EVG?6200鍵合機選件 自動對準 紅外對準，用于內部基板鍵對準 NanoAlign?包增強加工能力 可與系統機架一起使用 掩模對準器的升級可能性 技術數據 常規系統配置 桌面 系統機架：可選 隔振：被動 對準方法 背面對準：±2μm3σ 透明對準：±1μm3σ 紅外校準：選件 對準階段 精密千分尺：手動 可選：電動千分尺 楔形補償：自動 基板/晶圓參數 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動對準 可選的 處理系統 標準：3個卡帶站 可選：蕞多5個站EVG鍵合機頂部和底部晶片的獨li溫度控制補償了不同的熱膨脹系數，實現...

封裝技術對微機電系統 (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術發展和實用化的關鍵技術［1］。實現封裝的技術手段很多，其中較關鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術的發展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結構的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB) 技術［2］。由于表面有微結構的硅片界面已經受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求，要進行復雜的拋光處理，這DADA加大了工藝的復雜性和降低了器件的成品率［3］。E...

EVG?620BA自動鍵合對準系統：用于晶圓間對準的自動鍵合對準系統，用于研究和試生產。EVG620鍵合對準系統以其高度的自動化和可靠性而聞名，專為ZUI大150mm晶圓尺寸的晶圓間對準而設計。EVGroup的鍵合對準系統具有ZUI高的精度，靈活性和易用性，以及模塊化升級功能，并且已經在眾多高通量生產環境中進行了認證。EVG的鍵對準系統的精度可滿足MEMS生產和3D集成應用等新興領域中ZUI苛刻的對準過程。特征：ZUI適合EVG?501，EVG?510和EVG?520是鍵合系統。支持ZUI大150mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵對準。手動或電動對準臺。全電動高份辨率底面顯微鏡。基于Wind...

EVG?850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動化生產鍵合系統 用途：自動化生產鍵合系統，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應用 特色 技術數據 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級3D集成的一項關鍵技術。借助用于機械對準SOI的EVG850LT自動化生產鍵合系統以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合，熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔，等離子活化和對準到預鍵合和IR檢查-。因此，經過實踐檢驗的行業標準EVG850 LT確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量，高產量生產工藝。EVG的鍵合機設備占據了半自動和全自動晶圓鍵合機的zhuyao市場份額，并且安裝的機臺已經超過1500套。廣...

ComBond自動化的高真空晶圓鍵合系統，高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西”的共價鍵合特色技術數據，EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標志著EVG獨特的晶圓鍵合設備和技術產品組合中的一個新里程碑，可滿足市場對更復雜的集成工藝的需求ComBond支持的應用領域包括先進的工程襯底，堆疊的太陽能電池和功率器件到膏端MEMS封裝，高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統的模塊化集群設計提供了高度靈活的平臺，可以針對研發和高通量，大批量制造環境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進了具有不同晶格常數和熱膨脹系數（CTE）的異質材料的鍵合，并通過其獨特的氧化物去除...

EVG?620BA自動鍵合對準系統：用于晶圓間對準的自動鍵合對準系統，用于研究和試生產。EVG620鍵合對準系統以其高度的自動化和可靠性而聞名，專為ZUI大150mm晶圓尺寸的晶圓間對準而設計。EVGroup的鍵合對準系統具有ZUI高的精度，靈活性和易用性，以及模塊化升級功能，并且已經在眾多高通量生產環境中進行了認證。EVG的鍵對準系統的精度可滿足MEMS生產和3D集成應用等新興領域中ZUI苛刻的對準過程。特征：ZUI適合EVG?501，EVG?510和EVG?520是鍵合系統。支持ZUI大150mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵對準。手動或電動對準臺。全電動高份辨率底面顯微鏡。基于Wind...

EVG320技術數據晶圓直徑（基板尺寸）200、100-300毫米清潔系統開室，旋轉器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質：去離子水（標準），其他清潔介質（可選）旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉：蕞高3000rpm（5秒內）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區域：?4.0mm材質：聚四氟乙烯兆聲區域傳感器可選的頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區域：三角形，確保每次旋轉時...

EVG?520IS晶圓鍵合系統■擁有EVG?501和EVG?510鍵合機的所有功能■200mm的單個或者雙腔自動化系統■自動晶圓鍵合流程和晶圓替代轉移■集成冷卻站，實現高產量EVG?540自動鍵合系統■300mm單腔鍵合室■自動處理多達4個鍵合卡盤■模塊化鍵合室■自動底側冷卻EVG?560自動晶圓鍵合系統■多達4個鍵合室，滿足各種鍵合操作■自動裝卸鍵合室和冷卻站■遠程在線診斷■自動化機器人處理系統，用于機械對準的自動盒式磁帶晶圓鍵合■工作站式布局，適用于所有鍵合工藝的設備配置EVG?GEMINI?自動化生產晶圓鍵合系統在蕞小的占地面積上，同時利用比較/高精度的EVGSmaiewNT技術，前/列...

EVG?301單晶圓清洗系統，屬于研發型單晶圓清洗系統。 技術數據 EVG301半自動化單晶片清洗系統采用一個清洗站，該清洗站使用標準的去離子水沖洗以及超音速，毛刷和稀釋化學藥品作為附加清洗選項來清洗晶片。EVG301具有手動加載和預對準功能，是一種多功能的研發型系統，適用于靈活的清潔程序和300mm的能力。EVG301系統可與EVG的晶圓對準和鍵合系統結合使用，以消除晶圓鍵合之前的任何顆粒。旋轉夾頭可用于不同的晶圓和基板尺寸，從而可以輕松設置不同的工藝。EVG501鍵合機：桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動鍵合和數據記錄。晶圓鍵合機特點臨時鍵合系統：臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機...

半導體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導體。它們是正（P）型半導體或負（N）型半導體的臨時形式。硅晶片是非常常見的半導體晶片，因為硅是當夏流行的半導體，這是由于其在地球上的大量供應。半導體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結果，它是根據需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對它們進行刻劃，以用于切割或切割單個裸片或方形子組件，這些單個裸片或正方形子組件可能瑾包含一種半導體材料或多達整個電路，例如集成電路計算機處理器。EVG500系列鍵合機是基于獨特模塊化鍵合室設計，能夠實現從研發到大批量生產的簡單技術轉換。芯片鍵合機推薦廠家EVG?301...

EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統，可處理從單芯片到150 mm（200 mm鍵合室的情況下為200 mm）的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，如陽極，玻璃料，焊料，共晶，瞬態液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設計，讓用戶能快速，輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝，轉換時間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學，研發機構或小批量生產。鍵合室的基本設計在EVG的HVM（量產）工具上是相同的，例如GEMINI，鍵合程序很容易轉移，這樣可以輕松擴大生產量。EVG服務：高真空對準鍵合、集體D2W鍵合、臨時鍵合和熱、混合鍵合、機械或者激光剖離、黏合劑鍵合。掩模對準鍵合機價格引線鍵合主要用于...

熔融和混合鍵合系統： 熔融或直接晶圓鍵合可通過每個晶圓表面上的介電層長久連接，該介電層用于工程襯底或層轉移應用，例如背面照明的CMOS圖像傳感器。混合鍵合擴展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合，從而允許晶片面對面連接。混合綁定的主要應用是高級3D設備堆疊。EVG的熔融和混合鍵合設備包含：EVG301單晶圓清洗系統；EVG320自動化單晶圓清洗系統；EVG810LT低溫等離子基活系統；EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動化生產鍵合系統；EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動化生產鍵合系統；GEMINIFB自動化生產晶圓鍵合系統；BONDSCALE自動化熔融鍵合生產系統。 EVG的...

Smart View NT鍵合機特征 適合于自動化和集成EVG鍵合系統（EVG560?，GEMINI ? 200和300mm配置） 用于3D互連，晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對準器（面對面，背面，紅外和透明對準） 無需Z軸運動，也無需重新聚焦 基于Windows的用戶界面 將鍵對對準并夾緊，然后再裝入鍵合室 手動或全自動配置（例如：在GEMINI系統上集成） Smart View ? NT選件 可以與EVG組合? 500系列晶圓鍵合系統，EVG ? 300系列清潔系統和EVG ?有帶盒對盒操作完全自動化的晶圓到晶圓對準動作EVG810 LT等離子體系統 技術數據 基板/晶...

在將半導體晶圓切割成子部件之前，有機會使用自動步進測試儀來測試它所攜帶的眾多芯片，這些測試儀將測試探針順序放置在芯片上的微觀端點上，以激勵和讀取相關的測試點。這是一種實用的方法，因為有缺陷的芯片不會被封裝到ZUI終的組件或集成電路中，而只會在ZUI終測試時被拒絕。一旦認為模具有缺陷，墨水標記就會滲出模具，以便于視覺隔離。典型的目標是在100萬個管芯中，少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素，因此可以優化芯片恢復率。EVG鍵合機通過在高真空，精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合，可以滿足各種苛刻的應用。江蘇實驗室鍵合機EVG?610BA鍵對準系統適用于學術界和工業研究的晶圓對晶圓對準的手動...

EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統，可處理從單芯片到150 mm（200 mm鍵合室的情況下為200 mm）的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，如陽極，玻璃料，焊料，共晶，瞬態液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設計，讓用戶能快速，輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝，轉換時間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學，研發機構或小批量生產。鍵合室的基本設計在EVG的HVM（量產）工具上是相同的，例如GEMINI，鍵合程序很容易轉移，這樣可以輕松擴大生產量。EVG鍵合機也可以通過添加電源來執行陽極鍵合。對于UV固化的黏合劑，可選的鍵合室蓋里具有UV源。北京鍵合機廠家EVG?850SOI的...

目前關于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結構的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。本文針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實現表面帶有微結構硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高，環境要求苛刻的問題。在對金層施加一定的壓力和溫度時，金層發生流動、互融，從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高，即當金層發生氧化就會影響鍵合質量。晶圓級涂層、封裝，工程襯底智造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。實驗室鍵合機免稅價格EVG?850LT特征利用EVG的LowTemp?等離子基活技...

半導體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導體。它們是正（P）型半導體或負（N）型半導體的臨時形式。硅晶片是非常常見的半導體晶片，因為硅是當夏流行的半導體，這是由于其在地球上的大量供應。半導體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結果，它是根據需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對它們進行刻劃，以用于切割或切割單個裸片或方形子組件，這些單個裸片或正方形子組件可能瑾包含一種半導體材料或多達整個電路，例如集成電路計算機處理器。EVG下的GEMINI系列是自動化生產晶圓鍵合系統。臨時鍵合鍵合機要多少錢半導體器件的垂直堆疊已經成為使器件密度和性能不斷提...

EVG?850TB臨時鍵合機特征：開放式膠粘劑平臺；各種載體（硅，玻璃，藍寶石等）；適用于不同基板尺寸的橋接工具功能；提供多種裝載端口選項和組合；程序控制系統；實時監控和記錄所有相關過程參數；完全集成的SECS/GEM接口；可選的集成在線計量模塊，用于自動反饋回路；技術數據：晶圓直徑（基板尺寸）：蕞長300毫米，可能有超大的托架不同的基材/載體組合組態外套模塊帶有多個熱板的烘烤模塊通過光學或機械對準來對準模塊鍵合模塊：選件在線計量ID閱讀高形貌的晶圓處理翹曲的晶圓處理對于無夾層鍵合工藝，材料和表面特征利于鍵合，但為了與夾層結合，鍵合材料沉積和組成決定了鍵合線的材質。北京官方授權經銷鍵合機晶圓級...

EVG?620BA自動鍵合對準系統：用于晶圓間對準的自動鍵合對準系統，用于研究和試生產。EVG620鍵合對準系統以其高度的自動化和可靠性而聞名，專為ZUI大150mm晶圓尺寸的晶圓間對準而設計。EVGroup的鍵合對準系統具有ZUI高的精度，靈活性和易用性，以及模塊化升級功能，并且已經在眾多高通量生產環境中進行了認證。EVG的鍵對準系統的精度可滿足MEMS生產和3D集成應用等新興領域中ZUI苛刻的對準過程。特征：ZUI適合EVG?501，EVG?510和EVG?520是鍵合系統。支持ZUI大150mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵對準。手動或電動對準臺。全電動高份辨率底面顯微鏡。基于Wind...

EVGroup開發了MLE?（無掩模曝光）技術，通過消除與掩模相關的困難和成本，滿足了HVM世界中設計靈活性和蕞小開發周期的關鍵要求。MLE?解決了多功能（但緩慢）的開發設備與快速（但不靈活）的生產之間的干擾。它提供了可擴展的解決方案，可同時進行裸片和晶圓級設計，支持現有材料和新材料，并以高可靠性提供高速適應性，并具有多級冗余功能，以提高產量和降低擁有成本（CoO）。EVG的MLE?無掩模曝光光刻技術不僅滿足先進封裝中后端光刻的關鍵要求，而且還滿足MEMS，生物醫學和印刷電路板制造的要求。我們在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機可以在真空下執行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預鍵合。河南紅外...

一旦將晶片粘合在一起，就必須測試粘合表面，看該工藝是否成功。通常，將批處理過程中產生的一部分產量留給破壞性和非破壞性測試方法使用。破壞性測試方法用于測試成品的整體剪切強度。非破壞性方法用于評估粘合過程中是否出現了裂紋或異常，從而有助于確保成品沒有缺陷。EVGroup（EVG）是制造半導體，微機電系統（MEMS），化合物半導體，功率器件和納米技術器件的設備和工藝解決方案的lingxian供應商。主要產品包括晶圓鍵合，薄晶圓加工，光刻/納米壓印光刻（NIL）和計量設備，以及光刻膠涂布機，清潔劑和檢查系統。成立于1980年的EVGroup服務于復雜的全球客戶和合作伙伴網絡，并為其提供支持。有關EVG...

1)由既定拉力測試高低溫循環測試結果可以看出，該鍵合工藝在滿足實際應用所需鍵合強度的同時，解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環境要求苛刻的問題。2)由高低溫循環測試結果可以看出，該鍵合工藝可以適應復雜的實際應用環境，且具有工藝溫度低，容易實現圖形化，應力匹配度高等優點。3)由破壞性試驗結果可以看出，該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高，鍵合效果不太理想，還需對工藝流程進一步優化，對工藝參數進行改進，以期達到更高的鍵合強度與鍵合率。對于無夾層鍵合工藝，材料和表面特征利于鍵合，但為了與夾層結合，鍵合材料沉積和組成決定了鍵合線的材質。西藏鍵合機有哪些品牌SmartView?NT自動鍵合對...

EVG320技術數據晶圓直徑（基板尺寸）200、100-300毫米清潔系統開室，旋轉器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質：去離子水（標準），其他清潔介質（可選）旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉：蕞高3000rpm（5秒內）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區域：?4.0mm材質：聚四氟乙烯兆聲區域傳感器可選的頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區域：三角形，確保每次旋轉時...

封裝技術對微機電系統 (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術發展和實用化的關鍵技術［1］。實現封裝的技術手段很多，其中較關鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術的發展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結構的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB) 技術［2］。由于表面有微結構的硅片界面已經受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求，要進行復雜的拋光處理，這DADA加大了工藝的復雜性和降低了器件的成品率［3］。對...

1)由既定拉力測試高低溫循環測試結果可以看出，該鍵合工藝在滿足實際應用所需鍵合強度的同時，解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環境要求苛刻的問題。2)由高低溫循環測試結果可以看出，該鍵合工藝可以適應復雜的實際應用環境，且具有工藝溫度低，容易實現圖形化，應力匹配度高等優點。3)由破壞性試驗結果可以看出，該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高，鍵合效果不太理想，還需對工藝流程進一步優化，對工藝參數進行改進，以期達到更高的鍵合強度與鍵合率。EVG的GEMINI系列是自動化生產晶圓鍵合系統。安徽EV Group鍵合機封裝技術對微機電系統 (micro-electro-mechanical sy...

封裝技術對微機電系統 (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術發展和實用化的關鍵技術［1］。實現封裝的技術手段很多，其中較關鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術的發展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結構的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB) 技術［2］。由于表面有微結構的硅片界面已經受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求，要進行復雜的拋光處理，這DADA加大了工藝的復雜性和降低了器件的成品率［3］。E...

鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊，以執行隨后的鍵合過程。可以使用適合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸的晶圓和鍵合應用。 EVG?501/EVG?510/EVG?520IS是用于研發的鍵合機。 晶圓鍵合類型 ■陽極鍵合 ■黏合劑鍵合 ■共熔鍵合 ■瞬間液相鍵合 ■熱壓鍵合 EVG鍵合機特征 ■基底高達200mm ■壓力高達100kN ■溫度高達550°C ■真空氣壓低至1·10-6mbar ■可選：陽極，UV固化，650℃加熱器 EVG鍵合機加工服務 EVG設備的晶圓加工服務包含如下： ■等離子活化直接鍵合 ■ComBond? -硅和化合物半導體的導電鍵合 ■...

EVG 晶圓鍵合機上的鍵合過程 支持全系列晶圓鍵合工藝對于當今和未來的器件制造是至關重要。鍵合方法的一般分類是有或沒有夾層的鍵合操作。雖然對于無夾層鍵合(直接鍵合，材料和表面特征利于鍵合，但為了與夾層結合，鍵合材料的沉積和組成決定了鍵合線的材質。 EVG 鍵合機軟件支持 基于Windows的圖形用戶界面的設計，注重用戶友好性，并可輕松引導操作員完成每個流程步驟。多語言支持，單個用戶帳戶設置和集成錯誤記錄/報告和恢復，可以簡化用戶的日常操作。所有EVG系統都可以遠程通信。因此，我們的服務包括通過安全連接，電話或電子郵件，對包括經過現場驗證的，實時遠程診斷和排除故障。EVG經驗豐富的工藝工程師隨時...

從表面上看，“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個術語，但由于涉及更多的變量，因此該過程實際上要復雜得多。為了將各種組件長久地連接在一起，在電子設備上執行引線鍵合過程，但是由于項目的精致性，由于它們的導電性和相對鍵合溫度，通常jin應用金，鋁和銅。通過使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結合了低熱量，超聲波能量和微量壓力的技術，可避免損壞電子電路。如果執行不當，很容易損壞微芯片或相應的焊盤，因此強烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進行練習，然后再嘗試進行引線鍵合。EVG鍵合機也可以通過添加電源來執行陽極鍵合。對于UV固化的黏合劑，可選的鍵合室蓋里具有UV源。安徽美元價格鍵合機EVG501晶圓鍵合機，...

引線鍵合主要用于幾乎所有類型的半導體中，這是因為其成本效率高且易于應用。在ZUI佳環境中，每秒ZUI多可以創建10個鍵。該方法因所用每種金屬的元素性質不同而略有不同。通常使用的兩種引線鍵合是球形鍵合和楔形鍵合。盡管球形鍵合的ZUI佳選擇是純金，但由于銅的相對成本和可獲得性，銅已成為一種流行的替代方法。此過程需要一個類似于裁縫的針狀裝置，以便在施加極高電壓的同時將電線固定在適當的位置。沿表面的張力使熔融金屬形成球形，因此得名。當銅用于球焊時，氮氣以氣態形式使用，以防止在引線鍵合過程中形成氧化銅。EVG500系列鍵合機擁有多種鍵合方法，包括陽極，熱壓縮，玻璃料，環氧樹脂，UV和熔融鍵合。GEMIN...