為了實現這一點，作為示例，傳導層40覆蓋襯底20和溝槽22。層40例如由鋁、鋁-銅或鋁-硅-銅制成。層40可以布置在傳導界面層42上。區域302在溝槽中從層40或可能的界面層42延伸。層42例如旨在便于在層40和區域302、204、210以及可能的區域306之間形成電接觸件(下面的圖2a至圖2f的方法)。層42可以由硅化物制成或者可以是例如由鈦制成的金屬層。層42可以備選地包括硅化物層和金屬層，金屬層覆蓋硅化物層并且例如由鈦制成。硅化物因此形成電接觸件，而金屬層提供對層40的粘附。層42可以至少部分地通過自對準硅化工藝來獲得，并且硅化物然后是不連續的并且不覆蓋層304的上部部分。層42的厚度推薦地小于300nm，例如小于100nm。由于區域302和溝道區域202通過上述短距離d分離的事實，可以選擇溝道區域202的摻雜水平以及區域302的摻雜類型和水平來獲得二極管的飽和電流密度，其在25℃時例如在1na/mm2和1ma/mm2之間。推薦地，區域202的摻雜水平在2×1016和1018原子/cm3之間。為了獲得該飽和電流密度，區域302是重n型摻雜的(例如大于5×1018原子/cm3)，或者更一般地通過與溝道區域202的傳導類型相反的傳導類型來被重摻雜。電流密度飽和度在此由以下來確定：a)測量由大于。可控硅導通后，當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關斷。上海可關斷可控硅（晶閘管）原廠原盒
可控硅又稱晶閘管（SiliconControlledRectifier,SCR）。自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶可控硅閘管、快速晶閘管，等等。可控硅，是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結構相對簡單、功能強等特點，是比較常用的半導體器件之一。該器件被廣泛應用于各種電子設備和電子產品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。家用電器中的調光燈、調速風扇、空調機、電視機、電冰箱、洗衣機、照相機、組合音響、聲光電路、定時控制器、玩具裝置、無線電遙控、攝像機及工業控制等都大量使用了可控硅器件。貴州半導體igbt可控硅（晶閘管）SCR系列大功率高頻可控硅通常用作工業中；高頻熔煉爐等。
其**新研制出的IGCT擁有更好的性能，其直徑為英寸，單閥片耐壓值也是。**大通流能力已經可以達到180kA/30us，**高可承受電流上升率di/dt為20kA/us。門極可承受觸發電流**大值為2000A，觸發電流上升率di/dt**大為1000A/us。但是此種開關所能承受的反向電壓較低，因此還只能在特定的脈沖電源中使用。[1]但晶閘管本身存在兩個制約其繼續發展的重要因素。一是控制功能上的欠缺，普通的晶閘管屬于半控型器件，通過門極（控制極）只能控制其開通而不能控制其關斷，導通后控制極即不再起作用，要關斷必須切斷電源，即令流過晶閘管的正向電流小于維持電流。由于晶閘管的關斷不可控的特性，必須另外配以由電感、電容及輔助開關器件等組成的強迫換流電路，從而使裝置體積增大，成本增加，而且系統更為復雜、可靠性降低。二是因為此類器件立足于分立元件結構，開通損耗大，工作頻率難以提高，限制了其應用范圍。1970年代末，隨著可關斷晶閘管（GTO）日趨成熟，成功克服了普通晶閘管的缺陷，標志著電力電子器件已經從半控型器件發展到全控型器件。
因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導致發生損壞器件的事故。影響串聯運行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個：1、靜態伏安特性對靜態均壓的影響。不同元件的伏安特性差異較大，串聯使用時會使電壓分配不均衡。同時，半導體器件的伏安特性容易受溫度的影響，不同的結溫也會使均壓性能受到影響。[1]2、關斷電荷和開通時間等動態特性對動態均壓的影響。晶閘管串聯運行，延遲時間不同，門極觸發脈沖的大小不同，都會導致閥片的開通適度不同。閥片的開通速度不同，會引起動態電壓的不均衡。同時關斷時間的差異也會造成各晶閘管不同時關斷的現象。關斷電荷少，則易關斷，關斷時間也短，先關斷的元件必然承受**高的動態電壓。[1]晶閘管串聯技術的根本目的的是保證動、靜態特性不同的晶閘管在串聯后能夠安全穩定運行且都得到充分的利用。這就涉及到串聯晶閘管的元件保護、動態和靜態均壓、觸發一致性、反向恢復過電壓的抑制、開通關斷緩沖等一系列問題。[1]主要參數/晶閘管編輯為了正確選用晶閘管元件，必須要了解它的主要參數，一般在產品的目錄上都給出了參數的平均值或極限值，產品合格證上標有元件的實測數據。。可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。
做出了能適應于高頻應用的晶閘管，我們將它稱為快速晶閘管。它具有關斷時間（toff）短、導通速度快．能耐較高的電流上升率（dI／dt）、能耐較高的電壓上升率（dv／dt）、抗干擾能力較好等特點。快速晶閘管的生產和應用都進展很快。目前，已有了電流幾百安培、耐壓1千余伏，關斷時間為20微妙的大功率快速晶閘管，同時還做出了比較高工作頻率可達幾十千赫茲供高頻逆變用的元件。其產品廣應用于大功率直流開關、大功率中頻感應加熱電源、超聲波電源、激光電源、雷達調制器及直流電動車輛調速等領域。3．逆導晶閘管以往的為了便于調速采用直流供電，用直流開關動作增加或減小電路電阻，改變電路電流來控制車輛的速度。但它有不能平滑起動和加速。自有了，了逆導晶閘管不了上述缺點，而且還逆導晶閘管是在普通晶閘管上反向并聯一只二極管而成，特點是能反向導通大電流。由于它的陽極和陰極接入反向并聯的二極管，可對電感負載關斷時產生的大電流、高電壓進行快速釋放。城市電車和地鐵機車采用逆導晶閘管控制和調節車速，能夠克服開關體積大、壽命短，而且低速運行時耗電大（減速時消耗在啟動電阻上）等缺點，從而降低了功耗，提高了機車可靠性。上海寅涵供應全新MCO系列閘流晶體管模塊。青海高壓igbt驅動模塊可控硅（晶閘管）原廠原盒
根據晶閘管的工作特性，常見的應用就是現場用的不間斷應急燈。上海可關斷可控硅（晶閘管）原廠原盒
所以一旦可控硅導通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導通狀態，由于觸發信號只起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控硅是不可關斷的。由于他只有導通和關斷兩種工作狀態，所以晶閘管具有開關特性，這也就是晶閘管的作用。晶閘管在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。晶閘管為半控型電力電子器件，它的工作條件如下：1.晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態。2.晶閘管承受正向陽極電壓時，在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。這時晶閘管處于正向導通狀態，這就是晶閘管的閘流特性，即可控特性。3.晶閘管在導通情況下，只要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何，晶閘管保持導通，即晶閘管導通后，門極失去作用。門極只起觸發作用。4.晶閘管在導通情況下，當主回路電壓（或電流）減小到接近于零時，晶閘管關斷。4全控型晶閘管的工作條件：1.晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態。2.晶閘管承受正向陽極電壓時，在門極承受正向電壓。上海可關斷可控硅（晶閘管）原廠原盒