江蘇電氣性能測試DDR3測試

有其特殊含義的，也是DDR體系結構的具體體現。而遺憾的是，在筆者接觸過的很多高速電路設計人員中，很多人還不能夠說清楚這兩個圖的含義。在數據寫入(Write)時序圖中，所有信號都是DDR控制器輸出的，而DQS和DQ信號相差90°相位，因此DDR芯片才能夠在DQS信號的控制下，對DQ和DM信號進行雙沿采樣:而在數據讀出(Read)時序圖中，所有信號是DDR芯片輸出的，并且DQ和DQS信號是同步的，都是和時鐘沿對齊的!這時候為了要實現對DQ信號的雙沿采樣，DDR控制器就需要自己去調整DQS和DQ信號之間的相位延時!!!這也就是DDR系統中比較難以實現的地方。DDR規范這樣做的原因很簡單，是要把邏輯設計的復雜性留在控制器一端，從而使得外設(DDR存儲心片)的設計變得簡單而廉價。因此，對于DDR系統設計而言，信號完整性仿真和分析的大部分工作，實質上就是要保證這兩個時序圖的正確性。DDR3一致性測試是否適用于筆記本電腦上的內存模塊？江蘇電氣性能測試DDR3測試

DDR 系統概述

DDR 全名為 Double Data Rate SDRAM ，簡稱為 DDR。DDR 本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高 SDRAM 的速度，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀/寫數據，因而其數據速率是標準 SDRAM 的兩倍，至于地址與控制信號與傳統 SDRAM 相同，仍在時鐘上升沿進行數據判決。  DDR 與 SDRAM 的對比DDR 是一個總線系統，總線包括地址線、數據信號線以及時鐘、控制線等。其中數據信號線可以隨著系統吞吐量的帶寬而調整，但是必須以字節為單位進行調整，例如，可以是 8 位、16 位、24 位或者 32 位帶寬等。 所示的是 DDR 總線的系統結構，地址和控制總線是單向信號，只能從控制器傳向存儲芯片，而數據信號則是雙向總線。

DDR 總線的系統結構DDR 的地址信號線除了用來尋址以外，還被用做控制命令的一部分，因此，地址線和控制信號統稱為地址/控制總線。DDR 中的命令狀態真值表。可以看到，DDR 控制器對存儲系統的操作，就是通過控制信號的狀態和地址信號的組合來完成的。 DDR 系統命令狀態真值表 校準DDR3測試高速信號傳輸DDR3一致性測試期間是否會影響計算機性能？

每個 DDR 芯片獨享 DQS，DM 信號；四片 DDR 芯片共享 RAS#，CAS#，CS#，WE#控制信號。·DDR 工作頻率為 133MHz。·DDR 控制器選用 Xilinx 公司的 FPGA，型號為 XC2VP30_6FF1152C。得到這個設計需求之后，我們首先要進行器件選型，然后根據所選的器件，準備相關的設計資料。一般來講，對于經過選型的器件，為了使用這個器件進行相關設計，需要有如下資料。

· 器件數據手冊 Datasheet：這個是必須要有的。如果沒有器件手冊，是沒有辦法進行設計的（一般經過選型的器件，設計工程師一定會有數據手冊）。

創建工程啟動SystemSI工具，單擊左側Workflow下的LoadaNew/ExistingWorkspace菜單項,在彈出的WorkspaceFile對話框中選擇Createanewworkspace,單擊OK按鈕。在彈出的SelectModule對話框中選擇ParallelBusAnalysis模塊，單擊OK按鈕。選擇合適的License后彈出NewWorkspace對話框在NewWorkspace對話框中選擇Createbytemplate單選框，選擇個模板addr_bus_sparam_4mem,設置好新建Workspace的路徑和名字，單擊0K按鈕。如圖4-36所示，左側是Workflow,右側是主工作區。

分配舊IS模型并定義總線左側Workflow提示第2步為AssignIBISModels,先給內存控制器和SDRAM芯片分配實際的IBIS模型。雙擊Controller模塊，在工作區下方彈出Property界面，左側為Block之間的連接信息，右側是模型設置。單擊右下角的LoadIBIS...按鈕，彈出LoadIBIS對話框。 DDR3一致性測試期間會測試哪些方面？

單擊Impedance Plot (expanded),展開顯示所有網絡走線的阻抗彩圖。雙擊彩圖 上的任何線段，對應的走線會以之前定義的顏色在Layout窗口中高亮顯示。

單擊Impedance Table,可以詳細查看各個網絡每根走線詳細的阻抗相關信息，內 容包括走線名稱、走線長度百分比、走線阻抗、走線長度、走線距離發送端器件的距離、走 線延時，

單擊Impedance Overlay in Layout,可以直接在Layout視圖中查看走線的阻抗。在 Layer Selection窗口中單擊層名稱，可以切換到不同層查看走線阻抗視圖。 DDR3一致性測試可以幫助識別哪些問題？天津測量DDR3測試

DDR3內存的一致性測試是否需要長時間運行？江蘇電氣性能測試DDR3測試

單擊View Topology按鈕進入SigXplorer拓撲編輯環境，可以按前面161節反射 中的實驗所學習的操作去編輯拓撲進行分析。也可以單擊Waveforms..按鈕去直接進行反射和 串擾的布線后仿真。

在提取出來的拓撲中，設置Controller的輸出激勵為Pulse,然后在菜單Analyze- Preferences..界面中設置Pulse頻率等參數，

單擊OK按鈕退出參數設置窗口，單擊工具欄中的Signal Simulate進行仿真分析，

在波形顯示界面里，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進行查看, 可以看到，差分時鐘波形邊沿正常，有一些反射。

原始設計沒有接終端的電阻端接。在電路拓撲中將終端匹配的上拉電阻電容等電路 刪除，再次仿真，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進行查看，可以看到， 時鐘信號完全不能工作。 江蘇電氣性能測試DDR3測試

深圳市力恩科技有限公司是一家從事實驗室配套，誤碼儀/示波器，矢量網絡分析儀，協議分析儀研發、生產、銷售及售后的服務型企業。公司坐落在深圳市南山區南頭街道南聯社區中山園路9號君翔達大廈辦公樓A201，成立于2014-04-03。公司通過創新型可持續發展為重心理念，以客戶滿意為重要標準。主要經營實驗室配套，誤碼儀/示波器，矢量網絡分析儀，協議分析儀等產品服務，現在公司擁有一支經驗豐富的研發設計團隊，對于產品研發和生產要求極為嚴格，完全按照行業標準研發和生產。深圳市力恩科技有限公司研發團隊不斷緊跟實驗室配套，誤碼儀/示波器，矢量網絡分析儀，協議分析儀行業發展趨勢，研發與改進新的產品，從而保證公司在新技術研發方面不斷提升，確保公司產品符合行業標準和要求。深圳市力恩科技有限公司嚴格規范實驗室配套，誤碼儀/示波器，矢量網絡分析儀，協議分析儀產品管理流程，確保公司產品質量的可控可靠。公司擁有銷售/售后服務團隊，分工明細，服務貼心，為廣大用戶提供滿意的服務。