智能化多端口矩陣測試DDR測試方案商

4）將Vref的去耦電容靠近Vref管腳擺放；Vtt的去耦電容擺放在遠的一個SDRAM外端；VDD的去耦電容需要靠近器件擺放。小電容值的去耦電容需要更靠近器件擺放。正確的去耦設計中，并不是所有的去耦電容都是靠近器件擺放的。所有的去耦電容的管腳都需要扇出后走線，這樣可以減少阻抗，通常，兩端段的扇出走線會垂直于電容布線。5）當切換平面層時，盡量做到長度匹配和加入一些地過孔，這些事先應該在EDA工具里進行很好的仿真。通常，在時域分析來看，差分線的正負兩根線要做到延時匹配，保證其誤差在+/-2ps，而其它的信號要做到+/-10ps。什麼是DDR內存？如何測試？智能化多端口矩陣測試DDR測試方案商

4.時延匹配在做到時延的匹配時，往往會在布線時采用trombone方式走線，另外，在布線時難免會有切換板層的時候，此時就會添加一些過孔。不幸的是，但所有這些彎曲的走線和帶過孔的走線，將它們拉直變為等長度理想走線時，此時它們的時延是不等的，

顯然，上面講到的trombone方式在時延方面同直走線的不對等是很好理解的，而帶過孔的走線就更加明顯了。在中心線長度對等的情況下，trombone走線的時延比直走線的實際延時是要來的小的，而對于帶有過孔的走線，時延是要來的大的。這種時延的產生，這里有兩種方法去解決它。一種方法是，只需要在EDA工具里進行精確的時延匹配計算，然后控制走線的長度就可以了。而另一種方法是在可接受的范圍內，減少不匹配度。對于trombone線，時延的不對等可以通過增大L3的長度而降低，因為并行線間會存在耦合，其詳細的結果，可以通過SigXP仿真清楚的看出，L3長度的不同，其結果會有不同的時延，盡可能的加長S的長度，則可以更好的降低時延的不對等。對于微帶線來說，L3大于7倍的走線到地的距離是必須的。 智能化多端口矩陣測試DDR測試方案商借助協議解碼軟件看DDR的會出現數據有那些；

DDR測試

DDR信號的要求是針對DDR顆粒的引腳上的，但是通常DDR芯片采用BGA封裝，引腳無法直接測試到。即使采用了BGA轉接板的方式，其測試到的信號與芯片引腳處的信號也仍然有一些差異。為了更好地得到芯片引腳處的信號質量，一種常用的方法是在示波器中對PCB走線和測試夾具的影響進行軟件的去嵌入(De-embedding)操作。去嵌入操作需要事先知道整個鏈路上各部分的S參數模型文件(通常通過仿真或者實測得到),并根據實際測試點和期望觀察到的點之間的傳輸函數，來計算期望位置處的信號波形，再對這個信號做進一步的波形參數測量和統計。圖5.15展示了典型的DDR4和DDR5信號質量測試環境，以及在示波器中進行去嵌入操作的界面。

什麼是DDR內存？如何測試？

近幾年來，CPU的速度呈指數倍增長。然而，計算機內存的速度增長確不盡人意。在1999年，大批量的PC133內存替代PC100。其間，英特爾公司推出Rambus內存作為PC工業的內存解決方案。在內存技術不斷發展的時代，每一種新技術的出現，就意味著更寬的頻帶范圍和更加優越的性能。內存峰值帶寬定義為：內存總線寬度/8位X數據速率。該參數的提高會在實際使用過程中得到充分體現：3維游戲的速度更快，MP3音樂的播放更加柔和，MPEG視頻運動圖像質量更好。今年，一種新型內存：DDR內存面世了。對大多數人來說，DDR仍然是一個陌生的名詞，然而，它確是數以百計前列內存和系統設計師3年來通力合作的結晶。DDR的出現預示著內存帶寬和性能的提高，然而與Rambus內存相比更重要的一點是DDR的價格更低。 DDR壓力測試的內容有那些；

DDR測試

什么是DDR？

DDR是雙倍數據速率(DoubleDataRate)。DDR與普通同步動態隨機內存（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（現在被稱為SDR）與標準DRAM有所不同。標準的DRAM接收的地址命令由二個地址字組成。為節省輸入管腳，采用了復用方式。地址字由行地址選通（RAS）鎖存在DRAM芯片。緊隨RAS命令之后，列地址選通（CAS）鎖存第二地址字。經過RAS和CAS，存儲的數據可以被讀取。同步動態隨機內存（SDRDRAM)將時鐘與標準DRAM結合，RAS、CAS、數據有效均在時鐘脈沖的上升邊沿被啟動。根據時鐘指示，可以預測數據和其它信號的位置。因而，數據鎖存選通可以精確定位。由于數據有效窗口的可預計性，所以可將內存劃分成4個組進行內部單元的預充電和預獲取。通過突發模式，可進行連續地址獲取而不必重復RAS選通。連續CAS選通可對來自相同行的數據進行讀取。 DDR4信號完整性測試案例；智能化多端口矩陣測試DDR測試方案商

用DDR的BGA探頭引出測試信號；智能化多端口矩陣測試DDR測試方案商

實際的電源完整性是相當復雜的，其中要考慮到IC的封裝、仿真信號的切換頻率和PCB耗電網絡。對于PCB設計來說，目標阻抗的去耦設計是相對來說比較簡單的，也是比較實際的解決方案。在DDR的設計上有三類電源，它們是VDD、VTT和Vref。VDD的容差要求是5%，而其瞬間電流從Idd2到Idd7大小不同，詳細在JEDEC里有敘述。通過電源層的平面電容和用的一定數量的去耦電容，可以做到電源完整性，其中去耦電容從10nF到10uF大小不同，共有10個左右。另外，表貼電容合適，它具有更小的焊接阻抗。Vref要求更加嚴格的容差性，但是它承載著比較小的電流。顯然，它只需要很窄的走線，且通過一兩個去耦電容就可以達到目標阻抗的要求。由于Vref相當重要，所以去耦電容的擺放盡量靠近器件的管腳。然而，對VTT的布線是具有相當大的挑戰性，因為它不只要有嚴格的容差性，而且還有很大的瞬間電流，不過此電流的大小可以很容易的就計算出來。終，可以通過增加去耦電容來實現它的目標阻抗匹配。在4層板的PCB里，層之間的間距比較大，從而失去其電源層間的電容優勢，所以，去耦電容的數量將增加，尤其是小于10nF的高頻電容。詳細的計算和仿真可以通過EDA工具來實現。智能化多端口矩陣測試DDR測試方案商