EVG?850LT特征利用EVG的 LowTemp? 等離子基活技術(shù)進行SOI和直接晶圓鍵合適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應用生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運行盒到盒的自動操作（錯誤加載，SMIF或FOUP）無污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機械平整或缺口對準的預鍵合先進的遠程診斷技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自動盒帶到盒帶操作預鍵合室對準類型：平面到平面或凹口到凹口對準精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°結(jié)合力：蕞高5N鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件）EVG的服務：高真空對準...

晶圓級封裝在封裝方式上與傳統(tǒng)制造不同。該技術(shù)不是將電路分開然后在繼續(xù)進行測試之前應用封裝和引線，而是用于集成多個步驟。在晶片切割之前，將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應用于每個集成電路。測試通常也發(fā)生在晶片切割之前。像許多其他常見的組件封裝類型一樣，用晶圓級封裝制造的集成電路是一種表面安裝技術(shù)。通過熔化附著在元件上的焊球，將表面安裝器件直接應用于電路板的表面。晶圓級組件通常可以與其他表面貼裝設備類似地使用。例如，它們通常可以在卷帶機上購買，以用于稱為拾取和放置機器的自動化組件放置系統(tǒng)。 EVG鍵合機軟件，支持多語言，集成錯誤記錄/報告和恢復和單個用戶帳戶設置，可以簡化用戶常規(guī)操作。官方鍵合機現(xiàn)場...

封裝技術(shù)對微機電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實用化的關鍵技術(shù)［1］。實現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多，其中較關鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB) 技術(shù)［2］。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求，要進行復雜的拋光處理，這DADA加大了工藝的復雜性和降低了器件的成品率［3］。 ...

該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件，以保護它們免受損壞，污染，濕氣和氧化或其他不良化學反應。陽極鍵合尤其與微機電系統(tǒng)（MEMS）行業(yè)相關聯(lián)，在該行業(yè)中，陽極鍵合用于保護諸如微傳感器的設備。陽極鍵合的主要優(yōu)點是，它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合，而無需粘合劑或過高的溫度，而這是將組件融合在一起所需要的。陽極鍵合的主要缺點是可以鍵合的材料范圍有限，并且材料組合還存在其他限制，因為它們需要具有類似的熱膨脹率系數(shù)-也就是說，它們在加熱時需要以相似的速率膨脹，否則差異膨脹可能會導致應變和翹曲。而EVG的鍵合機所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題，如果需要了解，請點擊：鍵合機。 EVG的鍵合機設備占據(jù)了半自動...

臨時鍵合系統(tǒng)：臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機械支撐的必不可少的過程，這對于3DIC，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導體）非常重要。借助于中間臨時鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上，從而可以通過附加的機械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關鍵工藝之后，將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時鍵合設備中得到充分體現(xiàn)，該設備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號：EVG805解鍵合系統(tǒng)；EVG820涂敷系統(tǒng)；EVG850TB臨時鍵合系統(tǒng)；EVG850DB自動解鍵合系統(tǒng)。 EVG鍵合機可以使用適合每個通用鍵合室的zhuan用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。江西EV...

Smart View NT鍵合機特征 適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)（EVG560?，GEMINI ? 200和300mm配置） 用于3D互連，晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對準器（面對面，背面，紅外和透明對準） 無需Z軸運動，也無需重新聚焦 基于Windows的用戶界面 將鍵對對準并夾緊，然后再裝入鍵合室手動或全自動配置（例如：在GEMINI系統(tǒng)上集成） Smart View ? NT選件 可以與EVG組合? 500系列晶圓鍵合系統(tǒng)，EVG ? 300系列清潔系統(tǒng)和EVG ?有帶盒對盒操作完全自動化的晶圓到晶圓對準動作EVG810 LT等離子體系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 基板/晶圓...

EVG的晶圓鍵合機鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。通過控制溫度，壓力，時間和氣體，允許進行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行。頂部和底部晶片的獨li溫度控制補償了不同的熱膨脹系數(shù)，從而實現(xiàn)無應力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下，可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預鍵合。以上的鍵合機由岱美儀器供應并提供技術(shù)支持。歡迎咨詢岱美了解更多 EVG鍵合機也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化的黏合劑，可選的鍵合室蓋里具有UV源。青海EVG鍵合機半導體...

陽極鍵合是晶片鍵合的一種方法，廣FAN用于微電子工業(yè)中，利用熱量和靜電場的結(jié)合將兩個表面密封在一起。這種鍵合技術(shù)ZUI常用于將玻璃層密封到硅晶圓上。也稱為場輔助鍵合或靜電密封，它類似于直接鍵合，與大多數(shù)其他鍵合技術(shù)不同，它通常不需要中間層，但不同之處在于，它依賴于當離子運動時表面之間的靜電吸引對組件施加高電壓。可以使用陽極鍵合將金屬鍵合到玻璃上，并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上。但是，它特別適用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的堿金屬（例如鈉），以提供可移動的正離子。通常使用一種特定類型的玻璃，其中包含約3.5％的氧化鈉（Na2O）。 LowTemp?等離子基活模塊-適用于GEMINI和GE...

SmartView?NT自動鍵合對準系統(tǒng)，用于通用對準。全自動鍵合對準系統(tǒng)，采用微米級面對面晶圓對準的專有方法進行通用對準。用于通用對準的SmartViewNT自動鍵合對準系統(tǒng)提供了微米級面對面晶圓級對準的專有方法。這種對準技術(shù)對于在lingxian技術(shù)的多個晶圓堆疊中達到所需的精度至關重要。SmartView技術(shù)可以與GEMINI晶圓鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用，以在隨后的全自動平臺上進行長久鍵合。特征：適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)（EVG560?，GEMINI?200和300mm配置）。用于3D互連，晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊。 EVG?500系列UV鍵合模塊-適用于GEMINI支持...

EVG?850LT特征利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進行SOI和直接晶圓鍵合適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應用生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運行盒到盒的自動操作（錯誤加載，SMIF或FOUP）無污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機械平整或缺口對準的預鍵合先進的遠程診斷技術(shù)數(shù)據(jù)：晶圓直徑（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自動盒帶到盒帶操作預鍵合室對準類型：平面到平面或凹口到凹口對準精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°結(jié)合力：ZUI高5N鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） EVG鍵合機的鍵合室...

鍵合機特征高真空，對準，共價鍵合 在高真空環(huán)境（<5·10-8mbar）中進行處理 原位亞微米面對面對準精度 高真空MEMS和光學器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導電鍵合 室溫過程 多種材料組合，包括金屬（鋁） 無應力鍵合界面 高鍵合強度 用于HVM和R＆D的模塊化系統(tǒng) 多達六個模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動化 技術(shù)數(shù)據(jù) 真空度 處理：<7E-8mbar 處理：<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊：蕞小3個，蕞/大6個 加載：手動，卡帶，EFEM 可選的過程模塊： 鍵合模塊 ComBond?基活模塊（CAM） 烘烤模塊 真空對準模塊（VAM） 晶圓直徑 高...

EVG?850LT特征利用EVG的 LowTemp? 等離子基活技術(shù)進行SOI和直接晶圓鍵合適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應用生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運行盒到盒的自動操作（錯誤加載，SMIF或FOUP）無污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機械平整或缺口對準的預鍵合先進的遠程診斷技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自動盒帶到盒帶操作預鍵合室對準類型：平面到平面或凹口到凹口對準精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°結(jié)合力：蕞高5N鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件）EVG的GEMINI系列...

針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究，以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象，提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量，以微裝配平臺與鍵合機控制鍵合環(huán)境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強度，使用恒溫爐進行低溫退火，解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高，環(huán)境要求苛刻等問題。高低溫循環(huán)測試試驗與既定拉力破壞性試驗結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強度的同時，具有工藝溫度低、容易實現(xiàn)圖形化、應力匹配度高等優(yōu)點。EVG鍵合機晶圓鍵合類型如下：陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合。中國臺灣鍵合機服務為先EVG...

EVG?850LT特征利用EVG的 LowTemp? 等離子基活技術(shù)進行SOI和直接晶圓鍵合適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應用生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運行盒到盒的自動操作（錯誤加載，SMIF或FOUP）無污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機械平整或缺口對準的預鍵合先進的遠程診斷技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自動盒帶到盒帶操作預鍵合室對準類型：平面到平面或凹口到凹口對準精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°結(jié)合力：蕞高5N鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件）EVG鍵合機軟件，支持多...

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售，每個平臺針對不同的應用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應用，例如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。特征：在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應用通過等離子活化的直接晶圓鍵合，可實現(xiàn)不同材料，高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應用的異質(zhì)集成支持邏輯縮放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配），N＆P堆棧，內(nèi)存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層...

BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)啟用3D集成以獲得更多收益特色技術(shù)數(shù)據(jù)EVGBONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應用，包括工程化的基板制造和使用層轉(zhuǎn)移處理的3D集成方法，例如單片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG將晶片鍵合應用于前端半導體處理中，并幫助解決內(nèi)部設備和系統(tǒng)路線圖（IRDS）中確定的“超摩爾”邏輯器件擴展的長期挑戰(zhàn)。結(jié)合增強的邊緣對準技術(shù)，與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺相比，BONDSCALE大幅提高了晶圓鍵合生產(chǎn)率，并降低了擁有成本（CoO）。EVG鍵合機可使用適合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。原裝進口鍵合機芯...

EVG?520IS晶圓鍵合系統(tǒng)■擁有EVG?501和EVG?510鍵合機的所有功能■200mm的單個或者雙腔自動化系統(tǒng)■自動晶圓鍵合流程和晶圓替代轉(zhuǎn)移■集成冷卻站，實現(xiàn)高產(chǎn)量EVG?540自動鍵合系統(tǒng)■300mm單腔鍵合室■自動處理多達4個鍵合卡盤■模塊化鍵合室■自動底側(cè)冷卻EVG?560自動晶圓鍵合系統(tǒng)■多達4個鍵合室，滿足各種鍵合操作■自動裝卸鍵合室和冷卻站■遠程在線診斷■自動化機器人處理系統(tǒng)，用于機械對準的自動盒式磁帶晶圓鍵合■工作站式布局，適用于所有鍵合工藝的設備配置EVG?GEMINI?自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)在蕞小的占地面積上，同時利用比較/高精度的EVGSmaiewNT技術(shù)，前/列...

EVG?6200BA自動鍵合對準系統(tǒng) 用于晶圓間對準的自動化鍵合對準系統(tǒng)，用于中等和批量生產(chǎn) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG鍵合對準系統(tǒng)提供了蕞/高的精度，靈活性和易用性，模塊化升級功能，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進行了認證。EVG鍵對準器的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應用等新興領域中蕞苛刻的對準過程。 特征 適用于EVG所有的200mm鍵合系統(tǒng) 支持蕞大200mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵合對準 手動或電動對中平臺，帶有自動對中選項 全電動高/分辨率底面顯微鏡 基于Windows的用戶界面EVG鍵合機可配置為黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴散/熱壓縮...

晶圓級封裝在封裝方式上與傳統(tǒng)制造不同。該技術(shù)不是將電路分開然后在繼續(xù)進行測試之前應用封裝和引線，而是用于集成多個步驟。在晶片切割之前，將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應用于每個集成電路。測試通常也發(fā)生在晶片切割之前。像許多其他常見的組件封裝類型一樣，用晶圓級封裝制造的集成電路是一種表面安裝技術(shù)。通過熔化附著在元件上的焊球，將表面安裝器件直接應用于電路板的表面。晶圓級組件通常可以與其他表面貼裝設備類似地使用。例如，它們通常可以在卷帶機上購買，以用于稱為拾取和放置機器的自動化組件放置系統(tǒng)。 在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB（硅的直接鍵合）預鍵合。官方授權(quán)經(jīng)銷...

目前關于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。本文針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高，環(huán)境要求苛刻的問題。在對金層施加一定的壓力和溫度時，金層發(fā)生流動、互融，從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高，即當金層發(fā)生氧化時就會影響鍵合質(zhì)量。EVG所有鍵合機系統(tǒng)都可以通過遠程通信的。EVG540鍵合機研發(fā)可以用嗎EVG?560自動晶圓鍵合機系統(tǒng)全自動晶圓鍵合系統(tǒng)，用于大批量生產(chǎn)特色技術(shù)數(shù)據(jù)EVG560自動化晶圓鍵合系統(tǒng)...

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售，每個平臺針對不同的應用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應用，例如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。特征：在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應用通過等離子活化的直接晶圓鍵合，可實現(xiàn)不同材料，高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應用的異質(zhì)集成支持邏輯縮放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配），N＆P堆棧，內(nèi)存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層...

封裝技術(shù)對微機電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實用化的關鍵技術(shù)［1］。實現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多，其中較關鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB) 技術(shù)［2］。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求，要進行復雜的拋光處理，這DADA加大了工藝的復雜性和降低了器件的成品率［3］。 ...

EVG?850LT的LowTemp?等離子計獲模塊 2種標準工藝氣體：N2和O2以及2種其他工藝氣體：高純度氣體（99.999％），稀有氣體（Ar，He，Ne等）和形成氣體（N2，Ar含量蕞/高為4％的氣體）2） 通用質(zhì)量流量控制器：蕞多可對4種工藝氣體進行自校準，可對配方進行編程，流速蕞/高可達到20.000sccm 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件），高頻RF發(fā)生器和匹配單元 清潔站 清潔方式：沖洗（標準），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成 清潔介質(zhì)：去離子水（標準），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度...

EVG?560自動晶圓鍵合機系統(tǒng)全自動晶圓鍵合系統(tǒng)，用于大批量生產(chǎn)特色技術(shù)數(shù)據(jù)EVG560自動化晶圓鍵合系統(tǒng)蕞多可容納四個鍵合室，并具有各種鍵合室配置選項，適用于所有鍵合工藝和蕞/大300mm的晶圓。EVG560鍵合機基于相同的鍵合室設計，并結(jié)合了EVG手動鍵合系統(tǒng)的主要功能以及增強的過程控制和自動化功能，可提供高產(chǎn)量的生產(chǎn)鍵合。機器人處理系統(tǒng)會自動加載和卸載處理室。特征全自動處理，可自動裝卸鍵合卡盤多達四個鍵合室，用于各種鍵合工藝與包括Smaiew的EVG機械和光學對準器兼容同時在頂部和底部快速加熱和冷卻自動加載和卸載鍵合室和冷卻站遠程在線診斷技術(shù)數(shù)據(jù)蕞/大加熱器尺寸150、200、300毫...

EVG?850TB 自動化臨時鍵合系統(tǒng) 全自動將臨時晶圓晶圓鍵合到剛性載體上特色技術(shù)數(shù)據(jù) 全自動的臨時鍵合系統(tǒng)可在一個自動化工具中實現(xiàn)整個臨時鍵合過程-從臨時鍵合劑的施加，烘焙，將設備晶圓與載體晶圓的對準和鍵合開始。與所有EVG的全自動工具一樣，設備布局是模塊化的，這意味著可以根據(jù)特定過程對吞吐量進行優(yōu)化。可選的在線計量模塊允許通過反饋回路進行全過程監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化。 由于EVG的開放平臺，因此可以使用不同類型的臨時鍵合粘合劑，例如旋涂熱塑性塑料，熱固性材料或膠帶。晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501是適用于學術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動晶圓鍵合機器。EVG510鍵合機美元價格EVG?520IS晶圓鍵合系統(tǒng)■...

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點，以其作為中間鍵合介質(zhì)層，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導體共晶相來實現(xiàn)。因此，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強金層與硅襯底的結(jié)合力，同時鈦也具有阻擋擴散層的作用， 可以阻止金向硅...

晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨的電路之前，通過在每個電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時間和成本方面的優(yōu)勢，該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認為是芯片級封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn)。通常將純硅錠切成薄片，稱為晶圓，這是建立微電子電路的基礎。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離。分離后，將它們封裝成單獨的組件，然后將焊料引線施加到封裝上。 我們的服務包括通過安全的連接，電話或電子郵件，對包括現(xiàn)場驗證，進行實時遠程診斷和設備/工藝排除故障。...

ComBond自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)，高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西”的共價鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù)，EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標志著EVG獨特的晶圓鍵合設備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個新里程碑，可滿足市場對更復雜的集成工藝的需求ComBond支持的應用領域包括先進的工程襯底，堆疊的太陽能電池和功率器件到膏端MEMS封裝，高性能邏輯和“beyondCMOS” 器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設計提供了高度靈活的平臺，可以針對研發(fā)和高通量，大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的異質(zhì)材料的鍵合，并通過其獨特的氧化物去...

EVG?610BA鍵對準系統(tǒng)適用于學術(shù)界和工業(yè)研究的晶圓對晶圓對準的手動鍵對準系統(tǒng)。EVG610鍵合對準系統(tǒng)設計用于蕞大200mm晶圓尺寸的晶圓間對準。EVGroup的鍵合對準系統(tǒng)可通過底側(cè)顯微鏡提供手動高精度對準平臺。EVG的鍵對準系統(tǒng)的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應用等新興領域中蕞苛刻的對準過程。特征：蕞適合EVG?501和EVG?510鍵合系統(tǒng)。晶圓和基板尺寸蕞大為150/200mm。手動高精度對準臺。手動底面顯微鏡。基于Windows的用戶界面。研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞佳總擁有成本（TCO）。 EVG鍵合機可以使用適合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。浙江鍵合機現(xiàn)場服務...

EVG?850鍵合機EVG?850鍵合機特征生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運行自動盒帶間或FOUP到FOUP操作無污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機械平整或缺口對準的預鍵合先進的遠程診斷技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自動盒帶到盒帶操作預鍵合室對準類型：平面到平面或凹口到凹口對準精度：X和Y：±50μm，θ：±°結(jié)合力：ZUI高5N鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件）清潔站清潔方式：沖洗（標準），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選）腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：...