PA4025-WP加熱板說明書

    MR)等在高溫中氣相化學反應(熱分解，氫還原、氧化、替換反應等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔點金屬、金屬、半導體等薄膜方法。因只在高溫下反應故用途被限制，但由于其可用領域中，則可得致密高純度物質膜，且附著強度很強，若用心控制，則可得安定薄膜即可輕易制得觸須(短纖維)等，故其應用范圍極廣。熱CVD法也可分成常壓和低壓。低壓CVD適用于同時進行多片基片的處理，壓力一般控制在。作為柵電極的多晶硅通常利用HCVD法將SiH4或Si2H。氣體熱分解（約650oC）淀積而成。采用選擇氧化進行器件隔離時所使用的氮化硅薄膜也是用低壓CVD法，利用氨和SiH4或Si2H6反應面生成的，作為層間絕緣的SiO2薄膜是用SiH4和O2在400--4500oC的溫度下形成SiH4+O2-SiO2+2H2或是用Si(OC2H5)4(TEOS:tetraethoxysilanc)和O2在750oC左右的高溫下反應生成的，后者即采用TEOS形成的SiO2膜具有臺階側面部被覆性能好的優點。前者，在淀積的同時導入PH3氣體，就形成磷硅玻璃（PSG：phosphorsilicateglass）再導入B2H6氣體就形成BPSG(borro?phosphorsilicateglass)膜。這兩種薄膜材料，高溫下的流動性好，***用來作為表面平坦性好的層間絕緣膜。在半圓形熱片2的自由端是分別接著電源的左電極和右電極。PA4025-WP加熱板說明書

    設計不同的熱流密度；防止工質進入過渡沸騰區，從而導致傳熱惡化，壁溫過熱。由于采用豎管加熱，筒體上部的含汽率遠高于下部，筒體上部容易產生傳熱惡化，所以必須減少筒體上部的熱流密度，故此在水冷線圈7設計時采用下密上稀的結構，確保在同樣長度內，底部的線圈匝數多，熱流密度大；頂部的線圈匝數少，熱流密度小。這樣通過分區段計算，從理論上上降低了筒體壁溫高的可能性，**提高了設備的安全性和使用壽命。圖4為本發明實施例用于蒸汽爐加熱的汽水流程示意圖。其中鍋筒下方通過下降管連接水平連通管，水平連通管分別與汽水引進管5和輔助加熱水套汽水引入管6相連，鍋筒中的飽和水從下降管，經底部聯通管分別流向中心加熱筒體2和外側輔助加熱水套，在中心加熱筒體2和外側輔助加熱水套內通過電磁感應加熱后，變成汽水混合物，通過頂部匯總，流經汽水引出管進入鍋筒，一部分蒸汽經分離后，從鍋筒頂部引出，完成一個汽水循環。當設計大噸位鍋爐時，可以用多個加熱單元組裝設計，由于采用外側水套屏蔽了電磁感應場向周邊擴散，所以每個單元之間的距離沒有要求，可以緊挨著；只需考慮未封閉端距離周邊至少500mm以上的距離即可。實際未封閉端均是向下布置。MSA FACTORYPH200-40-PCC10A加熱板經銷固定到環形或圓形的熱環5的加熱片不僅可以安定加熱片的間距。

    本實用新型涉及等離子體cvd晶圓加熱器的領域，尤其涉及一種等離子體cvd晶圓加熱器用表面修磨裝置。背景技術：隨著半導體技術的不斷飛速發展,單個芯片上所承載的晶體管數量以驚人的速度增長,與此同時,半導體制造商們出于節約成本的需要迫切地希望單個晶圓上能夠容納更多的芯片,這要求更加精細的制造工藝.一種常用的工藝是等離子體化學汽相淀積(pecvd).化學汽相淀積(pecvd)一般用來在半導體晶圓襯底上淀積薄膜,氣體起反應在晶圓加熱器表面形成一層材料；等離子體cvd晶圓加熱器是半導體芯片加工的關鍵設備，起承載吸附晶圓及提供加熱的作用,隨著使用次數增加,晶圓在工藝過程中和等離子體cvd晶圓加熱器表面接觸,高溫狀態晶圓加熱表面的鋁材會被晶圓不停磨損,導致晶圓加熱器表面平整度及吸附區域尺寸變差,吸附力下降,導致工藝無法正常完成,工藝結果變差。因此就需要將等離子體cvd晶圓加熱器表面進行修復,保證表面的平整度和吸附區域尺寸,保證工藝正常進行；現有技術的修復方法是使用數控機床或手工進行修復,但是存在材料去除量較大，數控機床一次去除量為，導致晶圓加熱器的可修磨次數少，使用成本高；另外晶圓加熱器表面溝槽多、材料太軟，導致不好控制表面平整度。

加熱板攪拌器加熱攪拌器加熱板&攪拌器附件出色的性能與智能技術令人印象深刻的高性能、高安全性和操作簡便性，使您能夠輕松找到符合您實驗室要求的加熱設備。我們的加熱板、攪拌器、加熱攪拌器以及相關附件可以完全滿足任何實驗室需求。廣受歡迎的加熱板和攪拌器加熱板系列加熱攪拌器系列RT2高級加熱攪拌器實驗室加熱板和攪拌器專題目錄實驗室加熱板我們均勻加熱的加熱板能夠提供多種獲得可重現結果的能力，包括溫度穩定性、耐用性以及遠程控制訪問的能力，以實現安全性和便捷性。攪拌器我們的攪拌器產品組合在大多數應用中可達到2400rpm的轉速，且在嚴苛的細胞培養應用中保證可靠性、安全性和運行性能，將根據您的全部實驗室需求為您提供解決方案。加熱攪拌器從基本的攪拌設計到適合危險應用的防爆型加熱攪拌器，我們的加熱攪拌器可以提供精細的控制和可重復性，滿足您的各種應用需求。加熱板與攪拌器附件我們的攪拌器控制設備和附件能夠補充您的加熱板和攪拌器，幫助確保您獲得正確裝備以快速設置好您的攪拌器。可靠的精度和控制系列加熱板、攪拌器以及加熱攪拌器可實現出色的結果準確性和重現性。當物件溫度距目標溫度80120°C時，改為動態功率加熱。

    本發明半導體加工領域，尤其涉及一種晶圓加熱器。背景技術：現有的晶圓加熱設備，加熱絲呈螺旋狀從中心向**旋轉，加熱絲在熱盤中的分布不夠均勻，無法達到均勻加熱的目的，無法滿足晶圓的高精度加熱，而高精度加熱對半導體的工藝至關重要。如中國發明專利cna所公開的一種能夠提高照射效率的加熱器。實施方式所涉及的加熱器具備發光管、發熱體及反射膜。發光管呈筒狀，且所述發光管透光。發熱體設置在發光管的內部，且發熱體以碳作為主要成分。反射膜設置在發光管的外周面，并對光進行反射。上述現有技術的晶圓加熱器無法恒溫的均勻加熱。技術實現要素：一、要解決的技術問題本發明的目的是針對現有技術所存在的上述問題，特提供一種晶圓加熱器，解決現有加熱器無法恒溫的均勻加熱的問題。二、技術方案為解決上述技術問題，本發明提供一種晶圓加熱器，包括：加熱盤、底板和若干墊柱；加熱盤上設有七個加熱區域，分別為***加熱區域、第二加熱區域、第三加熱區域、第四加熱區域、第五加熱區域、第六加熱區域和第七加熱區域；***加熱區域設置于中心區域，第二加熱區域和第三加熱區域設置于***加熱區域外圓周。將洗凈的基片表面涂上附著性增強劑或將基片放在惰性氣體中進行熱處理。PA8005-PCC10A加熱板國內總代理

傳統加熱板留置區分配不合理引致加熱不平衡，也易于引致局部變形等疑問。PA4025-WP加熱板說明書

    本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種晶圓加熱裝置。背景技術：隨著科技進步，晶片的加工工藝越來越復雜，要求在單位晶圓面積內制作的器件更多，致使晶圓內線路的寬度變得更窄，晶圓在熱盤上加熱時，對熱盤溫度的均勻性要求更高。晶圓加熱中使用的熱盤都是由上盤和壓片中夾一塊加熱片，或是在上盤中埋入幾個加熱管構成，通過一個溫度傳感器和一個控制器控制熱盤的溫度。使得熱盤表面溫度并不均勻，不能滿足高精度晶圓的加工需求。再如中國實用新型u所公開的一種電控晶圓加熱盤，包括硅橡膠電熱圈、熱導金屬板、晶圓托盤、電子顯示盒和屏蔽罩。所述硅橡膠電熱圈與熱導金屬板連接；所述熱導金屬板與電子顯示盒連接；所述晶圓托盤放置在熱導金屬板上方，并與電子顯示盒相連；所述的屏蔽罩與電子顯示盒相連，該實用新型只使用一個電熱圈，會出現加熱不均勻的情況。技術實現要素：一、要解決的技術問題針對現有技術所存在的上述缺陷，現有的晶圓加熱方法存在的均勻性不佳的問題。二、技術方案為解決上述問題，特提供一種晶圓加熱裝置，晶圓加熱裝置包括控制模塊和多分區熱盤，多分區熱盤包括***分區和第二分區；***分區包括***加熱模塊和***溫度檢測模塊。PA4025-WP加熱板說明書

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