閉后取下被阻塞的過濾器30進行清理并不會導致之后的下一級腔室102的剝離進程無法繼續。其中，腔室10用于按照處于剝離制程的玻璃基板的傳送方向逐級向玻璃基板分別提供剝離液；與多個腔室10分別對應連接的多個存儲箱20，各級腔室10分別通過管道與相應的存儲箱20連接，存儲箱20用于收集和存儲來自當前級腔室101的經歷剝離制程的剝離液；過濾器30用于過濾來自當前級腔室101的存儲箱20的剝離液，并且過濾器30還可以通過管道與下一級腔室102連接，從而過濾器30可以將過濾后的剝離液輸送給下一級腔室102。各腔室10設計為適合進行剝離制程，用于向制程中的玻璃基板供給剝離液，...

能夠除去抗蝕劑。用本發明剝離液處理施加有抗蝕劑的基材的條件沒有特別限定，例如，可以舉出在設為10～80℃的本發明剝離液中浸漬基材1～60分鐘左右的條件、將設為10～80℃的本發明剝離液向基材噴霧1～60分鐘左右的條件。需要說明的是，浸漬時，可以搖動基材，或對本發明剝離液施加超聲波。抗蝕劑的種類沒有特別限定，可以是例如干膜抗蝕劑、液體抗蝕劑等中的任一種。干膜抗蝕劑的種類也沒有特別限定，例如推薦堿可溶型的干膜抗蝕劑。作為這樣的堿可溶型的干膜抗蝕劑，例如，可以舉出rd-1225(sap用25μm厚)(日立化成株式會社制)等。施加抗蝕劑的基材沒有特別限定，例如，可以舉出印刷布線板、半導體基板、平板顯示...

本發明涉及能夠從施加有抗蝕劑的基材剝離抗蝕劑的抗蝕劑的剝離液。背景技術：：印刷布線板的制造、主要是半加成法中使用的干膜抗蝕劑等抗蝕劑的剝離液中，伴隨微細布線化而使用胺系的剝離液。然而，以往的胺系的抗蝕劑的剝離液有廢液處理性難、海外的法規制度的問題，而避免其使用。近年來，為了避免胺系的抗蝕劑的剝離液的問題點，還報道了一種含有氫氧化鈉和溶纖劑的剝離液(專利文獻1)，由于剝離時的抗蝕劑沒有微細地粉碎，因此存在近年的微細的布線間的抗蝕劑難以除去的問題點。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2002-323776號公報技術實現要素：發明要解決的問題因此，本發明的課題在于，提供容易除去微細的布線間的抗...

所述功能切換口外部并聯有高純水輸入管線和沉淀劑輸入管線，所述二級過濾罐的底部設有廢液出口，所述一級過濾罐和二級過濾罐內部均懸設有攔截固體成分的過濾筒。上述的光刻膠廢剝離液回收裝置，所述一級過濾罐和二級過濾罐的結構相同，均由外殼、懸設于外殼內的過濾筒、扣裝于過濾筒頂部的壓蓋組成，所述壓蓋中心設有對應進料管路的通孔，所述過濾筒由均勻布設多孔的支撐筒體、設于支撐筒體內表面的金屬濾網、設于金屬濾網表面的纖維濾布組成，所述支撐筒體的上沿伸出外殼頂部并利用水平翻邊支撐于外殼上表面，所述金屬濾網的上沿設有與支撐筒體的水平翻邊扣合的定位翻邊，所述支撐筒體的底面為向筒體內側凹陷的錐面。上述的光刻膠廢剝離...

本技術通過以下技術方案來實現上述目的：一種印刷品膠面印刷剝離復合裝置，包括主支撐架、橫向支架、伺服變頻電機、電機減速箱、印刷品放置箱、表面印刷結構、膠面剝離結構，所述主支撐架上方設置有所述橫向支架，所述橫向支架上方設置有所述伺服變頻電機，所述伺服變頻電機上方設置有所述電機減速箱，所述電機減速箱上方安裝有印刷品傳送帶，所述印刷品傳送帶一側安裝有所述印刷品放置箱，所述印刷品放置箱一側安裝有所述表面印刷結構，所述表面印刷結構上方設置有油墨放置箱,所述油墨放置箱下方安裝有油墨加壓器，所述油墨加壓器下方安裝有高壓噴頭，所述高壓噴頭一側安裝有防濺射擋板。剝離液可以用在哪些制程段上；無錫銅鈦蝕刻液剝離液銷售...

本發明涉及能夠從施加有抗蝕劑的基材剝離抗蝕劑的抗蝕劑的剝離液。背景技術：：印刷布線板的制造、主要是半加成法中使用的干膜抗蝕劑等抗蝕劑的剝離液中，伴隨微細布線化而使用胺系的剝離液。然而，以往的胺系的抗蝕劑的剝離液有廢液處理性難、海外的法規制度的問題，而避免其使用。近年來，為了避免胺系的抗蝕劑的剝離液的問題點，還報道了一種含有氫氧化鈉和溶纖劑的剝離液(專利文獻1)，由于剝離時的抗蝕劑沒有微細地粉碎，因此存在近年的微細的布線間的抗蝕劑難以除去的問題點。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2002-323776號公報技術實現要素：發明要解決的問題因此，本發明的課題在于，提供容易除去微細的布線間的抗...

本申請涉及半導體工藝技術領域，具體涉及一種剝離液機臺及其工作方法。背景技術：剝離(lift-off)工藝通常用于薄膜晶體管(thinfilmtransistor)制程中的光罩縮減，lift-off先形成光阻并圖案化，再在光阻上成膜，移除光阻的同時，沉積在光阻上的膜層也被剝離，從而完成膜層的圖形化，通過該制程可以實現兩次光刻合并為一次以達到光罩縮減的目的。現有技術中，由于光阻上沉積了薄膜(該薄膜材料可以為金屬，ito(氧化銦錫)等用于制備tft的膜層)，在剝離光阻的同時薄膜碎屑被帶入剝離液(stripper)中，大量的薄膜碎屑將會導致剝離液機臺中的過濾器(filter)堵塞，從而導致機臺...

光刻膠又稱光致抗蝕劑，主要由感光樹脂、增感劑和溶劑三種成分組成。感光樹脂經光照后，在曝光區能很快地發生光固化反應，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發生明顯變化。經曝光、顯影、刻蝕、擴散、離子注入、金屬沉積等工藝將所需的微細圖形從掩模版轉移至加工的基板上、***通過去膠剝離液將未曝光部分余下的光刻膠清洗掉，從而完成整個圖形轉移過程。在液晶面板和amoled生產中***使用。現有的剝離液主要有兩種，分別是水性剝離液和有機剝離液，由于有機剝離液只能用于具有mo/al/mo結構的制程中，無法用于ito/ag/ito；且乙醇胺的含量高達60％以上，有很強的腐蝕性，因此，常用的剝...

根據新思界產業研究中心發布的《2020-2024年中國剝離液行業市場供需現狀及發展趨勢預測報告》顯示，剝離液屬于濕電子化學品的重要品類，近幾年受新能源、汽車電子等產業的快速發展，我國濕電子化學品市場規模持續擴增，2019年我國濕電子化學品市場規模達到100億元左右，需求量約為138萬噸。隨著剝離液在半導體產業中的應用增長，剝離液產量以及市場規模隨之擴大，2019年我國半導體用剝離液需求量約為，只占據濕電子化學品總需求量的。從競爭方面來看，當前全球剝離液的生產由濕電子化學品企業主導，主要集中在歐美、日韓以及中國，代表性企業有德國巴斯夫、德國漢高、美國霍尼韋爾、美國ATMI公司、美國空...

本發明涉及能夠從施加有抗蝕劑的基材剝離抗蝕劑的抗蝕劑的剝離液。背景技術：：印刷布線板的制造、主要是半加成法中使用的干膜抗蝕劑等抗蝕劑的剝離液中，伴隨微細布線化而使用胺系的剝離液。然而，以往的胺系的抗蝕劑的剝離液有廢液處理性難、海外的法規制度的問題，而避免其使用。近年來，為了避免胺系的抗蝕劑的剝離液的問題點，還報道了一種含有氫氧化鈉和溶纖劑的剝離液(專利文獻1)，由于剝離時的抗蝕劑沒有微細地粉碎，因此存在近年的微細的布線間的抗蝕劑難以除去的問題點。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2002-323776號公報技術實現要素：發明要解決的問題因此，本發明的課題在于，提供容易除去微細的布線間的抗...

避免接觸皮膚、眼睛和衣服；存儲：密閉存放在陰涼干燥的地方8.防燥和人員保護極限N-Methyl-2-pyrrolidone80mg/m3(19ml/m3)DFGMAK(peaklimitationcategory-II,2)(Vapour)(skin)10ppmAIHA,TWAN,N-DIMETHYLACETAMIDE-TWA:10ppm,35mg/m3通風：良好的通風措施，保持良好通風人員保護設備：橡膠手套、防護目鏡，避免接觸皮膚、眼睛、衣服、避免吸入蒸汽壓；9.物理和化學性能物理測試：液體顏色：微黃氣味:類氨熔點:-24~-23℃沸點：165~204℃閃點:110℃蒸汽壓mmHg@...

以往的光刻膠剝離液對金屬的腐蝕較大，可能進入疊層內部造成線路減薄，藥液殘留，影響產品的質量。因此有必要開發一種不會對疊層晶圓產生過腐蝕的光刻膠剝離液。技術實現要素：本發明的主要目的在于提供一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液，既具有較高的光刻膠剝離效率，又不會對晶圓內層有很大的腐蝕。本發明通過如下技術方案實現上述目的：一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液，配方包括10～20wt％二甲基亞砜，10～20wt％一乙醇胺，5～11wt％四甲基氫氧化銨，～1wt％硫脲類緩蝕劑和～2wt％聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑，5～15wt％n-甲基吡咯烷酮和余量的去離子水。具體的。哪家公司的剝離液的是口碑推薦？紹興銅蝕刻...

光刻膠殘留大，殘留分布不均勻，并且產生邊緣聚集殘留。為了能夠進一步地表示配方一和配方二之間的光刻膠殘留量對比，圖2中將多張單張檢測圖進行疊加，可以更加清楚地看出兩者之間的區別，能夠明顯地看出使用配方一的剝離液，高世代面板邊緣光刻膠殘留量大。下面列舉更多剝離液組分實施例。表三：不同組分的剝離液表四：測試剝離性能時間30s50s70s90s1okokokok2okokokok3okokokok4okokokok5okokokok6okokokok7okokokok8okokokok9okokokok表三為9組不同組分的所制成的剝離液，9組不同組分的剝離液都進行剝離性能測試，在50℃下分別放...

隨著國內電子制造產業和光電產業的迅速發展，光刻膠剝離液等電子化學品的使用量也大為増加。特別是縱觀近幾年度的光電行業，風靡全球的智能手持設備、移動終端等簡直成為了光電行業的風向標：與之相關的光電領域得到了飛速的發展，鏡頭模組、濾光片、LTPS液晶顯示面板、觸摸屏幕、傳感器件等等。而光電行業的其他領域，雖然也有增長，但是遠不及與智能手持設備相關的光電領域。工業上所使用的剝離液主要是有機胺和極性有機溶劑的組合物，通過溶脹和溶解方式剝離除去光刻膠。上述有機胺可包括單乙醇胺(MEA)，二甲基乙酰胺(DMAC)，N-甲基甲酰胺(NMF)，N-甲基ニ乙醇胺(MDEA)等。上述極性有機溶劑可包括二...

在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本申請實施例提供的剝離液機臺的種結構示意圖。圖2為本申請實施例提供的剝離液機臺的第二種結構示意圖。圖3為本申請實施例提供的剝離液機臺的第三種結構示意圖。圖4為本申請實施例提供的剝離液機臺的第四種結構示意圖。圖5為本申請實施例提供的剝離液機臺的工作方法的流程示意圖。具體實施方式目前剝離液機臺在工作時，如果過濾剝離光阻時產生的薄膜碎屑的過濾器被阻塞，則需要剝離液機臺內的所有工作單元，待被阻塞的過濾器被清理后，才能重新進行剝離制程，使得機臺需頻繁停線以更換過濾器，極大的降低了生產效率。請參閱圖1，圖1為本申請實施例提供的...

能夠除去抗蝕劑。用本發明剝離液處理施加有抗蝕劑的基材的條件沒有特別限定，例如，可以舉出在設為10～80℃的本發明剝離液中浸漬基材1～60分鐘左右的條件、將設為10～80℃的本發明剝離液向基材噴霧1～60分鐘左右的條件。需要說明的是，浸漬時，可以搖動基材，或對本發明剝離液施加超聲波。抗蝕劑的種類沒有特別限定，可以是例如干膜抗蝕劑、液體抗蝕劑等中的任一種。干膜抗蝕劑的種類也沒有特別限定，例如推薦堿可溶型的干膜抗蝕劑。作為這樣的堿可溶型的干膜抗蝕劑，例如，可以舉出rd-1225(sap用25μm厚)(日立化成株式會社制)等。施加抗蝕劑的基材沒有特別限定，例如，可以舉出印刷布線板、半導體基板、平板顯示...

每一所述第二子管道502與所述公共子管道501連通，所述公共子管道501與所述下一級腔室102連通。其中，閥門開關60設置在每一子管道301上。在一些實施例中，閥門開關60設置在每一***子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些實施例中，閥門開關60設置在每一第二子管道502上。具體的，閥門開關60的設置位置可以設置在連接過濾器30的任意管道上，在此不做贅述。在一些實施例中，請參閱圖4，圖4為本申請實施例提供的剝離液機臺100的第四種結構示意圖。第二管道50包括多個第三子管道503，每一所述第三子管道503與一子過濾器連通301，且每一所述第三子管道503與所述下一級腔室連...

本發明涉及化學制劑技術領域：，特別涉及一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。背景技術：：隨著半導體制造技術以及立體封裝技術的不斷發展，電子器件和電子產品對多功能化和微型化的要求越來越高。在這種小型化趨勢的推動下，要求芯片的封裝尺寸不斷減小。3d疊層粉妝技術的封裝體積小，立體空間大，引線距離短，信號傳輸快，所以能夠更好地實現封裝的微型化。晶圓疊層是3d疊層封裝的一種形式。疊層晶圓在制造的過程中會對**外層的晶圓表面進行顯影蝕刻，當中會用到光刻膠剝離液。華星光電用的哪家的剝離液？南通剝離液聯系方式 技術領域：本發明涉及一種選擇性剝離光刻膠制備微納結構的方法，可用于微納制造，光學領域，電學，生物...

能夠增強親水性，使得剝離液親水性良好，能快速高效地剝離溶解光刻膠。潤濕劑含有羥基，為聚乙二醇、甘油中的任意一種。下面通過具體實施例對本申請作進一步詳細說明。以下實施例對本申請進行進一步說明，不應理解為對本申請的限制。表一：兩種不同組分的剝離液配方一和配方二所采用的基礎組分基本相同，不同的是配方二中加入有潤濕劑，上述所描述的潤濕劑是用于增強親水性的，滴液與產品表面間的夾角為接觸角，接觸角可用來衡量潤濕程度，水滴角測試儀可測量接觸角，從潤濕角度考慮，接觸角＜90°，且接觸角越小潤濕效果越好加入潤濕劑后的配方二所制得的剝離液，在滴落在高世代面板后，通過水滴角測試儀測接觸角，檢測圖如圖1所示，...

本發明涉及剝離液技術領域：，更具體的說是涉及一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。背景技術：：電子行業飛速發展，光刻膠應用也越來越。在半導體元器件制造過程中，經過涂敷-顯影-蝕刻過程，在底層金屬材料上蝕刻出所需線條之后，必須在除去殘余光刻膠的同時不能損傷任何基材，才能再進行下道工序。因此，光刻膠的剝離質量也有直接影響著產品的質量。但是傳統光刻膠剝離液雖然能剝離絕大部分光阻，但對于高世代面板(高世代面板是代指大尺寸的液晶面板)，傳統剝離液親水性不夠，水置換能力較差，容易造成面板邊緣光刻膠殘留。技術實現要素：本發明的目的是提供一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。為了實現上述目的，本發明采用如下技...

以往的光刻膠剝離液對金屬的腐蝕較大，可能進入疊層內部造成線路減薄，藥液殘留，影響產品的質量。因此有必要開發一種不會對疊層晶圓產生過腐蝕的光刻膠剝離液。技術實現要素：本發明的主要目的在于提供一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液，既具有較高的光刻膠剝離效率，又不會對晶圓內層有很大的腐蝕。本發明通過如下技術方案實現上述目的：一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液，配方包括10～20wt％二甲基亞砜，10～20wt％一乙醇胺，5～11wt％四甲基氫氧化銨，～1wt％硫脲類緩蝕劑和～2wt％聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑，5～15wt％n-甲基吡咯烷酮和余量的去離子水。具體的。選擇剝離液，提升工作效率，降低成本。蕪湖...

按照玻璃基板傳送方向從當前腔室101開始逐級由各腔室10向玻璃基板供給剝離液以進行剝離制程。剝離液從當前腔室101進入相應的存儲箱20，在剝離液的水平面超過預設高度后流入過濾器30，再經過過濾器30的過濾將過濾后的剝離液傳送至下一級腔室102內。其中，薄膜碎屑70一般為金屬碎屑或ito碎屑。其中，如圖2所示，圖2為本申請實施例提供的剝離液機臺100的第二種結構示意圖。閥門開關60設置在管道40及第二管道50上。在過濾器30被阻塞時，關閉位于過濾器30兩側的管道40及第二管道50上的閥門開關60，可以保證當前級腔室101對應的存儲箱20內剝離液不會流出，同時下一級腔室102內的剝離液也不...

常在印刷電路板，液晶顯示面板，半導體集成電路等工藝制造過程中，需要通過多次圖形掩膜照射曝光及蝕刻等工序在硅晶圓或玻璃基片上形成多層精密的微電路，形成微電路之后，進一步用剝離液將涂覆在微電路保護區域上作為掩膜的光刻膠除去。比如光電TFT-LCD生產工藝主要包含光阻涂布、顯影、去光阻、相關清洗作業四大階段，其中在去光阻階段會產生部分剝離液。印制電路板生產工藝相當復雜。不僅設備和制造工藝的科技含量高，工藝流程長，用水量大，而且所用的化學藥品（包括各種添加劑）種類多、用量大。因此，在用減成法生產印刷線路板的過程中，產污環節多，種類繁雜，物料損耗大。可分為干法加工(設計和布線、模版制作、鉆孔...

光刻膠殘留大，殘留分布不均勻，并且產生邊緣聚集殘留。為了能夠進一步地表示配方一和配方二之間的光刻膠殘留量對比，圖2中將多張單張檢測圖進行疊加，可以更加清楚地看出兩者之間的區別，能夠明顯地看出使用配方一的剝離液，高世代面板邊緣光刻膠殘留量大。下面列舉更多剝離液組分實施例。表三：不同組分的剝離液表四：測試剝離性能時間30s50s70s90s1okokokok2okokokok3okokokok4okokokok5okokokok6okokokok7okokokok8okokokok9okokokok表三為9組不同組分的所制成的剝離液，9組不同組分的剝離液都進行剝離性能測試，在50℃下分別放...

使用當前級腔室相應的過濾器過濾來自當前級腔室的剝離液并將過濾后的剝離液傳輸至下一級腔室；若所述過濾器被所述薄膜碎屑阻塞，則關閉連接被阻塞的所述過濾器的管道上的閥門開關；取出被阻塞的所述過濾器。在一些實施例中，所述若所述過濾器被所述薄膜碎屑阻塞，則關閉連接被阻塞的所述過濾器的管道上的閥門開關包括：若所述過濾器包括多個并列排布的子過濾器，則關閉連接被阻塞的所述子過濾器的管道上的閥門開關。本申請實施例還提供一種剝離液機臺，包括：依次順序排列的多級腔室、每一級所述腔室對應連接一存儲箱；過濾器，所述過濾器的一端設置通過管道與當前級腔室對應的存儲箱連接，所述過濾器的另一端通過第二管道與下一級腔...

從而可以在閥門開關60關閉后取下被阻塞的過濾器30進行清理并不會導致之后的下一級腔室102的剝離進程無法繼續。其中，腔室10用于按照處于剝離制程的玻璃基板的傳送方向逐級向玻璃基板分別提供剝離液；與多個腔室10分別對應連接的多個存儲箱20，各級腔室10分別通過管道與相應的存儲箱20連接，存儲箱20用于收集和存儲來自當前級腔室101的經歷剝離制程的剝離液；過濾器30用于過濾來自當前級腔室101的存儲箱20的剝離液，并且過濾器30還可以通過管道與下一級腔室102連接，從而過濾器30可以將過濾后的剝離液輸送給下一級腔室102。各腔室10設計為適合進行剝離制程，用于向制程中的玻璃基板供給剝離液，...

剝離液是一種通用濕電子化學品，主要用于去除金屬電鍍或者蝕刻加工完成后的光刻膠和殘留物質，同時防止對襯底層造成破壞。剝離液是集成電路、分立器件、顯示面板、太陽能電池等生產濕法工藝制造的關鍵性電子化工材料，下游應用領域，但整體應用需求較低，因此市場規模偏小。剝離液應用在太陽能電池中，對于剝離液的潔凈度要求較低，需達到G1等級，下游客戶主要要天合、韓華、通威等；應用到面板中，通常要達到G2、G3等級，且高世代線對于剝離液的要求要高于低世代線，下游客戶有京東方、中星光電；在半導體中的應用可分等級，在8英寸及以下的晶圓制造中，對于剝離液的要求達到G3、G4水平，大硅片、12英寸晶元等產品要達到G5水平。...

按照組成成分和應用工藝不同，濕電子化學品可分為通用性和功能性濕電子化學品。通用濕電子化學品以超凈高純試劑為主，一般為單組份、單功能、被大量使用的液體化學品，按照性質劃分可分為：酸類、堿類、有機溶劑類和其他類。酸類包括氫氟酸、硝酸、鹽酸、硫酸、磷酸等；堿類包括氨水、氫氧化鈉、氫氧化鉀等；有機溶劑類包括甲醇、乙醇、異丙醇、**、乙酸乙酯等；其他類包括雙氧水等。功能濕電子化學品指通過復配手段達到特殊功能、滿足制造中特殊工藝需求的復配類化學品，即在單一的超凈高純試劑（或多種超凈高純試劑的配合）基礎上，加入水、有機溶劑、螯合劑、表面活性劑混合而成的化學品。例如剝離液、顯影液、蝕刻液、清洗液等...