新能源UV傳感器技術規范

來源: 發布時間:2024-01-02

新一代SiC基真空紫外(VUV)探測器和極紫外(EUV)探測器具有暗電流低、量子效率高、本征白光抑制、溫度穩定性優和抗輻射能力強等系列性能優勢,在193nm和13.5nm光刻機紫外光源強度監控、同步輻射等大科學裝置、太陽風觀測、地球等離子體物理以及工業測量等領域均具有重要的應用。典型應用:193nm激光器輸出強度監控,真空紫外同步輻射光源監控,VUV紫外能量計,VUV紫外光譜儀鎵敏光電與南京大學“江蘇省光電功能材料重點實驗室”、江蘇省“固態照明與節能電子學協同創新中心”、“南京人工微結構科學與技術協同創新中心”等平臺單位保持有長期深入且***的合作,其完善的材料生長、器件加工和測試分析設備可為鎵敏團隊提供更***的技術支撐。鎵敏光電提供高性能SiC、GaN紫外傳感器1. 紫外光強傳感器是一種用于測量紫外光輻射強度的設備。新能源UV傳感器技術規范

該法利用臭氧對254nm波長的紫外線特征吸收的特性,依據朗伯一比爾定律測量紫外線,通過臭氧的光強變化來檢測臭氧濃度。該法不但適用于檢測氣體中臭氧濃度,也可以檢測水中溶存的臭氧濃度。該原理已被美國等國家作為臭氧標準分析方法。該公司采用鎵敏團隊紫外傳感器制作的臭氧檢測儀,采用紫外線吸收法的原理,用穩定的紫外燈光源產生紫外線,用光波過濾器過濾掉其它波長紫外光,只允許波長253.7nm通過。經過樣品光電傳感器,再經過臭氧吸收池后,到達采樣光電傳感器。通過樣品光電傳感器和采樣光電傳感器電信號比較,再經過數學模型的計算,得出臭氧濃度大小。哪些是UV傳感器生產廠家紫外探測器可以用于天文學中的光譜分析。

紫外線是電磁波譜中波長從0.01~0.40微米輻射的總稱。陽光中有大量的紫外線。紫外線對人類的生活和生物的生長有很大影響。紫外線亦稱“紫外光”,其波長范圍在100-400納米,分為UVA(315-400納米)、UVB(280-315納米)、UVC(200-280納米)及真空紫外線(100-200納米)。紫外線在電磁波譜中位于紫光和倫琴射線之間,與其它波長的電磁波一樣,都遵守電磁運動的基本規律。紫外線不能引起視覺(即在可見光范圍之外)。根據不同的波長,紫外線中能透過臭氧保護層和云層到達地球表面的只有UVA和UVB部分。紫外線指數是指在一天中,太陽在天空中的位置比較高時(一般是在中午前后),到達地面的太陽光線中的紫外線輻射對人體皮膚的可能損傷程度。鎵敏光電紫外線輻射傳感器采用第三代半導體材料,可用于環境、溫室、實驗室、養殖、工業、實驗室等各類需紫外線測量的場合。

紫外固化在半導體芯片制程、現代化工、涂料和特種印刷行業具有舉足輕重的地位,已經觸及到普通人生活的各個層面,產業規模龐大,包括噴涂行業,印刷行業,鞋業方面,木業方面,PCB、LCD行業、工藝品上光等領域。在固化過程中,隨著UV固化燈使用時間的增長,UV燈的輻照強度會發生衰減,**終導致固化效果減弱。固化材料對UV光源的輻照強度和輻照劑量極為敏感,尤其是輻照強度至關重要,固化過程中,UV燈的輻照強度必須高于固化材料所需的臨界值,才能起到有效的固化作用。同時,UV燈在固化過程中會產生大量的熱,溫度可達到100°C,固化時間增加,會導致固化材料變形,影響產品效果。因此,在紫外固化行業,使用紫外傳感器對UV燈的輻照強度進行監測是非常有必要的。鎵敏光電提供高性能SiC、GaN紫外傳感器。紫外探測器的輸出信號可以直接與計算機接口。

UVC波段,波長200~275nm,又稱為短波滅菌紫外線。它的穿透能力很弱,無法穿透大部分的透明玻璃及塑料。日光中含有的短波紫外線幾乎被臭氧層完全吸收。短波紫外線對人體的傷害很大,短時間照射即可灼傷皮膚,長期或大度照射還會造成皮膚病。紫外線殺菌燈發出的就是UVC短波紫外線。波長100~200nm,又稱為真空紫外線。它的穿透能力極弱。它能使空氣中的氧氣轉化成臭氧,稱為臭氧發生線。免疫功能下降;對遺傳因子的深度傷害;皮膚病、白內障發病幾率增加;背后和手腳的色斑的發病率增加;造成皮膚暗沉、老化、斑點、皺紋;病變狀態的日光角化癥的增加;長期照射短波的紫外線可能會引起牙齒痛;紫外線也會促使家具及陳設加速老化褪色。故需要紫外線傳感器來檢測紫外線的強度,達到可控的目的。紫外探測器的光譜響應范圍可以根據需要進行調整。出口UV傳感器值多少錢

紫外探測器可以測量紫外線的強度和波長。新能源UV傳感器技術規范

臭氧檢測儀就是采用紫外線吸收法的原理,用穩定的紫外燈光源產生紫外線,用光波過濾器過濾掉其它波長紫外光,只允許波長。經過樣品光電傳感器,再經過臭氧吸收池后,到達采樣光電傳感器。通過樣品光電傳感器和采樣光電傳感器電信號比較,再經過數學模型的計算,就能得出臭氧濃度大小。鎵敏光電致力于研發和生產基于新型寬禁帶半導體材料的高性能紫外探測器。寬禁帶半導體是近年來國內外重點研究和發展的新型第三代半導體材料,其**材料包括碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導體,具有禁帶寬度大、導熱性能好、電子飽和漂移速度高以及化學穩定性優等特點,用于耐高溫、高效能的高頻大功率器件以及工作于紫外波段的光探測器件,具有***的材料性能優勢。新能源UV傳感器技術規范

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