四氟化碳(CF4)是目前微電子工業中使用的等離子體蝕刻氣體，廣用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻，在電子器件表面清洗、太陽能電池生產、激光技術、低溫制冷、氣體絕緣、泄漏檢測劑、印刷電路生產中的去污劑、潤滑劑及制動液等方面也有大量應用。四氟化碳早就是通過氟碳直接反應法制得的，該方法經過不斷的發展與完善，如今己成為工業上制備全氟烷的主要的方法之一。氟氣與碳反應劇烈，反應不易控制。因此，人們一直在研究四氟化碳的安全生產工藝。 以活性炭與氟為原料經氟化反應制備。南京直銷四氟化碳
吸入四氟化碳的后果與濃度有關，包括頭疼、惡心、頭昏眼花及心血管系統的破壞（主要是心臟）。長時間接觸會導致嚴重的心臟破壞。四氟化碳的密度比較高，可以塡滿地面空間范圍，在不通風的地方會導致窒息。在使用四氟化碳的同時，也要注意使用四氟化碳的注意事項，如在泄漏時，應迅速撤離泄漏污染區人員至上風處，并進行隔離，嚴格限制出入。建議應急處理人員戴自給正壓式呼吸器，穿一般作業工作服。盡可能切斷泄漏源。合理通風，加速擴散。如有可能，即時使用。漏氣容器要妥善處理，修復、檢驗后再用。華東***四氟化碳價格走勢只有適當的條件下，四氟化碳才能與氧化劑和還原劑進行反應。
四氯化碳有什么作用？四氯化碳可以做萃取劑來萃取有機物（極性分子相似相溶）。萃取實驗中萃取出的碘單質是紫紅色的，而其他鹵素也會有其他對應的顏色，所以四氯化碳有的時候用于鹵素除雜與鑒定；曾用作滅火劑但是由于在一些條件下四氯化碳會產生窒息性的劇毒氣體——光氣;另外它也不能用于撲滅活潑金屬鉀、鈉的失火，因四氯化碳會強烈分解。現被1211滅火劑替代；可與水置于同一容器防倒吸（利用密度梯度分離，導氣管需伸入下層）。
在使用四氟化碳的同時，也要注意使用四氟化碳的注意事項，如在泄漏時，應迅速撤離泄漏污染區人員至上風處，并進行隔離，嚴格限制出入。建議應急處理人員戴自給正壓式呼吸器，穿一般作業工作服。盡可能切斷泄漏源。合理通風，加速擴散。如有可能，即時使用。漏氣容器要妥善處理，修復、檢驗后再用。四氟化碳的溶氧性很好，因此被科學家用于超深度潛水實驗代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功，在275米到366米的深度內，小白鼠仍可安全脫險。用作低溫制冷劑及集成電路的等離子干法蝕刻技術。
四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳在通常環境下是相對惰性的，在不通風的地方會引起窒息。在射頻等離子體環境中，氟自由基表現為典型的三氟化碳或二氟化碳的形式。高純度的四氟化碳能很好的控制加工過程，使尺寸和形狀得到更好的控制，這不同于其他的鹵烴遇到空氣或氧氣時不利于各種特殊的控制（如半導體各項異性控制）。四氟化碳是目前微電子工業中用量比較大的等離子燭刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純陽氧氣的混合體，可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的燭刻。 溫室氣體，其造成溫室效應的作用是二氧化碳的數千倍。***四氟化碳廠家價格
用硅膠除去氣體中的水分，經精餾而得成品。南京直銷四氟化碳
CF4具有高的穩定性，屬于完全不燃性氣體，常溫下不與酸、堿及氧化劑反應，900℃以下不與Cu、Ni、W、Mo等過渡金屬反應，1000℃不與碳、氫及CH4反應。室溫下可與液氨-金屬鈉試劑反應，高溫下CF4可與堿金屬、堿土金屬及SiO2反應，生成相應的氟化物。CF4在800℃下開始分解，CF4在電弧作用下可與CO和CO2反應生成COF2，有人還試圖在碳弧溫度中使CF4聚合來合成其他碳氟化合物。由于C-F鍵的化學穩定性極強，因此以CF4為表示的全氟烴可認為是無毒的。CF4、C2F6和C3F8的全球變暖勢（GWP）的下限值分別為620、190和53，呈明顯下降趨勢，且遠小于氯氟烴（CFC）、SF6和CO2。 南京直銷四氟化碳