提供具有邊框結構的基板結構、半導體晶圓、以及晶圓制作方法。根據本申請的一實施例，提供一種承載半導體組件的基板結構，其特征在于，包含：一晶圓層，具有相對應的一***表面與一第二表面，其中該第二表面具有向該***表面凹陷的一中心凹陷區域，該中心凹陷區域位于該第二表面當中，使得該晶圓層的一邊框結構區域環繞在該第二表面周圍；以及一金屬層，具有相對應的一第三表面與一第四表面，該第三表面完全貼合于該第二表面。在一實施例中，為了彌補較薄晶圓層的結構強度，其中該第二表面更包含具有向該***表面凹陷的一***環狀凹陷區域，該***環狀凹陷區域與該中心凹陷區域位于該第二表面當中，使得該晶圓層在該***環狀凹陷區域與該中心凹陷區域之間形成環狀的一***內框結構區域。在一特定實施例中，為了更彌補較薄晶圓層的結構強度，其中該第二表面更具有向該***表面凹陷的第二環狀凹陷區域，該第二環狀凹陷區域位于該第二表面當中，使得該晶圓層在該第二環狀凹陷區域與該中心凹陷區域之間形成環狀的一第二內框結構區域，該***環狀凹陷區域完全包含環狀的該***內框結構區域，該***內框結構區域完全包圍該第二環狀凹陷區域，該第二環狀凹陷區域完全包圍該第二內框結構區域。國內半導體晶圓 代工公司。天津半導體晶圓值得推薦
所述有機胺為二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺、多乙烯多胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、三丙胺，N，N-二甲基乙醇胺、N，N-甲基乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺一種或多種。所述有機羧酸選自丙二酸、草酸、乙二胺四乙酸鹽和檸檬酸中的一種或者多種。所述胍類為四甲基胍、碳酸胍、醋酸胍、3-胍基丙酸、聚六亞甲基胍和對胍基苯甲酸。所述清洗液的pH值為2～5。實施例3一種用于半導體晶圓等離子蝕刻殘留物的清洗液，其是由如下重量份數的原料組成：有機溶劑48份、氟化物12份、氯化物11份、甲基丙烯酸甲酯6份、有機胺7份、氨基酸14份、胍類15份、苯并三氮唑5份、有機羧酸19份、硫脲23份和水64份。所述有機溶劑為選自亞砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醚中的一種或多種。所述氟化物為氟化氫、或氟化氫與堿形成的鹽。所述有機胺為二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺、多乙烯多胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、三丙胺，N，N-二甲基乙醇胺、N，N-甲基乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺一種或多種。所述有機羧酸選自丙二酸、草酸、乙二胺四乙酸鹽和檸檬酸中的一種或者多種。所述胍類為四甲基胍、碳酸胍、醋酸胍、3-胍基丙酸、聚六亞甲基胍和對胍基苯甲酸。天津半導體晶圓模具中硅半導體半導體晶圓。
τ1是氣泡內的溫度上升到高于臨界內爆溫度的時間間隔，τ2是氣泡內的溫度下降到遠低于臨界內爆溫度的時間間隔。由于可控的非穩態的氣穴振蕩在清洗過程中具有一定的氣泡內爆，因此，可控的非穩態的氣穴振蕩將提供更高的pre(particleremovalefficiency，顆粒去除效率)，而對圖案結構造成**小的損傷。臨界內爆溫度是會導致***個氣泡內爆的氣泡內的**低溫度。為了進一步提高pre，需要進一步提高氣泡的溫度，因此需要更長的時間τ1。通過縮短時間τ2來提高氣泡的溫度。超或兆聲波的頻率是控制內爆強度的另一個參數。可控的非穩態的氣穴振蕩是通過設置聲波電源在時間間隔小于τ1內頻率為f1，設置聲波電源在時間間隔大于τ2內頻率為f2，重復上述步驟直到晶圓被清洗干凈，其中，f2遠大于f1，**好是f1的2倍或4倍。通常，頻率越高，內爆的強度越低。τ1是氣泡內的溫度上升到高于臨界內爆溫度的時間間隔，τ2是氣泡內的溫度下降到遠低于臨界內爆溫度的時間間隔。可控的非穩態的氣穴振蕩將提供更高的pre(particleremovalefficiency，顆粒去除效率)，而對圖案結構造成**小的損傷。臨界內爆溫度是會導致***個氣泡內爆的氣泡內的**低溫度。為了進一步提高pre，需要進一步提高氣泡的溫度。
本發明是關于一種半導體晶圓干燥設備。背景技術：半導體產業涉及各種制造與測試過程，而其中一些過程涉及化學處理。在化學處理過程中，化學溶液接觸晶圓并與其發生反應。在化學處理后，以去離子水(deionizedwater，diw)對晶圓進行清洗處理，應接著先干燥晶圓以避免晶圓損壞，并維持接下來的過程中的執行精細度。技術實現要素：本發明的一方面是在于提出一種可簡化半導體晶圓干燥的過程并有效降低作業成本的半導體晶圓干燥設備。依據本發明的一實施方式，一種半導體晶圓干燥設備包含基座、殼體以及微波產生器。基座被配置成承載半導體晶圓。殼體與基座形成被配置成容納半導體晶圓的腔室。殼體具有遠離基座的排氣口。微波產生器設置于殼體上，并且被配置成對腔室發射微波。在本發明的一個或多個實施方式中，微波產生器設置于殼體外。殼體具有多個穿孔，其被配置成供微波穿越。在本發明的一個或多個實施方式中，微波產生器為多個，并且環繞腔室分布。在本發明的一個或多個實施方式中，半導體晶圓干燥設備進一步包含旋轉器，其連接基座，并且被配置成旋轉基座。在本發明的一個或多個實施方式中，基座的轉速實質上為10rpm。在本發明的一個或多個實施方式中，殼體的材料包含金屬。天津12英寸半導體晶圓代工。
集成了暗場照明成像，pl成像，共聚焦掃描成像和倏逝場照明移頻成像模式。圖2為一種實施實例俯視效果圖，輸入光源通過位于不同方位的波導端面耦合方式，為圓形波導提供倏逝場照明；圖3為一種實施實例俯視效果圖，輸入光通過環形波導的表面倏逝場耦合進位于中心區域的圓形波導內，提供倏逝場照明；圖4為暗場照明的示例圖，其中a為采用環形光纖束輸出提供暗場照明的示例圖，b為對應暗場照明模塊的垂直截面圖；圖5為移頻照明成像原理示意圖。具體實施方式在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本發明，但是，本發明還可以采用其他不同于在此描述的其他方式來實施，因此，本發明并不限于下面公開的具體實施例的限制。本文中所涉及的方位詞“上”、“下”、“左”和“右”，是以對應附圖為基準而設定的，可以理解，上述方位詞的出現并不限定本發明的保護范圍。下面詳細描述本發明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，旨在用于解釋本發明，而不能理解為對本發明的限制。在本發明中，除非另有明確的規定和限定。半導體行業，晶圓制造和晶圓加工。天水半導體晶圓銷售廠家
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在一實施例中，為了保護該金屬層，并且降低物理應力與熱應力的影響，該基板結構更包含：一樹酯層，具有相對應的一第五表面與一第六表面，其中該第五表面的形狀相應于該第四表面。在一實施例中，為了讓基板結構所承載的半導體組件的設計簡化，其中該邊框結構區域依序包含***邊結構區域、第二邊結構區域、第三邊結構區域與第四邊結構區域，該***邊結構區域與該第三邊結構區域的寬度相同。在一特定實施例中，為了讓基板結構所承載的半導體組件的設計更加簡化，其中該***邊結構區域、該第二邊結構區域、該第三邊結構區域與該第四邊結構區域的寬度相同。在一實施例中，為了讓基板結構適應所承載的半導體組件的不同設計，其中該邊框結構區域依序包含***邊結構區域、第二邊結構區域、第三邊結構區域與第四邊結構區域，該***邊結構區域與該第三邊結構區域的寬度不同。在一特定實施例中，為了讓基板結構適應所承載的半導體組件的具有更大的設計彈性，其中該***邊結構區域、該第二邊結構區域、該第三邊結構區域與該第四邊結構區域的寬度均不相同。在一實施例中，為了配合大多數矩形芯片的形狀，其中該中心凹陷區域是矩形。在一實施例中，為了配合大多數方形芯片的形狀。天津半導體晶圓值得推薦
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