進入了特大規模集成電路ULSI(UltraLarge-ScaleIntegration)時代。特大規模集成電路的集成組件數在107~109個之間。ULSI電路集成度的迅速增長主要取決于以下兩個因素:一是晶體生長技術已達到極高的水平;二是制造設備不斷完善,加工精度、自動化程度和可靠性的提高已使器件尺寸進入深亞微米級領域。硅單晶制備技術可使晶體徑向參數均勻,體內微缺陷減少,。對電路加工過程中誘生的缺陷理論模型也有了較為完整的認識,由此發展了一整套晶體的加工工藝。生產電路用的硅片直徑的不斷增大,導致生產效率大幅度提高,硅片的直徑尺寸已達到12英寸。微缺陷的減少使芯片成品率增加,DRAM的成品...