鋁碳化硅在T/R組件中的應(yīng)用：本世紀(jì)初，美國(guó)的AlSiC年產(chǎn)量超過(guò)100萬(wàn)件，T/ R模塊已經(jīng)由“磚”式封裝向很薄、邊長(zhǎng)5cm或更小方塊形的“瓦”式封裝發(fā)展，進(jìn)一步降低T/R模塊的尺寸、厚度、重量以及所產(chǎn)生的熱量。歐洲防務(wù)公司、法、英、德聯(lián)合開發(fā)機(jī)載AESA及...

IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與其設(shè)計(jì)、測(cè)試、流片、封裝等 各環(huán)節(jié)密切相聯(lián)，**終在市場(chǎng)應(yīng)用中體現(xiàn)價(jià)值認(rèn)同，良性循環(huán)形成量產(chǎn)規(guī)模，實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)效益。封裝技術(shù)至關(guān)重要，尤其是***產(chǎn)品大多采用金屬封裝、陶瓷封裝結(jié)構(gòu)，確保器件、模塊、組件、系統(tǒng)的整體可靠性。金屬封裝氣密性高，散熱性好...

熔滲法是AlSiC制備的關(guān)鍵，一般分為有壓力滲透和無(wú)壓力滲透，前者根據(jù)生產(chǎn)過(guò)程中壓力施加的大小、方式的不同，又分為擠壓熔滲、氣壓壓力熔滲、離心熔滲鑄造法等,主要特點(diǎn)是需要真空和高壓設(shè)備，滲透時(shí)間較短，有效控制Al與SiC的界面反應(yīng)，同時(shí)與精度的模具相配套，獲得...

多孔陶瓷是指經(jīng)過(guò)特殊成型和高溫?zé)Y(jié)工藝制備的一種具有較多孔洞的無(wú)機(jī)非金屬材料。具有耐高溫、開口孔隙率高、比表面積大、孔結(jié)構(gòu)可控等特點(diǎn)，因而在吸附、分離、過(guò)濾、分散、滲透、換熱隔熱、吸聲、隔音、催化載體、傳感以及生物醫(yī)學(xué)等方面都有著***的應(yīng)用。商業(yè)化的多孔...

碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級(jí)，*次于世界上**硬的金剛石（10級(jí)），具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能，是一種半導(dǎo)體，高溫時(shí)能抗氧化。 碳化硅歷程表1905年***次在隕石中發(fā)現(xiàn)碳化硅1907年***只碳化硅晶體發(fā)光二極管誕生1955年理論和技術(shù)上重大突破，...

2、高體分鋁碳化硅的主要應(yīng)用領(lǐng)域——電子封裝：高體分鋁碳化硅為第三代半導(dǎo)體封裝材料，已率先實(shí)現(xiàn)電子封裝材料的規(guī)模產(chǎn)業(yè)化，滿足半導(dǎo)體芯片集成度沿摩爾定律提高導(dǎo)致芯片發(fā)熱量急劇升高、使用壽命下降以及電子封裝的“輕薄微小”的發(fā)展需求。尤其在航空航天、微波集成電路...

中體分鋁碳化硅的功能化特性比較突出，即不僅具有比鋁合金和鈦合金高出一倍的比剛度，還有著與鈹材及鋼材接近的低膨脹系數(shù)和優(yōu)于鈹材的尺寸穩(wěn)定性。因此，其可替代鈹材用作慣性導(dǎo)航系統(tǒng)器件，被譽(yù)為“第三代航空航天慣性器件材料”。其已被正式用于美國(guó)某型號(hào)慣性環(huán)形激光陀螺制導(dǎo)...

多孔碳化硅陶瓷的特殊性能主要得益于其特殊的多孔結(jié)構(gòu)，它的多孔結(jié)構(gòu)包含氣孔率、孔徑大小及分布、孔的形狀等。因此需要通過(guò)制備方法來(lái)調(diào)控其孔隙率、孔徑大小及分布、孔的形狀來(lái)得到所需的多孔結(jié)構(gòu)。所以，它的制備方法一直是人們的研究重點(diǎn)。物理法是指多孔碳化硅陶瓷中的空隙是...

AlSiC可制作出光電模塊封裝要求光學(xué)對(duì)準(zhǔn)非常關(guān)鍵的復(fù)雜幾何圖形，精確控制圖形尺寸，關(guān)鍵的光學(xué)對(duì)準(zhǔn)部分無(wú)需額外的加工，保證光電器件的對(duì)接，降低成本。此外，AlSiC有優(yōu)良的散熱性能，能保持溫度均勻性，并優(yōu)化冷卻器性能，改善光電器件的熱管理。 AlSi...

熔滲法是AlSiC制備的關(guān)鍵，一般分為有壓力滲透和無(wú)壓力滲透，前者根據(jù)生產(chǎn)過(guò)程中壓力施加的大小、方式的不同，又分為擠壓熔滲、氣壓壓力熔滲、離心熔滲鑄造法等,主要特點(diǎn)是需要真空和高壓設(shè)備，滲透時(shí)間較短，有效控制Al與SiC的界面反應(yīng)，同時(shí)與精度的模具相配套，獲得...

顆粒堆積法制備多孔碳化硅陶瓷不需要添加額外的造孔劑，工藝簡(jiǎn)單，而且過(guò)程也比較容易控制。但是采用該方法制備的多孔陶瓷氣孔率普遍較低，孔的形狀、孔徑以及氣孔率的高低主要受原料顆粒的形狀、粒徑大小和分布、以及燒結(jié)程度決定。冷凍干燥法是將陶瓷骨料與適量分散劑或結(jié)合劑作...

發(fā)泡法 發(fā)泡法是通過(guò)向陶瓷組分中添加有機(jī)或無(wú)機(jī)化學(xué)物質(zhì)作為發(fā)泡劑，在加熱處理時(shí)形成揮發(fā)性氣體，產(chǎn)生泡沫，經(jīng)干燥和燒成后制得碳化硅多孔陶瓷。在制備過(guò)程中，發(fā)泡劑選擇非常關(guān)鍵，通過(guò)調(diào)整發(fā)泡劑種類及陶瓷料漿中各成分比例，可控制制品的性能。 優(yōu)點(diǎn)包括：...

顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料是利用顆粒自身的強(qiáng)度，其基體起著把顆粒組合在一起的作用，采用多種顆粒直徑進(jìn)行搭配，強(qiáng)化相的容積比可達(dá)90％。SiC顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料是各向同性、顆粒價(jià)格比較低、來(lái)源**廣、復(fù)合制備工藝多樣、**易成形和加工的復(fù)合材料。通過(guò)碳化硅多孔陶瓷預(yù)...

鋁碳化硅（AlSiC）復(fù)合材料是大功率IGBT封裝的理想材料，目前先進(jìn)制備技術(shù)主要被美日系企業(yè)壟斷，國(guó)內(nèi)廠商面臨**、制造水平、加工技術(shù)等多方面的壁壘，國(guó)內(nèi)大功率IGBT封裝用AlSiC產(chǎn)品主要依賴于從日本進(jìn)口。受國(guó)內(nèi)政策支持影響，近年來(lái)出現(xiàn)了一批AlSiC復(fù)...

目前，鋁碳化硅制備工藝中，在制備55vol%~ 75vol% SiC高含量的封裝用AlSiC產(chǎn)品時(shí)多采用熔滲法，其實(shí)質(zhì)是粉末冶金法的延伸。它通過(guò)先制備一定密度、強(qiáng)度的多孔碳化硅基體預(yù)制件，再滲以熔點(diǎn)比其低的金屬填充預(yù)制件，其理論基礎(chǔ)是在金屬液潤(rùn)濕多孔基體時(shí)，在...

鋁碳化硅復(fù)合材料雖然有很多優(yōu)點(diǎn)，但優(yōu)點(diǎn)有時(shí)就是缺點(diǎn)，如鋁碳化硅材料抗磨，可做賽車、飛機(jī)的剎車件，但會(huì)造成機(jī)加的成本非常高。那么，整體零件一次鑄造成形，就成了鋁碳化硅零件的生產(chǎn)特征之一。另外，因?yàn)殇X碳化硅的鑄造環(huán)境相當(dāng)**（普通的鑄造手段是無(wú)法把鋁液鑄造進(jìn)陶瓷之...

二、高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）材料介紹與應(yīng)用1、性能優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用方向：（1）、低密度：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅的密度一般在3.1g/cm3左右，密度**低于W/Cu合金（｛11～18｝g/cm3）、Mo/Cu合金（｛9～1...

5、鋁碳化硅材料制機(jī)械加工技術(shù)介紹： 鋁碳化硅材料，尤其是高體分鋁碳化硅機(jī)械加工是產(chǎn)品制造中的難點(diǎn)環(huán)節(jié)，主要體現(xiàn)在鋁碳化硅的高耐磨，以及加工周期長(zhǎng)等方面。 （1）、傳統(tǒng)機(jī)械加工技術(shù)：SiC增強(qiáng)體顆粒比常用的刀具(如高速鋼刀具和硬質(zhì)合金刀具)的硬...

熔滲法是AlSiC制備的關(guān)鍵，一般分為有壓力滲透和無(wú)壓力滲透，前者根據(jù)生產(chǎn)過(guò)程中壓力施加的大小、方式的不同，又分為擠壓熔滲、氣壓壓力熔滲、離心熔滲鑄造法等,主要特點(diǎn)是需要真空和高壓設(shè)備，滲透時(shí)間較短，有效控制Al與SiC的界面反應(yīng)，同時(shí)與精度的模具相配套，獲得...

模板法 模板法是將陶瓷漿料或前驅(qū)物注入具有多孔結(jié)構(gòu)的模板材料，隨后通過(guò)一系列的處理便可得到與模板材料結(jié)構(gòu)相似的多孔陶瓷。模板法可分為2類：一種是使用人工合成材料的有機(jī)泡沫浸漬法；另一種是使用自然生物作為模板材料的生物炭模板法。 ①有機(jī)泡沫浸漬法...

有機(jī)泡沫浸漬法是利用有機(jī)泡沫作模板，將調(diào)制好的陶瓷漿料均勻涂覆在模板上或?qū)⒛０褰霛{料中，排除空氣，使?jié){料均勻附著在有機(jī)泡沫模板上，然后經(jīng)干燥高溫?zé)Y(jié)去除有機(jī)模板，從而制得多孔陶瓷的方法。該方法比較大的缺點(diǎn)則是無(wú)法制備出小孔徑閉口氣孔制品，形狀受限制且預(yù)制體的...

多孔陶瓷制備的氣體過(guò)濾器的優(yōu)點(diǎn)是排氣阻力小、再生方便和過(guò)濾效果高。多孔SiC陶瓷具有壓力損失低，耐熱性、耐熱沖擊性以及油煙捕集效率高等特性，使其在柴油機(jī)油煙收集過(guò)濾方面得到了***關(guān)注。多孔SiC陶瓷具有孔率高、熱導(dǎo)率高、力學(xué)性能良好、抗氧化和耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)，同...

熱工材料主要用作隔熱材料和換熱器隔熱材料是利用多孔陶瓷的高孔隙度（主要是閉孔）的隔熱作用換熱器則利用其巨大的孔隙度、大的熱交換面積，同時(shí)又具備耐熱耐蝕不污染等特性。 復(fù)合材料骨架材料SiC由于具有密度低、強(qiáng)度高和導(dǎo)熱性好等特點(diǎn)，使其成為一種常用的金屬...

液相法主要有溶膠一凝膠法和聚合物分解法。Ewell年等***提出溶膠一凝膠法法,而真正用于陶瓷制備則始于1952年左右。該法以液體化學(xué)試劑配制成的醇鹽前驅(qū)體,將它在低溫下溶于溶劑形成均勻的溶液,加入適當(dāng)凝固劑使醇鹽發(fā)生水解、聚合反應(yīng)后生成均勻而穩(wěn)定的溶膠體系,...

目前，鋁碳化硅制備工藝中，在制備55vol%~ 75vol% SiC高含量的封裝用AlSiC產(chǎn)品時(shí)多采用熔滲法，其實(shí)質(zhì)是粉末冶金法的延伸。它通過(guò)先制備一定密度、強(qiáng)度的多孔碳化硅基體預(yù)制件，再滲以熔點(diǎn)比其低的金屬填充預(yù)制件，其理論基礎(chǔ)是在金屬液潤(rùn)濕多孔基體時(shí)，在...

發(fā)泡法 發(fā)泡法是通過(guò)向陶瓷組分中添加有機(jī)或無(wú)機(jī)化學(xué)物質(zhì)作為發(fā)泡劑，在加熱處理時(shí)形成揮發(fā)性氣體，產(chǎn)生泡沫，經(jīng)干燥和燒成后制得碳化硅多孔陶瓷。在制備過(guò)程中，發(fā)泡劑選擇非常關(guān)鍵，通過(guò)調(diào)整發(fā)泡劑種類及陶瓷料漿中各成分比例，可控制制品的性能。 優(yōu)點(diǎn)包括：...

杭州陶飛侖新材料有限公司是一家同時(shí)集成低、高體分鋁碳化硅材料設(shè)計(jì)、材料制造（陶瓷制備、復(fù)合成型、機(jī)械加工和后處理）于一身的****。已在該方向擁有多項(xiàng)**。采取多孔陶瓷預(yù)制體+真空壓力浸滲+機(jī)械加工的技術(shù)路徑來(lái)制備鋁碳化硅復(fù)合材料。具有多種技術(shù)優(yōu)勢(shì)，如燒結(jié)...

火星大氣密度約為地球的百分之一，主要成分是二氧化碳。表面平均溫度大約為－60℃，比較低－123℃，比較高為27℃。中國(guó)***火星探測(cè)任務(wù)工程火星探測(cè)器*****孫澤洲介紹，為適應(yīng)火星的特殊環(huán)境，火星車將采用復(fù)合記憶纖維、鋁基碳化硅、蜂窩夾層等多種材料制造。它充...

碳化硅（SiC）陶瓷具有優(yōu)良的高溫強(qiáng)度、耐磨性、耐腐蝕性以及抗熱震性，其按結(jié)構(gòu)可以分為致密SiC陶瓷和多孔SiC陶瓷兩大類。多孔SiC陶瓷材料脆性大，通常使用彎曲強(qiáng)度或壓縮強(qiáng)度表征其力學(xué)性能。孔率及制備方式對(duì)多孔SiC陶瓷力學(xué)性能影響較大。孔率和孔隙形貌對(duì)多孔...

中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）：1、性能優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用方向：（1）、高微屈服強(qiáng)度：（35%～55%）光學(xué)儀表級(jí)鋁碳化硅的微屈強(qiáng)度服度可達(dá)（110～120）MPa水平，是國(guó)產(chǎn)真空熱壓鈹材的5倍，且無(wú)毒，可確保慣性導(dǎo)航系統(tǒng)中陀螺儀有效屏蔽小幅震動(dòng)，保證穩(wěn)...