江蘇雙觸點壓力控制器什么價格

EXD504/7D防爆壓力控制器，防爆標志ExedⅡCT4～T5

控制器采用無泄漏活塞式的傳感器用于非腐蝕性氣體、液體介質，設定值調節規模0.3~40Mpa。

主要技術指標

可用于腐蝕性介質，也空氣、氣體、水、液壓油、潤滑油、輕燃油等。

作業粘度：<1╳10-3m2/s

防爆等級：ExedIICT4～T6

外殼防護等級：IP54（DIN40050）

環境溫度：-5～40℃

介質溫度：0～90℃

接口方向：壓力接口垂直向下

抗振性能：Max：20m/s2

重復性誤差：≤1.5%

觸點容量DC250V0.25A（阻性）60Wmax

DC250V5A（阻性）1250VAmax

AC250V5A（阻性）1250Wmax

壓力控制器（壓力開關）工作原理是一種接收壓力信號而動作的自動控制器。江蘇雙觸點壓力控制器什么價格

20世紀80年代，計算機的微型化促進了壓力傳感器性能明顯提高。這使壓力控制器制造公司能夠在其產品中使用性能更高、成本更低的新型壓力傳感器；同時隨著微型計算機、以及經過改進的材料和經驗相結合，開發出許多不同的壓力控制方法，如泄漏控制、正壓和脈寬調制。這些控制方法中的每一種都為用戶提供了更多選擇，從而降低成本并提高速度，提高了測量準確度水平。20世紀90年代，推出了多通道壓力控制器，允許利用單臺壓力控制器實現2個或多個單獨控制的壓力。這推動了模塊化進一步發展，用戶可以更換內部壓力傳感器，以實現更多的壓力控制和測量范圍。江蘇雙觸點壓力控制器什么價格上海中和差壓控制器的廠家。

壓阻壓力傳感器是指利用單晶硅材料的壓阻效應和集成電路技術制成的傳感器。單晶硅材料在受到力的作用后，電阻率發生變化，通過測量電路就可得到正比于力變化的電信號輸出。它又稱為擴散硅壓阻壓力傳感器，它不同于粘貼式應變計需通過彈性敏感元件間接感受外力，而是直接通過硅膜片感受被測壓力的。壓阻壓力傳感器主要基于壓阻效應（Piezoresistiveeffect）。壓阻效應是用來描述材料在受到機械式應力下所產生的電阻變化。不同于壓電效應，壓阻效應只產生阻抗變化，并不會產生電荷。大多數金屬材料與半導體材料都被發現具有壓阻效應。其中半導體材料中的壓阻效應遠大于金屬。由于硅是現今集成電路的主要原料，以硅制作而成的壓阻性元件的應用就變得非常有意義。硅的電阻變化不單是來自與應力有關的幾何形變，而且也來自材料本身與應力相關的電阻，這使得其程度因子大于金屬數百倍之多。N型硅的電阻變化主要是由于其三個導帶谷對的位移所造成不同遷移率的導帶谷間的載子重新分布，進而使得電子在不同流動方向上的遷移率發生改變。其次是由于來自與導帶谷形狀的改變相關的等效質量(effectivemass)的變化。在P型硅中，此現象變得更復雜，而且也導致等效質量改變及電洞轉換。

電阻應變片的工作原理金屬電阻應變片的工作原理是吸附在基體材料上應變電阻隨機械形變而產生阻值變化的現象，俗稱為電阻應變效應。金屬導體的電阻值可用下式表示：式中：ρ——金屬導體的電阻率（Ω·cm2/m）S——導體的截面積（cm2）L——導體的長度（m）我們以金屬絲應變電阻為例，當金屬絲受外力作用時，其長度和截面積都會發生變化，從上式中可很容易看出，其電阻值即會發生改變，假如金屬絲受外力作用而伸長時，其長度增加，而截面積減少，電阻值便會增大。當金屬絲受外力作用而壓縮時，長度減小而截面增加，電阻值則會減小。只要測出加在電阻的變化（通常是測量電阻兩端的電壓），即可獲得應變金屬絲的應變情況。壓力開關通常設置在消防水泵房的主干管道上或報警閥上，流量開關通常設置在高位消防水箱出水管上。

正壓電效應是指：當晶體受到某固定方向外力的作用時,內部就產生電極化現象,同時在某兩個表面上產生符號相反的電荷；當外力撤去后，晶體又恢復到不帶電的狀態；當外力作用方向改變時，電荷的極性也隨之改變；晶體受力所產生的電荷量與外力的大小成正比。壓電式傳感器大多是利用正壓電效應制成的。逆壓電效應是指對晶體施加交變電場引起晶體機械變形的現象，又稱電致伸縮效應。用逆壓電效應制造的變送器可用于電聲和超聲工程。壓電敏感元件的受力變形有厚度變形型、長度變形型、體積變形型、厚度切變型、平面切變型5種基本形式。壓電晶體是各向異性的，并非所有晶體都能在這5種狀態下產生壓電效應。例如石英晶體就沒有體積變形壓電效應，但具有良好的厚度變形和長度變形壓電效應。壓力控制器是工業實踐中較為常用的一種傳感器，其廣泛應用于各種工業自控環境。江西雙觸點壓力控制器

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霍爾壓力傳感器：霍爾壓力傳感器是基于某些半導體材料的霍爾效應制成的。霍爾效應是指當固體導體放置在一個磁場內，且有電流通過時，導體內的電荷載子受到洛倫茲力而偏向一邊，繼而產生電壓（霍爾電壓）的現象。電壓所引致的電場力會平衡洛倫茲力。通過霍爾電壓的極性，可證實導體內部的電流是由帶有負電荷的粒子（自由電子）之運動所造成。在導體上外加與電流方向垂直的磁場，會使得導線中的電子受到洛倫茲力而聚集，從而在電子聚集的方向上產生一個電場，此電場將會使后來的電子受到電力作用而平衡掉磁場造成的洛倫茲力，使得后來的電子能順利通過不會偏移，此稱為霍爾效應。而產生的內建電壓稱為霍爾電壓。當磁場為一交變磁場時，霍爾電動勢也為同頻率的交變電動勢，建立霍爾電動勢的時間極短，故其響應頻率高。理想霍爾元件的材料要求要有較高的電阻率及載流子遷移率，以便獲得較大的霍爾電動勢。常用霍爾元件的材料大都是半導體，包括N型硅(Si)、銻化銦(InSb)、砷化銦InAs)、鍺(Ge)、砷化鎵GaAs)及多層半導體質結構材料，N型硅的霍爾系數、溫度穩定性和線性度均較好，砷化鎵溫漂小，目前應用。江蘇雙觸點壓力控制器什么價格

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