反向擊穿電壓由齊納擊穿或雪崩擊穿決定。當pn結反向偏置時,耗盡層延伸穿過pn結。電場造成耗盡層內p型區價帶與n型區導帶之間的間隙減小。因此,由于量子隧穿效應,電子從p型區價帶隧穿到n型區導帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區導致反向電流突然增加的現象。齊納擊穿如圖1.3所示。當pn反向偏置時,少量電子通過pn結。這些電子在耗盡層被電場加速,獲得較大動能。加速電子與晶格中的原子碰撞電離產生電子空穴。這些原子的電子被激發到導帶并脫離,成為自由電子。自由電子也加速并與其他原子碰撞,產生更多的電子-空穴對,導致電子進一步脫離的過程。這種現象稱為雪崩擊穿。根據客戶的需求和設備的特點,可以設計合適的ESD靜電保護二極管的應用方案。廣州標準ESD保護二極管SR15D3BL型號多少錢
SR08D3BL型號和SR12D3BL型號的優勢也有所不同。SR08D3BL型號的優勢在于其響應速度快,可以在納秒級別內響應ESD事件,有效保護電路。此外,SR08D3BL型號的封裝體積小,適合在空間受限的電路中使用。而SR12D3BL型號的優勢在于其電壓容忍度高,可以在更高的電壓下工作,同時其ESD保護效果也非常好。無論是SR08D3BL型號還是SR12D3BL型號,它們都具有以下優點:一是響應速度快,可以在納秒級別內響應ESD事件,保護電路;二是具有低電容和低電感,不會對電路的高頻性能產生影響;三是具有良好的ESD保護效果,可以有效地保護電路免受靜電放電的損害。廣州常規ESD保護二極管SR15D3BL近期價格ESD保護二極管用于通信接口:如USB、HDMI、RS-485等,這些接口在連接和斷開時容易產生靜電放電。
選擇正確的ESD保護二極管,請注意第3節介紹的主要電氣特性。根據被保護信號線的最大電壓,選擇具有相應反向擊穿電壓(VBR)或工作峰值反向電壓(VRWM)的ESD保護二極管。跨GND電平信號(如模擬信號),使用雙向ESD保護二極管。根據被保護信號線的比較大頻率,選擇總電容(CT)合適的的ESD保護二極管。選擇動態電阻(RDYN)盡可能低的ESD保護二極管。根據所需VRWM選擇**小鉗位電壓(VC)的ESD保護二極管。務必選擇VC低于受保護器件耐受電壓的二極管。
低鉗位電壓(V(C))和***峰值電壓:采用IEC 61000-4-2規定ESD波形時,高低鉗位電壓(V(C))ESD保護二極管的波形效果。這些波形采集于受保護器件(DUP)輸入端。具有低V(C )的ESD保護二極管在30ns和60ns處鉗位電壓低于具有高V(C)的ESD保護二極管。ESD波形曲線下的面積越小,受保護器件(DUP)受到的損壞越小。因此,具有低V(C)的ESD保護二極管可提供更好的ESD脈沖保護。此外,一些ESD保護二極管在ESD進入后不會立即響應。因此,如果ESD脈沖***峰值電壓高于ESD保護二極管的V(C),則可能施加到受保護器件,造成故障或破壞。ESD保護二極管響應速度高于其他類型保護器件。此外,東芝正在優化芯片工藝和內部器件結構,進一步降低***個峰值電壓,從而在初始階段對ESD峰值電壓提供更可靠的保護。采用多級保護電路,可以很好地提高保護效果。
***比較大額定值指任何條件下,即使瞬間也不得超過的比較高值。如果施加的應力超過規定的額定值,器件可能會長久損壞。不得超過任何***比較大額定值。因此,應注意電源電壓波動、電子器件電氣特性變化、電路調整過程中應力可能高于比較大額定值、環境溫度變化、輸入信號波動等情況。應考慮的主要額定值包括ESD保護二極管的ESD容限、峰值脈沖功率、結溫和存儲溫度。這些參數相互關聯,不能單獨考慮。它們還取決于外部電路條件。盡管***比較大額定值通常規定的環境溫度(Ta)為25°C,但有些規定參數溫度條件不同。瞬態電壓抑制二極管(TVS):能夠在極短的時間內導通,吸收高能量的靜電脈沖。深圳常規ESD保護二極管SR18D3BL型號價格
。ESD二極管的應用能夠有效防止靜電放電對設備內部電路的損壞。廣州標準ESD保護二極管SR15D3BL型號多少錢
SR08D3BL型號和SR12D3BL型號的優勢也有所不同。SR08D3BL型號的優勢在于其響應速度快,可以在納秒級別內響應ESD事件,有效保護電路。此外,SR08D3BL型號的封裝體積小,適合在空間受限的電路中使用。而SR12D3BL型號的優勢在于其電壓容忍度高,可以在更高的電壓下工作,同時其ESD保護效果也非常好。無論是SR08D3BL型號還是SR12D3BL型號,它們都具有以下優點:一是響應速度快,可以在納秒級別內響應ESD事件,保護電路;二是具有低電容和低電感,不會對電路的高頻性能產生影響;三是具有良好的ESD保護效果,可以很好地保護電路免受靜電放電的損害。廣州標準ESD保護二極管SR15D3BL型號多少錢